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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥9.82
  • 10+

    ¥7.96
  • 50+

    ¥6.94
  • 100+

    ¥5.79
  • 500+

    ¥5.28
  • 有货
  • 特性:针对或运算应用进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥10.31
    • 10+

      ¥8.36
    • 30+

      ¥7.29
    • 100+

      ¥6.08
    • 500+

      ¥5.54
    • 1000+

      ¥5.3
  • 有货
  • 适用于汽车和工业应用的高速CAN网络收发器。具有低电磁发射、高ESD鲁棒性和远程唤醒功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.37
    • 10+

      ¥9.44
    • 30+

      ¥8.86
    • 100+

      ¥8.26
    • 500+

      ¥7.99
    • 1000+

      ¥7.87
  • 有货
  • ICE3BR2280JZ(CoolSET®-F3R80)是采用DIP - 7封装的ICE3BRxx65J(CoolSET®-F3R 650V)的增强型800V MOSFET版本。该PWM控制器基于F3R 650V,具备一些新的增强特性
    数据手册
    • 1+

      ¥10.79
    • 10+

      ¥9.23
    • 50+

      ¥7.32
    • 100+

      ¥6.31
    • 500+

      ¥5.86
    • 1000+

      ¥5.66
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。低 EMI。应用:感应烹饪。逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥13.32
    • 10+

      ¥11.36
    • 30+

      ¥10.13
    • 90+

      ¥8.88
    • 510+

      ¥8.31
    • 990+

      ¥8.06
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.64
    • 10+

      ¥12.93
    • 50+

      ¥11.72
    • 100+

      ¥11.29
    • 500+

      ¥11.09
    • 1000+

      ¥11
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 单价:

      ¥15.39 / 个
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.92
    • 10+

      ¥13.88
    • 30+

      ¥11.2
    • 90+

      ¥9.89
    • 510+

      ¥9.3
    • 990+

      ¥9.04
  • 有货
  • BTS7040-2EPA 是一种智能高侧电源开关,提供保护功能和诊断。该设备采用SMART7技术集成。它适用于电阻性、电感性和电容性负载,可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适用于3.5 A负载和高浪涌电流负载,如P27W+R5W灯或等效电子负载(例如LED模块)。该开关具有高侧配置,并嵌入了保护和诊断功能,包括绝对温度限制和动态温度限制、带有智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下检测开路负载、以及对地和电池短路检测。该设备符合汽车应用标准,满足AEC-Q100 1级标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.98
    • 10+

      ¥16.05
    • 30+

      ¥15.51
    • 100+

      ¥4.186 ¥14.95
    • 500+

      ¥4.116 ¥14.7
    • 1000+

      ¥4.0824 ¥14.58
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏的维持、能量回收及通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥19.2
    • 10+

      ¥16.5
    • 30+

      ¥14.9
    • 100+

      ¥13.28
    • 500+

      ¥12.53
  • 有货
  • CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥19.66
    • 10+

      ¥16.76
    • 30+

      ¥15.03
    • 100+

      ¥13.29
    • 500+

      ¥12.49
    • 1000+

      ¥12.12
  • 有货
  • IR43X2集成了2通道PWM控制器和数字音频MOSFET,构成了一个高性能的D类音频放大器。由于经过全面优化的MOSFET与专用控制器IC封装在一起,IR43X2在典型的音乐播放使用场景中无需安装散热片即可运行。控制器IC的高耐压和抗干扰能力确保其在各种环境条件下都能可靠运行
    • 1+

      ¥21.1
    • 10+

      ¥17.91
    • 30+

      ¥16.01
    • 100+

      ¥14.09
    • 500+

      ¥13.21
  • 有货
  • 特性: TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用: 开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥23.2344 ¥36.88
    • 10+

      ¥20.0403 ¥31.81
    • 30+

      ¥18.144 ¥28.8
    • 100+

      ¥16.2225 ¥25.75
    • 500+

      ¥15.3342 ¥24.34
    • 1000+

      ¥14.9373 ¥23.71
  • 有货
  • 特性:650V 发射极控制技术。 关键参数的温度稳定性。 低正向电压 (VF)。 低反向恢复电荷 (Qrr)。 低反向恢复电流 (Irr(m))。 最高结温 175°C。应用:空调。 通用驱动器 (GPD)
    数据手册
    • 1+

      ¥23.8946 ¥32.29
    • 10+

      ¥19.8016 ¥30.94
    • 30+

      ¥16.2594 ¥30.11
    • 90+

      ¥15.8868 ¥29.42
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥26.39
    • 10+

      ¥22.82
    • 30+

      ¥19.71
    • 90+

      ¥17.56
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 超低导通电阻。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥37.4472 ¥52.01
    • 10+

      ¥30.8946 ¥49.83
    • 30+

      ¥25.22 ¥48.5
    • 100+

      ¥24.6376 ¥47.38
  • 有货
  • CIPOsM 模块系列为集成各种电源和控制组件提供了机会,可提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机,适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于功率应用,这类应用需要良好的热传导和电气隔离,同时还需要具备抗电磁干扰的控制和过载保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥53.54
    • 10+

      ¥45.98
    • 28+

      ¥39.41
    • 98+

      ¥35.55
  • 有货
  • 特性:最低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 针对目标应用通过 JEDEC 认证。 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。 TO247 封装中具备全球最佳的 RDSₒₙ。应用:准谐振反激/正激拓扑。 PC 银盒和消费类应用
    数据手册
    • 1+

      ¥75.18
    • 10+

      ¥63.49
    • 30+

      ¥56.37
    • 90+

      ¥50.4
  • 有货
    • 1+

      ¥77.68
    • 10+

      ¥66.26
    • 30+

      ¥59.3
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.424612 ¥0.5587
    • 50+

      ¥0.326568 ¥0.4948
    • 150+

      ¥0.259224 ¥0.4629
    • 500+

      ¥0.24584 ¥0.439
    • 2500+

      ¥0.235144 ¥0.4199
    • 5000+

      ¥0.229768 ¥0.4103
  • 有货
  • RF MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口都可作为分集天线的终端,可处理高达30 dBm的功率。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑,由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过开关的...
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0527
    • 50+

      ¥0.836
    • 150+

      ¥0.7431
    • 500+

      ¥0.6272
    • 2500+

      ¥0.4868
    • 5000+

      ¥0.4559
  • 有货
  • N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.103
    • 50+

      ¥0.9387
    • 150+

      ¥0.8566
  • 有货
  • 特性:低热阻至PCB (< 4.1℃/W)。 低外形 (< 1.2mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准,无铅、无溴、无卤素。 MSL1,消费级认证。应用:高频降压转换器的控制MOSFET
    • 1+

      ¥1.5904 ¥2.24
    • 10+

      ¥1.2078 ¥1.98
    • 30+

      ¥0.9537 ¥1.87
    • 100+

      ¥0.8772 ¥1.72
    • 500+

      ¥0.8466 ¥1.66
    • 1000+

      ¥0.8262 ¥1.62
  • 有货
  • N+P沟道,20V,950mA
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6629
    • 50+

      ¥1.2988
    • 150+

      ¥1.1427
    • 500+

      ¥0.948
    • 3000+

      ¥0.8613
  • 有货
  • 特性:适用于VHF/UHF范围内的混频器应用。 适用于高速开关应用。 无铅(符合RoHS标准)封装。应用:混频器应用。 高速开关应用
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.8
    • 1000+

      ¥1.71
  • 有货
  • P沟道,100V,1A,800mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.32
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.31
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • 特性:优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 卓越的热阻。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 符合 IEC61249-2-21 的无卤要求
    数据手册
    • 1+

      ¥4.412 ¥11.03
    • 10+

      ¥3.048 ¥10.16
    • 30+

      ¥1.924 ¥9.62
    • 100+

      ¥1.814 ¥9.07
    • 500+

      ¥1.764 ¥8.82
    • 1000+

      ¥1.742 ¥8.71
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 扩大源极互连,提高焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.65
    • 100+

      ¥3.4
    • 500+

      ¥3.25
    • 1000+

      ¥3.17
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。增强模式。普通级。通过AEC Q101认证。MSL1,最高峰值回流温度260°C。工作温度175°C。环保产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.48 ¥8.96
    • 10+

      ¥3.304 ¥8.26
    • 30+

      ¥2.346 ¥7.82
    • 100+

      ¥2.211 ¥7.37
    • 500+

      ¥2.151 ¥7.17
    • 1000+

      ¥2.124 ¥7.08
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。 无铅。应用:笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。 网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥3.04
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.66
  • 有货
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