英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD188-B1-W0201 E6327 编号：C51889753

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

5+
￥0.6219
50+
￥0.4977
150+
￥0.4355
500+
￥0.3889
2500+
￥0.3516
5000+
￥0.333

有货

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型号：IRLML2246TRPBF 编号：C127272

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.7189
50+
￥0.5605
150+
￥0.4813
500+
￥0.4219
3000+
￥0.3744

有货

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型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8971
50+
￥0.7195
150+
￥0.6307
500+
￥0.5641

有货

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型号：BFR183E6327HTSA1 编号：C3040063

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于集电极电流从2 mA到30 mA的低噪声、高增益宽带放大器

数据手册

5+
￥1.4788
50+
￥1.2545
150+
￥1.1584
500+
￥1.0385

有货

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型号：BAS140WE6327HTSA1 编号：C151508

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

数据手册

5+
￥1.4986
50+
￥1.1962
150+
￥1.0666
500+
￥0.9049

有货

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型号：IPD70R600P7S 编号：C536869

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥2.19
10+
￥1.91
30+
￥1.78
100+
￥1.63
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：IRF7465TRPBF 编号：C150561

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟 150V 1.9A

数据手册

1+
￥2.5839 ￥2.97
10+
￥2.2881 ￥2.63
30+
￥2.1402 ￥2.46
100+
￥1.9923 ￥2.29
500+
￥1.9053 ￥2.19
1000+
￥1.8531 ￥2.13

有货

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型号：BSP372NH6327 编号：C501499

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.04
30+
￥1.81
100+
￥1.52
500+
￥1.39
1000+
￥1.31

有货

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型号：BSP296NH6327 编号：C3288808

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。符合AEC Q101标准。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.83
10+
￥2.24
30+
￥1.98
100+
￥1.66
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

有货

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型号：IRLHM620TRPBF 编号：C538149

封装：PQFN-8(3.1x3.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻 (RDSon < 2.5mΩ)。低至印刷电路板的热阻 (<3.4℃/W)。低外形 (< 1.0 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴和无卤素。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。二次侧同步整流MOSFET

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.34
30+
￥2.07
100+
￥1.74
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：IRLR2705TRPBF 编号：C538165

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极为高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.69
30+
￥2.43
100+
￥2.11
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

有货

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型号：IRFR7546TRPBF 编号：C114422

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,71A,7.9mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.63
30+
￥2.19
100+
￥1.75
500+
￥1.44
1000+
￥1.3

有货

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型号：IRF9321TRPbF 编号：C54807

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.94
30+
￥2.62
100+
￥2.3
500+
￥1.87

有货

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型号：BSC052N03LS 编号：C534349

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.99
30+
￥2.66
100+
￥2.34
500+
￥1.74
1000+
￥1.64

有货

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型号：BSZ100N06LS3G 编号：C152381

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.04
30+
￥2.7
100+
￥2.36
500+
￥2.16
1000+
￥2.06

有货

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型号：IRF7316TRPBF 编号：C55887

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.75
10+
￥3.01
30+
￥2.7
100+
￥2.31
500+
￥1.94
1000+
￥1.84

有货

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型号：BSC097N06NS 编号：C534397

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.43
30+
￥3.08
100+
￥2.74
500+
￥2.05
1000+
￥1.95

有货

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型号：IRFH5302TRPBF 编号：C148153

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 32A

数据手册

1+
￥5.02
10+
￥4.08
30+
￥3.61
100+
￥3.15
500+
￥2.87
1000+
￥2.73

有货

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型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 31 mΩ)。低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。直流电机逆变器

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.01
30+
￥3.48
100+
￥2.95
500+
￥2.63
1000+
￥2.47

有货

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型号：IPD95R1K2P7 编号：C536916

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.81
30+
￥4.54
100+
￥4.23
500+
￥4.1
1000+
￥4.04

有货

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型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -12V -16A

数据手册

1+
￥5.46
10+
￥4.89
30+
￥4.58
100+
￥4.23
500+
￥4.08
1000+
￥4

有货

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型号：IRF7854TRPBF 编号：C158109

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V

数据手册

1+
￥5.5
10+
￥4.5
30+
￥3.99
100+
￥3.49
500+
￥3.19
1000+
￥3.04

有货

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型号：IRLZ34NPBF 编号：C513144

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.91
50+
￥4.1
100+
￥3.6
500+
￥3.31

有货

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型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

数据手册

1+
￥6.71
10+
￥5.43
30+
￥4.8
100+
￥4.16
500+
￥3.79

有货

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型号：IRFB38N20DPBF 编号：C386377

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 43A

数据手册

1+
￥7.1
10+
￥5.97
50+
￥4.58
100+
￥3.88
500+
￥3.57
1000+
￥3.43

有货

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型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

1+
￥7.16
10+
￥5.9
30+
￥5.21
100+
￥4.43
500+
￥4.08

有货

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型号：BSZ15DC02KDHXTMA1 编号：C3279308

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。共漏极。雪崩额定。工作温度175℃。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61246-21无卤

1+
￥7.5
10+
￥6.26
30+
￥5.57
100+
￥4.8
500+
￥4.46
1000+
￥4.3

有货

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型号：TLS115B0EJ 编号：C3743696

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

OPTIREG™ 线性稳压器 TLS115B0EJ 是一款采用小型 PG-DSO-8 封装的单片集成式低压差电压跟踪稳压器，具有高精度。TLS115B0EJ 旨在为板外系统供电，例如在汽车应用的恶劣条件下，为动力总成管理系统中的传感器供电。TLS115B0EJ 具备防反极性保护功能，以及对地短路和对电池短路保护功能