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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道 250V 44A
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    ¥10.7
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  • 25+

    ¥8.46
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    ¥7.56
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    ¥7.16
  • 1100+

    ¥6.98
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成,提供嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥11.27
    • 10+

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    • 500+

      ¥7
  • 有货
  • BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关,用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术(SPT),允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能,并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.3
    • 10+

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    • 30+

      ¥8.22
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      ¥7.01
    • 500+

      ¥6.46
    • 1000+

      ¥6.22
  • 有货
  • 特性:P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试。 用于反接电池保护
    数据手册
    • 1+

      ¥18.34
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      ¥15.93
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    • 100+

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    • 500+

      ¥12.18
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合,同时在设计过程中易于实施
    数据手册
    • 1+

      ¥18.92
    • 10+

      ¥16.05
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      ¥14.26
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      ¥12.43
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      ¥11.6
    • 1000+

      ¥11.24
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。 无铅负载电镀,符合BalUS标准。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥28.12
    • 10+

      ¥24.14
    • 30+

      ¥21.77
    • 100+

      ¥19.37
  • 有货
  • N 通道垂直功率 MOSFET,采用电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入、诊断反馈和比例负载电流检测,通过 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥30.38
    • 10+

      ¥26.13
    • 30+

      ¥23.6
    • 100+

      ¥21.05
    • 500+

      ¥19.87
    • 1000+

      ¥19.34
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻 RDS(on)。 宽安全工作区 SOA。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥33.3
    • 10+

      ¥28.3
    • 30+

      ¥25.33
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      ¥22.32
    • 500+

      ¥20.93
  • 有货
  • N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V
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    • 1+

      ¥35.09
    • 10+

      ¥29.88
    • 30+

      ¥26.7
    • 100+

      ¥24.04
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术,固有快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 周期性雪崩额定值。 符合JEDEC工业级应用标准。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
    数据手册
    • 1+

      ¥37
    • 10+

      ¥32.43
    • 30+

      ¥26.72
    • 90+

      ¥23.98
    • 480+

      ¥22.71
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      ¥22.14
  • 有货
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      ¥40.79
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      ¥31.14
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      ¥28.08
  • 有货
  • TLE7368器件是一款多功能电源电路,专为使用标准12 V电池的汽车动力总成系统而设计。该器件旨在为下一代32位微控制器系列(13 μm光刻工艺)供电并进行监控,这些微控制器需要5 V、3.3 V或1.5/1.2/1.3 V等电压。该稳压器沿用了其前代产品TLE6368/SONIC的设计理念,预稳压器的输出为微控制器线性电源的输入供电。具体而言,TLE7368将降压转换器与线性稳压器和电压跟随器级联,以实现最低的功耗。这种配置即使在高环境温度下也能为应用供电。降压转换器提供5.5 V的预稳压电压,最小峰值电流能力为2.5 A。由该降压转换器供电的两个低压差线性后置稳压器可高精度地提供5 V和3.3 V(2.6 V)电压。稳压器的电流能力分别为800 mA和700 mA。3.3 V(2.6 V)线性稳压器有独立的输入,必要时可从降压输出端接入降压电阻,以降低芯片上的功耗。出于同样的降低芯片功耗的原因,核心电源(1.5 V、1.2 V或1.3 V)采用集成控制电路与外部功率级相结合的设计理念。按照上述方式实现板载和微控制器电源,即使在高环境温度下也能正常工作。稳压器系统包含所谓的电源排序功能,可对三个输出电压进行受控上电排序。除主稳压器外,两个电压跟踪器的输入连接到5.5 V降压转换器的输出电压。其受保护的输出可高精度地跟随主5 V线性稳压器,能够驱动50 mA和105 mA的负载。为监控每个线性稳压器的输出电压水平,设有两个独立的欠压检测电路。这些电路可用于实现复位或中断功能。出于节能考虑,例如在发动机熄火时,TLE7368提供待机模式。待机模式可通过电池或微控制器启用和禁用。在这种待机模式下,只有待机稳压器保持工作,从电池汲取的电流降至最低,以延长电池使用寿命。选择引脚可根据应用需求配置待机稳压器的输出电压。待机稳压器的输入与预/后置稳压器系统的高功率输入相互隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.32
    • 10+

      ¥42.09
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      ¥38.98
    • 100+

      ¥35.84
  • 有货
  • 特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 98 A at Tc = 25℃。 RDSS(on) = 19 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥79.34
    • 10+

      ¥75.39
    • 30+

      ¥68.56
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道;逻辑电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定值。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥1.58
    • 10+

      ¥1.38
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      ¥1.29
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      ¥1.19
    • 500+

      ¥1.14
    • 1000+

      ¥1.11
  • 有货
  • 适用于开关电路、逆变器电路、驱动电路,内置偏置电阻(R₁ = 1kΩ,R₂ = 10kΩ),无铅(符合RoHS标准)封装,符合AEC Q101标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6526
    • 50+

      ¥1.2846
    • 150+

      ¥1.127
  • 有货
  • 特性:快速开关MOSFET,适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。N沟道;逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥2.601 ¥5.1
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      ¥1.8696 ¥4.56
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      ¥1.333 ¥4.3
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      ¥1.2493 ¥4.03
    • 500+

      ¥1.1997 ¥3.87
    • 1000+

      ¥1.1749 ¥3.79
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台,适用于对成本敏感的消费市场应用,如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点,结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.9
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.66
  • 有货
  • N沟道,55V,64A,14mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.61
    • 50+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.57
  • 有货
  • N沟道 100V 16A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.29
    • 10+

      ¥2.62
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥1.97
    • 500+

      ¥1.81
    • 1000+

      ¥1.71
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.92
    • 500+

      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.59
    • 10+

      ¥2.9
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.23
    • 500+

      ¥1.57
  • 有货
  • 适用于天线和电信系统中的低噪声、低失真宽带放大器,工作频率高达1.5 GHz,集电极电流范围为10 mA至70 mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.72
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.02
  • 有货
  • 特性:针对直流-直流转换进行优化。 N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.13
    • 10+

      ¥3.67
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.84
  • 有货
  • N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥3.6
    • 30+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.33
  • 有货
  • N沟道,55V,44A,27mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.47
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.27
    • 1000+

      ¥2.15
  • 有货
  • 最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆,将一流的性能与最先进的易用性相结合。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.62
    • 10+

      ¥4.08
    • 30+

      ¥3.81
    • 100+

      ¥3.54
    • 500+

      ¥3.38
    • 1000+

      ¥3.3
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥3.79
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.53
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • 特性:N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1,最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.0375 ¥7.75
    • 10+

      ¥3.8775 ¥7.05
    • 30+

      ¥2.997 ¥6.66
    • 100+

      ¥2.8035 ¥6.23
    • 500+

      ¥2.7135 ¥6.03
    • 1000+

      ¥2.6775 ¥5.95
  • 有货
  • N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.1
    • 500+

      ¥2.8
    • 1000+

      ¥2.65
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.93
    • 10+

      ¥4.77
    • 50+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.5378 ¥3.61
    • 500+

      ¥3.2046 ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.0282 ¥3.09
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