英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BFR193E6327HTSA1 编号：C513261

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

用于低噪声、高达 2 GHz 的高增益放大器；用于线性宽带放大器

数据手册

5+
￥1.5981
50+
￥1.2705
150+
￥1.1301
500+
￥0.9549

有货

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型号：BFR106E6327 编号：C439780

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高线性度低噪声。 900 MHz、8 V、70 mA 条件下，OP1dB 为 22 dBm，OIP3 为 31 dBm。集电极设计支持 5 V 电源电压。无铅（符合 RoHS 标准）封装。可提供根据 AEC-Q101 的认证报告。应用：UHF / VHF 应用。多级放大器驱动

数据手册

5+
￥1.9455
50+
￥1.5423
150+
￥1.3695
500+
￥1.1539

有货

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型号：IRFL014NTRPBF 编号：C57685

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.37
30+
￥2.1
100+
￥1.78
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

有货

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型号：BSP322PH6327 编号：C151487

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,100V,1A,800mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.9
500+
￥1.63
1000+
￥1.53

有货

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型号：IPA65R650CE 编号：C94636

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌650V CoolMOS，10N65，Id=10A，10A650V

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.73
50+
￥2.27
100+
￥1.95
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

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型号：BSC0901NS 编号：C152424

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.89
500+
￥1.71
1000+
￥1.6

有货

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型号：IPD70R600P7S 编号：C536869

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.73
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

有货

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.1
30+
￥2.94
100+
￥2.77
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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型号：BSC052N03LS 编号：C534349

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.68
10+
￥3.03
30+
￥2.71
100+
￥2.39
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

有货

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型号：BSC054N04NSG 编号：C501505

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3.27
30+
￥3.06
100+
￥2.84
500+
￥2.71
1000+
￥2.64

有货

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型号：IRLR2905ZTRPBF 编号：C68209

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.17
10+
￥3.27
30+
￥2.89
100+
￥2.41
500+
￥2.2
1000+
￥2.07

有货

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型号：IRFH5302TRPBF 编号：C148153

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 30V 32A

数据手册

1+
￥4.24
10+
￥3.32
30+
￥2.86
100+
￥2.4
500+
￥2.13
1000+
￥1.99

有货

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型号：IRF7493TRPBF 编号：C13914

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,9.3A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.41
30+
￥2.97
100+
￥2.54
500+
￥2.28
1000+
￥2.14

有货

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型号：BAT15-099R 编号：C4468492

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高达12 GHz的DBS混频器应用、鉴相器和调制器。

1+
￥4.51
10+
￥3.66
30+
￥3.23
100+
￥2.81
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：IRFH5301TRPBF 编号：C82057

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,100A,1.85mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.65
10+
￥3.87
30+
￥3.48
100+
￥3.09
500+
￥2.65
1000+
￥2.53

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型号：IRF7842TRPBF 编号：C495809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻：在4.5V栅源电压下。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。隔离式DC-DC转换器的二次同步整流

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.08
30+
￥3.56
100+
￥3.04
500+
￥2.73
1000+
￥2.57

有货

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型号：BSC059N04LS6 编号：C534356

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤。额定温度175℃

数据手册

1+
￥5.26
10+
￥4.3
30+
￥3.82
100+
￥3.34
500+
￥3.05
1000+
￥2.9

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型号：TLE42744DV50 编号：C118977

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款单片集成低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压被调节为 VQ,nom = 5V / 3.3V，精度为 ±2%。该器件专为汽车应用的恶劣环境而设计，通过内置的输出电流限制和过温关断电路，可防止过载、短路和过温情况。也可用于所有其他需要稳定 5V / 3.3V 电压的应用。由于其极低的静态电流，适用于永久连接到 VBAT 的应用。

数据手册

1+
￥5.52
10+
￥4.5
30+
￥3.99
100+
￥3.49
500+
￥2.99
1000+
￥2.84

有货

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型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.77
50+
￥3.56
100+
￥3.15
500+
￥2.9

有货

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型号：IPD096N08N3GATMA1 编号：C3279028

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.73
10+
￥4.65
30+
￥4.11
100+
￥3.57
500+
￥3.25

有货

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型号：BSC060P03NS3EGATMA1 编号：C3278657

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用：电池管理。负载开关

1+
￥5.78
10+
￥4.7
30+
￥4.17
100+
￥3.63
500+
￥3.32
1000+
￥3.15

有货

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型号：BSC019N04NS G 编号：C534303

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行了优化。根据JEDEC标准进行目标应用认证。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.21
30+
￥4.68
100+
￥3.72
500+
￥3.4
1000+
￥3.24

有货

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型号：BSC039N06NS 编号：C534330

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.43
10+
￥5.15
30+
￥4.51
100+
￥3.87
500+
￥3.35

有货

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

数据手册

1+
￥7.9
10+
￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

有货

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型号：BTT6050-1EKA 编号：C534867

封装：DSO-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥8.6416 ￥19.64
10+
￥6.358 ￥18.7
30+
￥4.3536 ￥18.14
100+
￥4.2192 ￥17.58
500+
￥4.1568 ￥17.32
1000+
￥4.128 ￥17.2

有货

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型号：BSC004NE2LS5 编号：C534273

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对或运算应用进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.67
10+
￥7.2
30+
￥6.4
100+
￥5.48
500+
￥5.08
1000+
￥4.9

有货

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型号：BTS5016-1EKB 编号：C534803

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016 - 1EKB是一款导通电阻为16 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥8.982 ￥14.97
10+
￥6.89 ￥13.78
30+
￥5.216 ￥13.04
100+
￥4.908 ￥12.27
500+
￥4.772 ￥11.93
1000+
￥4.712 ￥11.78

有货

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型号：IRF5305STRLPBF 编号：C41224

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥9.02
10+
￥7.66
30+
￥6.92
100+
￥6.07
500+
￥4.39

有货

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型号：IRF3808PBF 编号：C2618

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,140A,7mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.98
10+
￥8.44
30+
￥7.59
100+
￥5.44
500+
￥5.01
1000+
￥4.82

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.2475 ￥7.35
100+
￥5.3465 ￥6.29
500+
￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

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