英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-3

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥16.27
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￥13.65
50+
￥12
100+
￥10.32
500+
￥9.56

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型号：BTT6010-1ERA 编号：C534858

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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￥19.71
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￥16.82
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￥15.02
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￥11.97

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型号：SPW47N60C3 编号：C44647

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,650V,47A,70mΩ@10V

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￥21.25
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￥18.3
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￥14.12
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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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1+
￥21.79
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￥18.76
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￥15.14

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型号：TLF35584QVVS2XUMA2 编号：C672220

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是高效的功能安全电源管理集成电路（PMIC）。

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￥24.07
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￥20.41
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￥18.23
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￥16.03
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￥15.02
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￥14.56

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型号：BTS716G 编号：C85135

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥28.51
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￥24.16
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￥21.58
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型号：IKCM30F60GA 编号：C491346

封装：MDIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOs™ 模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于电源应用，这类应用需要良好的热传导和电气隔离，同时也需要具备抗电磁干扰控制和过载保护功能

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1+
￥75.52
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￥67.31
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￥61.39
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￥56.23

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型号：IMW120R030M1H 编号：C536280

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。宽栅源电压范围。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

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1+
￥83.38
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￥76.85
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型号：BSS123NH6327 编号：C5205497

封装：TO-236-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素

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￥0.2749
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￥0.2191
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￥0.1912
3000+
￥0.161785 ￥0.1703
6000+
￥0.14592 ￥0.1536
9000+
￥0.13794 ￥0.1452

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型号：BFP740H6327 编号：C439776

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)

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5+
￥1.6612
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￥1.3087
150+
￥1.1577
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￥0.9692

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型号：IRF7105TRPBF 编号：C94064

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择

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1+
￥2.67
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￥2.16
30+
￥1.94
100+
￥1.66
500+
￥1.32
1000+
￥1.25

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型号：IRFU9024NPBF 编号：C163645

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

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1+
￥2.72
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￥2.16
30+
￥1.92
75+
￥1.38
525+
￥1.25
975+
￥1.17

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型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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1+
￥2.96
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￥2.31
30+
￥2.03
100+
￥1.69
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

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型号：IPP050N10NF2S 编号：C5149848

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

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5+
￥3.0146
50+
￥2.5135
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￥2.2987
500+
￥2.0307

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型号：IPD068P03L3G 编号：C151546

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

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1+
￥3.2
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￥2.83
30+
￥2.65
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￥2.47
500+
￥2.36
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￥2.3

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型号：IRFL014NTRPBF 编号：C57685

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V

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1+
￥3.21
10+
￥2.55
30+
￥2.26
100+
￥1.91
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：IRFHM9331TRPBF 编号：C148156

封装：PQFN3x3-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -30V -11A

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1+
￥3.32
10+
￥2.64
30+
￥2.35
100+
￥1.99
500+
￥1.82
1000+
￥1.73

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型号：BSC070N10NS5 编号：C534364

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥3.38
10+
￥2.7
30+
￥2.41
100+
￥1.76
500+
￥1.6

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型号：IRFB7446PBF 编号：C386379

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 120A

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1+
￥3.39
10+
￥2.65
30+
￥2.33
100+
￥1.93
500+
￥1.76
1000+
￥1.65

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型号：BSL207SP H6327 编号：C520636

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150℃。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥3.7012 ￥4.87
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￥3.0704 ￥4.04
30+
￥2.7512 ￥3.62
100+
￥2.432 ￥3.2
500+
￥2.242 ￥2.95
1000+
￥2.1508 ￥2.83

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型号：BSC054N04NSG 编号：C501505

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥3.71
10+
￥3.27
30+
￥3.06
100+
￥2.84
500+
￥2.71
1000+
￥2.64

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型号：BSC100N06LS3G 编号：C72767

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

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1+
￥3.84
10+
￥3.14
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.94
1000+
￥1.83

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型号：BSZ22DN20NS3GATMA1 编号：C534716

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.83
30+
￥3.6
100+
￥3.37
500+
￥3.08
1000+
￥3

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型号：IRF7842TRPBF 编号：C495809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻：在4.5V栅源电压下。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。应用：笔记本处理器电源同步MOSFET。隔离式DC-DC转换器的二次同步整流

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1+
￥4.36
10+
￥3.47
30+
￥3.03
100+
￥2.58
500+
￥2.32
1000+
￥2.19

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型号：BSC050N04LS G 编号：C534347

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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