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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥3.97
  • 10+

    ¥3.59
  • 30+

    ¥3.4
  • 100+

    ¥2.52
  • 500+

    ¥2.41
  • 1000+

    ¥2.35
  • 有货
  • N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.61
    • 10+

      ¥3.67
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.73
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.3
  • 有货
  • ICE2PCS02/G是一款用于有源功率因数校正转换器的8引脚宽输入范围控制IC。它专为升压拓扑结构的转换器设计,所需外部元件极少。建议通过外部辅助电源为该IC供电,该辅助电源可控制IC的开关。该IC采用平均电流控制,在连续导通模式(CCM)下工作,仅在轻载条件下以不连续导通模式(DCM)工作。开关频率经过微调,内部固定为65kHz。电流和电压环路补偿均在外部完成,方便用户进行全面控制。该IC集成了多种保护功能,以确保系统运行条件安全。内部基准电压经过微调(3V±2%),以确保精确的保护和输出控制水平。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.71
    • 10+

      ¥3.83
    • 30+

      ¥3.39
    • 100+

      ¥2.95
    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,55V,169A,5.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.93
    • 50+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.82
    • 10+

      ¥3.95
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on),在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥2.96
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.39
  • 有货
  • N沟道 60V 56A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.01
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.51
    • 100+

      ¥3.02
    • 500+

      ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.57
  • 有货
  • 特性:优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。卓越的热阻。N 沟道,正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.86
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • 特性:N通道。 增强模式。 AEC合格。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3079 ¥13.61
    • 10+

      ¥3.6366 ¥12.54
    • 30+

      ¥2.2572 ¥11.88
    • 100+

      ¥2.1261 ¥11.19
    • 500+

      ¥2.0672 ¥10.88
    • 1000+

      ¥2.0425 ¥10.75
  • 有货
  • N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.43
    • 30+

      ¥3.92
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.96
  • 有货
  • 特性:针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。 额定温度为 175℃
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.16
    • 100+

      ¥3.62
    • 500+

      ¥3.3
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • P沟道 -40V -50A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.46
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • 是一款单片集成低压差稳压器,适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压被调节为 VQ,nom = 5V / 3.3V,精度为 ±2%。该器件专为汽车应用的恶劣环境而设计,通过内置的输出电流限制和过温关断电路,可防止过载、短路和过温情况。也可用于所有其他需要稳定 5V / 3.3V 电压的应用。由于其极低的静态电流,适用于永久连接到 VBAT 的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥5.16
    • 100+

      ¥4.31
    • 500+

      ¥4.15
    • 1000+

      ¥4.08
  • 有货
  • N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.74
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on),VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.68
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.34
    • 500+

      ¥4.04
    • 1000+

      ¥3.9
  • 有货
  • P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.63
    • 10+

      ¥6.39
    • 30+

      ¥5.77
    • 100+

      ¥5.15
    • 500+

      ¥4.26
    • 800+

      ¥4.07
  • 有货
  • N沟道 40V 240A
    数据手册
    • 1+

      ¥8.88
    • 10+

      ¥7.48
    • 30+

      ¥6.71
    • 100+

      ¥5.23
    • 500+

      ¥4.84
    • 800+

      ¥4.67
  • 有货
  • P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.07
    • 10+

      ¥7.45
    • 30+

      ¥6.55
    • 100+

      ¥5.54
    • 500+

      ¥5.09
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度为175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥9.49
    • 10+

      ¥8.67
    • 30+

      ¥8.16
    • 100+

      ¥7.64
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥9.66
    • 10+

      ¥8.03
    • 30+

      ¥7.14
    • 100+

      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.68
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用:高直流母线电压的工业应用。开关应用(如有源钳位正激)
    数据手册
    • 1+

      ¥9.72
    • 10+

      ¥8.07
    • 30+

      ¥7.16
    • 100+

      ¥5.55
    • 500+

      ¥5.09
    • 1000+

      ¥4.88
  • 有货
  • 特性:新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥10.01
    • 10+

      ¥8.34
    • 30+

      ¥7.42
    • 90+

      ¥6.38
    • 510+

      ¥5.92
    • 990+

      ¥5.71
  • 有货
  • BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥10.2128 ¥19.64
    • 10+

      ¥7.854 ¥18.7
    • 30+

      ¥5.8048 ¥18.14
    • 100+

      ¥5.6256 ¥17.58
    • 500+

      ¥5.5424 ¥17.32
    • 1000+

      ¥5.504 ¥17.2
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。 无铅;符合RoHS标准;无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.54
    • 10+

      ¥8.97
    • 30+

      ¥8.1
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥5.8
    • 800+

      ¥5.6
  • 有货
  • BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关,用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术(SPT),允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能,并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.59
    • 10+

      ¥8.92
    • 30+

      ¥7.87
    • 100+

      ¥6.8
    • 500+

      ¥6.32
    • 1000+

      ¥6.11
  • 有货
  • 特性:无
    数据手册
    • 单价:

      ¥10.7 / 个
  • 有货
  • 特性:新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)(TO 220封装)。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31:完全隔离封装(2500 VAC;1分钟)。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥10.76
    • 10+

      ¥9.08
    • 50+

      ¥7.43
    • 100+

      ¥6.39
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=30A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.6
    • 10+

      ¥11.74
    • 30+

      ¥8.92
    • 90+

      ¥7.72
    • 480+

      ¥7.18
    • 960+

      ¥6.94
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.8
    • 10+

      ¥12.61
    • 30+

      ¥11.87
    • 90+

      ¥11.11
    • 510+

      ¥10.76
    • 990+

      ¥10.61
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥16.27
    • 10+

      ¥13.65
    • 50+

      ¥12
    • 100+

      ¥10.32
    • 500+

      ¥9.56
  • 有货
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