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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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1个N沟道 耐压:40V 电流:557A
型号：IRL40SC228 编号：C538127
封装：D2PAK-7
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    ￥11.82

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：IRF540NSTRRPBF 编号：C537773
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片
    数据手册

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    650V 80A
    型号：IKW50N65F5 编号：C536219
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反向并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源
    数据手册

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    适用于汽车应用的带LIN和功率开关的微控制器
    型号：TLE9842QX 编号：C540171
    封装：VQFN-48-EP(7x7)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：32位ARM Cortex-M0内核，最高25 MHz时钟频率，单周期每机器周期架构，单周期乘法器。 片上内存: -36 KB闪存（包括EEPROM）。 -4 KB EEPROM（在闪存中模拟）。 -768字节100时间可编程内存（100TP）
    数据手册

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      ￥14.9723 ￥20.51

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    TRENCHSTOP 5高速软开关IGBT，配备全电流额定RAPID 1二极管
    型号：IKW50N65ES5 编号：C454257
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:426A
    型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

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    耐压:1.2kV 电流:15A
    型号：IKW15N120H3 编号：C879991
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

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      ￥18.84

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:17.5A
    型号：IPB65R190CFDATMA2 编号：C6639839
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    智能高端功率开关
    型号：BTS711L1XUMA1 编号：C2680333
    封装：SOIC-20-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：BSS816NWH6327 编号：C2939944
    封装：SOT-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 超逻辑电平（额定1.8V）。 雪崩额定值。 根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
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    70V 140mA
    型号：BGX50AE6327 编号：C74966
    封装：SOT-143
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：桥接配置。 高速开关二极管芯片。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证
    数据手册

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      ￥0.901648 ￥1.0246
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
    型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对直流-直流转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

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      ￥2.81

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    1个N沟道 耐压:20V
    型号：IRLHM620TRPBF 编号：C538149
    封装：PQFN-8(3.1x3.1)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低导通电阻 (RDSon < 2.5mΩ)。 低至印刷电路板的热阻 (<3.4℃/W)。 低外形 (< 1.0 mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴和无卤素。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。 二次侧同步整流MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥3.16

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    硅基单片微波集成电路放大器
    型号：BGA427H6327 编号：C5577371
    封装：SOT-343-3D
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：可级联50Ω增益模块。 无条件稳定。 增益|S₂₁|²：在1.8 GHz时为18.5 dB（应用1），在1.8 GHz时为22 dB（应用2）。 输出功率P₃ₒᵤₜ：在1.8 GHz、Vᴅ = 3V、Iᴅ = 9.4mA时为+7 dBm。 噪声系数NF：在1.8 GHz时为2.2 dB。 典型器件电压Vᴅ：2V至5V。 反向隔离度>35 dB（应用2）。 无铅（符合RoHS标准）封装

    • 1+

      ￥3.4

    • 10+

      ￥2.77

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
    型号：BSL606SNH6327XTSA1 编号：C3279330
    封装：TSOP-6-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；无卤；符合RoHS标准

    • 1+

      ￥3.47

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      ￥2.73

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      ￥1.76

    • 1000+

      ￥1.65
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    单向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
    型号：TVS3V3L4UE6327HTSA1 编号：C132185
    封装：SC-74
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：ESD/瞬态/浪涌保护符合：IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV空气/接触放电。IEC61000-4-4（EFT）：±80 A（5/50 ns）。IEC61000-4-5（浪涌）：±20 A（8/20 μs）。应用：10/100/1000以太网
    数据手册

    • 1+

      ￥3.87

    • 10+

      ￥3.14

    • 30+

      ￥2.77

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      ￥2.08
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A 2.3A
    型号：IRF9952TRPBF 编号：C513186
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥3.88

    • 10+

      ￥3.19

    • 30+

      ￥2.84

    • 100+

      ￥2.5

    • 500+

      ￥2

    • 1000+

      ￥1.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：IRF8734TRPBF 编号：C169759
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。 无铅。应用：笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。 网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥4.36

    • 10+

      ￥3.49

    • 30+

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    • 500+

      ￥2.38

    • 1000+

      ￥2.24
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
    型号：IRF3205ZSTRLPBF 编号：C459959
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度以及改进的重复雪崩/降额性能。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.36

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      ￥3.58

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      ￥2.24

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      ￥2.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:120V 电流:75A
    型号：IPD110N12N3 G 编号：C536732
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥4.69

    • 10+

      ￥4.17

    • 30+

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      ￥3.24
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:336A
    型号：IRFH5300TRPBF 编号：C2763849
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低RDSon (<1.4 mΩ)。 对PCB的低热阻 (< 0.5℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (< 0.9mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型）总线浪涌电流。 电池供电的直流电机逆变器MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥4.7277 ￥9.27

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      ￥3.1775 ￥7.75

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      ￥1.8507 ￥5.97

    • 500+

      ￥1.7205 ￥5.55

    • 1000+

      ￥1.6616 ￥5.36
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：BSC067N06LS3G 编号：C24199
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.83

    • 10+

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      ￥3.13

    • 500+

      ￥2.69

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      ￥2.56
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:55A
    型号：BSC123N08NS3G 编号：C412732
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥5.21

    • 10+

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      ￥3.82

    • 100+

      ￥3.36

    • 500+

      ￥3.09
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:33A
    型号：IRFR4615TRLPBF 编号：C148159
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 150V 33A
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    耐压:100V 电流:40A
    型号：BSC252N10NSF G 编号：C534427
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:192A
    型号：IRF100B201 编号：C152185
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V
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    5V 450mA 42V
    型号：TLE42754G 编号：C80427
    封装：TO-263-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款采用5引脚TO封装的单片集成低压差电压调节器，专为汽车应用而设计。可将高达42V的输入电压调节为5.0V的输出电压，能够驱动高达450mA的负载。通过内置的电流限制实现短路保护，并具有集成的过温关断功能。当输出电压VQ,rt 典型值为4.65V时，会生成复位信号。上电复位延迟时间可通过外部延迟电容进行编程。
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    耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC011N03LSI 编号：C534283
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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    智能低端功率开关
    型号：BTS3035EJ 编号：C534752
    封装：TDSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS3035EJ是一款导通电阻为35 mΩ的单通道智能低边功率开关，采用PG - TDSO8 - 31封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成，该器件为单片集成式。BTS3035EJ符合汽车级标准，针对12 V汽车应用进行了优化
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:3.7A
    型号：IRF7820TRPBF 编号：C537832
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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