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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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特性:低RDSon (<1.4 mΩ)。 对PCB的低热阻 (< 0.5℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (< 0.9mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。应用:OR-ing MOSFET用于12V(典型)总线浪涌电流。 电池供电的直流电机逆变器MOSFET
数据手册
  • 1+

    ¥5.3766 ¥9.27
  • 10+

    ¥3.72 ¥7.75
  • 30+

    ¥2.6258 ¥6.91
  • 100+

    ¥2.2686 ¥5.97
  • 500+

    ¥2.109 ¥5.55
  • 1000+

    ¥2.0368 ¥5.36
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括:175°C的结工作温度、低ReJC、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效且可靠的器件,可广泛应用于各种领域
    数据手册
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.41
    • 30+

      ¥3.89
    • 100+

      ¥3.38
    • 500+

      ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.92
  • 有货
  • 单线LIN收发器,传输速率高达20 kbps,符合ISO17987-4和LIN规范2.2A,睡眠模式下功耗极低,具有唤醒功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.47
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.06
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • N沟道,150V,21A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.81
    • 10+

      ¥4.61
    • 30+

      ¥4.01
    • 100+

      ¥3.42
    • 500+

      ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.88
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.68
    • 500+

      ¥3.34
    • 1000+

      ¥3.16
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.41
    • 10+

      ¥5.12
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.84
    • 500+

      ¥3.32
    • 1000+

      ¥3.12
  • 有货
  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

      ¥5.59
    • 30+

      ¥4.9
    • 100+

      ¥4.21
    • 500+

      ¥3.64
    • 1000+

      ¥3.43
  • 有货
  • 该产品是智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.17
    • 10+

      ¥6.72
    • 30+

      ¥5.92
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.62
    • 1000+

      ¥4.44
  • 有货
  • N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.58
    • 10+

      ¥8.1
    • 25+

      ¥6.57
    • 100+

      ¥5.66
    • 500+

      ¥5.25
    • 1000+

      ¥5.07
  • 有货
  • IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器,具有浮动PWM输入,专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况,无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置,以获得更好的音频性能,如更低的总谐波失真(THD)和更低的音频本底噪声。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.67
    • 10+

      ¥9.92
    • 30+

      ¥8.83
    • 100+

      ¥6.68
    • 500+

      ¥6.17
    • 1000+

      ¥5.95
  • 有货
  • 采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT,配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥12.77
    • 10+

      ¥11.77
    • 30+

      ¥9.91
    • 90+

      ¥9.28
    • 480+

      ¥8.99
    • 960+

      ¥8.86
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
    数据手册
    • 1+

      ¥15.09
    • 10+

      ¥12.98
    • 30+

      ¥11.66
    • 100+

      ¥9.89
    • 500+

      ¥9.28
  • 有货
  • N沟道,200V,94A,23mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥15.48
    • 10+

      ¥12.97
    • 25+

      ¥11.4
    • 100+

      ¥9.79
    • 525+

      ¥9.07
    • 1050+

      ¥8.75
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压,与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt,用于电磁干扰优化。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
    • 1+

      ¥20.24
    • 10+

      ¥17.26
    • 30+

      ¥15.39
    • 100+

      ¥12.24
  • 有货
  • N沟道,300V,16A,130mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.03
    • 10+

      ¥19.63
    • 30+

      ¥17.62
    • 100+

      ¥15.57
    • 500+

      ¥14.63
    • 1000+

      ¥14.21
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥32.02
    • 10+

      ¥27.52
    • 30+

      ¥24.85
    • 100+

      ¥22.14
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    • 1+

      ¥33.22
    • 10+

      ¥28.54
    • 30+

      ¥25.7
    • 90+

      ¥23.31
  • 有货
  • TLE7368器件是一款多功能电源电路,专为使用标准12 V电池的汽车动力总成系统而设计。该器件旨在为下一代32位微控制器系列(13 μm光刻工艺)供电并进行监控,这些微控制器需要5 V、3.3 V或1.5/1.2/1.3 V等电压。该稳压器沿用了其前代产品TLE6368/SONIC的设计理念,预稳压器的输出为微控制器线性电源的输入供电。具体而言,TLE7368将降压转换器与线性稳压器和电压跟随器级联,以实现最低的功耗。这种配置即使在高环境温度下也能为应用供电。降压转换器提供5.5 V的预稳压电压,最小峰值电流能力为2.5 A。由该降压转换器供电的两个低压差线性后置稳压器可高精度地提供5 V和3.3 V(2.6 V)电压。稳压器的电流能力分别为800 mA和700 mA。3.3 V(2.6 V)线性稳压器有独立的输入,必要时可从降压输出端接入降压电阻,以降低芯片上的功耗。出于同样的降低芯片功耗的原因,核心电源(1.5 V、1.2 V或1.3 V)采用集成控制电路与外部功率级相结合的设计理念。按照上述方式实现板载和微控制器电源,即使在高环境温度下也能正常工作。稳压器系统包含所谓的电源排序功能,可对三个输出电压进行受控上电排序。除主稳压器外,两个电压跟踪器的输入连接到5.5 V降压转换器的输出电压。其受保护的输出可高精度地跟随主5 V线性稳压器,能够驱动50 mA和105 mA的负载。为监控每个线性稳压器的输出电压水平,设有两个独立的欠压检测电路。这些电路可用于实现复位或中断功能。出于节能考虑,例如在发动机熄火时,TLE7368提供待机模式。待机模式可通过电池或微控制器启用和禁用。在这种待机模式下,只有待机稳压器保持工作,从电池汲取的电流降至最低,以延长电池使用寿命。选择引脚可根据应用需求配置待机稳压器的输出电压。待机稳压器的输入与预/后置稳压器系统的高功率输入相互隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.25
    • 10+

      ¥29.02
    • 30+

      ¥25.92
    • 100+

      ¥22.78
    • 500+

      ¥21.33
  • 有货
    • 1+

      ¥64.89
    • 10+

      ¥55.51
    • 30+

      ¥49.8
    • 100+

      ¥45
  • 有货
  • P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8387
    • 50+

      ¥0.6721
    • 150+

      ¥0.5887
    • 500+

      ¥0.5263
    • 3000+

      ¥0.4763
  • 有货
  • N沟道,25V,5.8A,24mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.997
    • 50+

      ¥0.7834
    • 150+

      ¥0.6919
    • 500+

      ¥0.5777
    • 3000+

      ¥0.4821
  • 有货
  • N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5959
    • 50+

      ¥1.2629
    • 150+

      ¥1.1791
    • 500+

      ¥1.0745
    • 2000+

      ¥1.028
  • 有货
  • 特性:适合做为特性的文本需在标题为“特性/特点/主要特点”“# 特性/# 特点/# 主要特点”的段落中提取,文档中虽目录提及“Features”,但未给出对应内容,所以无。应用:适合做为应用的文本需在标题为“应用/应用领域/APPLICATIONS”的段落中提取,文档中虽目录提及“Applications”,但未给出对应内容,所以无。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9702
    • 50+

      ¥1.5299
    • 150+

      ¥1.3412
    • 500+

      ¥1.1057
    • 3000+

      ¥1.0009
    • 6000+

      ¥0.938
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的处理技术,在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进,以增强热特性和多芯片能力,使其非常适合各种功率应用。通过这些改进,多个器件可在应用中使用,显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.12
    • 10+

      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.46
  • 有货
  • 用于极性无关、反极性保护和低损耗桥式整流的小型二极管四阵列,正向电压非常低,开关速度快。
    • 5+

      ¥2.2884
    • 50+

      ¥1.8151
    • 150+

      ¥1.6122
    • 500+

      ¥1.3592
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.76
    • 10+

      ¥2.15
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.57
    • 500+

      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.34
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,65mΩ@10V,75/管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.13
    • 75+

      ¥1.63
    • 525+

      ¥1.47
    • 975+

      ¥1.38
  • 有货
  • 英飞凌650V CoolMOS,10N65,Id=10A,10A650V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.73
    • 50+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥1.95
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.44
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
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