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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道 60V 12A
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  • 1+

    ¥6.16
  • 10+

    ¥5.15
  • 30+

    ¥4.64
  • 100+

    ¥4.14
  • 500+

    ¥3.84
  • 1000+

    ¥3.69
  • 有货
  • 新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于电池和负载管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.57
    • 10+

      ¥5.42
    • 30+

      ¥4.78
    • 100+

      ¥4.07
    • 500+

      ¥3.75
    • 1000+

      ¥3.61
  • 有货
  • N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.62
    • 25+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.7
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      ¥3.37
    • 800+

      ¥3.19
  • 有货
  • N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
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    • 1+

      ¥7.14
    • 10+

      ¥5.87
    • 30+

      ¥5.24
    • 100+

      ¥4.62
    • 500+

      ¥3.87
    • 800+

      ¥3.67
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥9.79
    • 10+

      ¥8.06
    • 30+

      ¥7.11
    • 100+

      ¥6.03
    • 500+

      ¥5.55
    • 1000+

      ¥5.33
  • 有货
  • N沟道 250V 44A
    数据手册
    • 1+

      ¥10.7
    • 10+

      ¥9.25
    • 25+

      ¥8.46
    • 100+

      ¥7.56
    • 550+

      ¥7.16
    • 1100+

      ¥6.98
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成,提供嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥10.8
    • 10+

      ¥9.05
    • 30+

      ¥8.09
    • 100+

      ¥7.01
    • 500+

      ¥6.53
    • 1000+

      ¥6.31
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 快速二极管 (FD),降低 Qm。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥11.29
    • 10+

      ¥10.32
    • 30+

      ¥9.71
    • 100+

      ¥9.09
    • 500+

      ¥8.81
    • 1000+

      ¥8.68
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥11.3
    • 10+

      ¥9.66
    • 30+

      ¥8.63
    • 100+

      ¥7.57
    • 500+

      ¥7.09
    • 1000+

      ¥6.89
  • 有货
  • 先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥12.57
    • 10+

      ¥10.88
    • 30+

      ¥9.83
    • 100+

      ¥8.75
    • 500+

      ¥7.42
  • 有货
  • 是一个具有集成驱动器和电平转换器的2.5 A半桥。它还在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成,以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。该器件集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑,并确保其在指定范围内的电源电压下运行。
    • 1+

      ¥14.97
    • 10+

      ¥12.56
    • 30+

      ¥11.05
    • 100+

      ¥9.5
    • 500+

      ¥8.81
  • 有货
  • N沟道,150V,99A,12.1mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.99
    • 10+

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    • 30+

      ¥11.12
    • 100+

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    • 500+

      ¥8.9
    • 800+

      ¥8.6
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合,同时在设计过程中易于实施
    数据手册
    • 1+

      ¥19.46
    • 10+

      ¥16.6
    • 30+

      ¥14.81
    • 100+

      ¥12.97
    • 500+

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    • 1000+

      ¥11.78
  • 有货
  • N沟道,800V,17A,290mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥19.62
    • 10+

      ¥16.9
    • 30+

      ¥14.18
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    • 510+

      ¥11.65
    • 990+

      ¥11.3
  • 有货
  • N沟道,100V,57A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥20.02
    • 10+

      ¥17.15
    • 25+

      ¥14.67
    • 100+

      ¥12.83
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 根据J-STD-020标准MSL 1分类
    • 1+

      ¥21.65
    • 10+

      ¥18.75
    • 30+

      ¥17.02
    • 100+

      ¥14.63
    • 500+

      ¥13.83
  • 有货
  • BTS50010-1TAD是一款导通电阻为1.0 mΩ的单通道智能高边功率开关,采用PG-TO-263-7-10封装,具备保护功能和诊断功能。它还具备ReverSave功能。
    • 1+

      ¥40.92
    • 10+

      ¥34.92
    • 30+

      ¥31.27
    • 100+

      ¥28.2
  • 有货
  • 模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会,以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机,适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用,同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合,以实现出色的电气性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.14
    • 10+

      ¥75.08
    • 28+

      ¥68.9
    • 98+

      ¥63.5
  • 有货
  • 用于电视调谐器和移动应用中的频段切换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.335
    • 50+

      ¥0.3271
    • 150+

      ¥0.3218
    • 500+

      ¥0.3165
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6905
    • 50+

      ¥0.5537
    • 150+

      ¥0.4853
    • 500+

      ¥0.434
    • 3000+

      ¥0.3313
  • 有货
  • P沟道,30V,1.5A,140mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.895
    • 50+

      ¥0.7552
    • 150+

      ¥0.6852
    • 500+

      ¥0.38285 ¥0.403
    • 3000+

      ¥0.34295 ¥0.361
    • 6000+

      ¥0.323 ¥0.34
  • 有货
  • 特性:开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路。 封装内有两个(电流)内部隔离的NPN/PNP晶体管。 内置偏置电阻NPN和PNP (R₁ = 2.2 kΩ, R₂ = 47 kΩ)。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101认证
    • 5+

      ¥0.9416
    • 50+

      ¥0.7591
    • 150+

      ¥0.6678
    • 500+

      ¥0.56943 ¥0.5994
    • 3000+

      ¥0.51737 ¥0.5446
    • 6000+

      ¥0.49134 ¥0.5172
  • 有货
  • 非常简便的LED恒流驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.92
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.8649
    • 50+

      ¥2.2246
    • 150+

      ¥1.677
    • 525+

      ¥1.3346
    • 2475+

      ¥1.1821
  • 有货
  • N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • N沟道,240V,350mA,6Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.35
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:ESD/瞬态/浪涌保护符合:IEC61000-4-2(ESD):±30 kV空气/接触放电。IEC61000-4-4(EFT):±80 A(5/50 ns)。IEC61000-4-5(浪涌):±20 A(8/20 μs)。应用:10/100/1000以太网
    数据手册
    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.24
    • 500+

      ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.9
  • 有货
  • N沟道,40V,98A,3.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.16
    • 1000+

      ¥2.03
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的处理技术,以实现每单位硅面积极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。SO-8已通过定制引线框架进行了改进,以增强热特性和多芯片能力,使其非常适合各种电源应用。通过这些改进,多个器件可在应用中使用,从而显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.16
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.59
    • 500+

      ¥2.36
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥4.08
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.14
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.34
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