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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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TLE4250 - 2是一款采用微型SMD封装PG - SCT595 - 5的单片集成低压差电压跟踪器,具有出色的热阻性能。它专为汽车环境中的板外负载(如传感器)供电而设计。该集成电路可在过载、过热、反极性以及输出对电池和地短路的情况下进行自我保护
数据手册
  • 1+

    ¥3.5
  • 10+

    ¥2.79
  • 30+

    ¥2.49
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    ¥2.11
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  • N沟道 55V 3.1A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

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    • 500+

      ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • N沟道,40V,250A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.94
    • 10+

      ¥3.21
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    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V
    数据手册
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      ¥3.25
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  • 有货
  • 是一款采用5引脚TO封装的单片集成低压差电压调节器,专为汽车应用而设计。可将高达42V的输入电压调节为5.0V的输出电压,能够驱动高达450mA的负载。通过内置的电流限制实现短路保护,并具有集成的过温关断功能。当输出电压VQ,rt 典型值为4.65V时,会生成复位信号。上电复位延迟时间可通过外部延迟电容进行编程。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
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      ¥3.62
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      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.78
    • 500+

      ¥2.53
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.95 ¥8.25
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      ¥3.8 ¥7.6
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    • 100+

      ¥2.712 ¥6.78
    • 500+

      ¥2.64 ¥6.6
    • 1000+

      ¥2.608 ¥6.52
  • 有货
  • N沟道 60V 12A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

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      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
  • N沟道,40V,217A,1.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.03
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      ¥3.44
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.91
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    • 1+

      ¥6.18
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      ¥5.01
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    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.5
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.06
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      ¥4.19
    • 1000+

      ¥4.05
  • 有货
  • ICE3PCS03G是一款用于有源功率因数校正转换器的8引脚宽输入范围控制IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计,所需的外部元件极少。建议通过外部辅助电源为其供电,该辅助电源可控制IC的开启和关闭
    数据手册
    • 1+

      ¥7.08
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      ¥5.81
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    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • N沟道,55V,47A,22mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.96
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      ¥6.62
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      ¥4.53
  • 有货
  • 特性:优化用于服务器和台式机中的同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合ReHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥8.61
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      ¥5
  • 有货
  • BTS4175SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成
    数据手册
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      ¥9.29
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      ¥5.25
    • 1000+

      ¥5.07
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道,正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21的无卤标准。扩大源极互连,提高焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
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      ¥8.2
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      ¥5.77
  • 有货
  • 特性:新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)(TO 220封装)。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31:完全隔离封装(2500 VAC;1分钟)。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥10.73
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      ¥5.67
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,3.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.33
    • 10+

      ¥9.46
    • 30+

      ¥8.43
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    • 500+

      ¥5.75
    • 1000+

      ¥5.51
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥11.6
    • 10+

      ¥9.54
    • 30+

      ¥8.42
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    • 1000+

      ¥6.32
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。低 EMI。应用:感应烹饪。逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥13
    • 10+

      ¥11.12
    • 30+

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      ¥8.75
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      ¥8.2
    • 990+

      ¥7.97
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥15.23
    • 10+

      ¥13.06
    • 30+

      ¥11.7
    • 100+

      ¥10.3
    • 500+

      ¥9.67
    • 1000+

      ¥9.4
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥20.33
    • 10+

      ¥17.41
    • 30+

      ¥14.39
    • 90+

      ¥12.52
    • 510+

      ¥11.67
    • 990+

      ¥11.31
  • 有货
  • 该产品是一款3.0 mΩ单通道智能高端功率开关,采用PG-HsOF-8封装,提供保护功能和诊断。它专为驱动高电流负载而设计,适用于加热器、电热塞、风扇和泵等应用。
    • 1+

      ¥32.52
    • 10+

      ¥27.67
    • 30+

      ¥24.79
    • 100+

      ¥21.88
    • 500+

      ¥20.54
    • 1000+

      ¥19.93
  • 有货
  • 特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25℃。 IDDC = 55 A,Tc = 25℃。 RDSS(on) = 39 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥33.03
    • 10+

      ¥28.02
    • 30+

      ¥25.04
    • 90+

      ¥22.03
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2.6A,150mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6615
    • 50+

      ¥0.5175
    • 150+

      ¥0.4455
    • 500+

      ¥0.3915
    • 3000+

      ¥0.3483
    • 6000+

      ¥0.3267
  • 有货
  • 射频三极管 NPN
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2185
    • 50+

      ¥1.0802
    • 150+

      ¥1.021
    • 500+

      ¥0.947
    • 3000+

      ¥0.7198
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6115
    • 50+

      ¥1.2586
    • 150+

      ¥1.1074
    • 500+

      ¥0.9187
    • 2500+

      ¥0.8347
    • 5000+

      ¥0.7842
  • 有货
  • N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7355
    • 50+

      ¥1.384
    • 150+

      ¥1.2334
    • 500+

      ¥1.0454
    • 3000+

      ¥0.8058
    • 6000+

      ¥0.7556
  • 有货
    • 5+

      ¥2.6652
    • 50+

      ¥2.1612
    • 150+

      ¥1.9452
    • 500+

      ¥1.6757
    • 3000+

      ¥1.3508
    • 6000+

      ¥1.2788
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 适用于快速开关降压转换器。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • N沟道,10V,6A,600mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.09
    • 500+

      ¥1.75
    • 1000+

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