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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
数据手册
  • 10+

    ¥3.890025
  • 100+

    ¥3.74595
  • 200+

    ¥3.4578
  • 1000+

    ¥3.313725
  • 2000+

    ¥3.16965
BTS7020-2EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
数据手册
  • 1+

    ¥8.37
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    ¥6.85
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    ¥6.02
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    ¥5.09
  • 500+

    ¥4.67
  • 1000+

    ¥4.48
  • 有货
  • 采用电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.09
    • 10+

      ¥7.58
    • 30+

      ¥6.63
    • 100+

      ¥6.16
    • 500+

      ¥5.72
    • 1000+

      ¥5.53
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.26
    • 10+

      ¥8.4
    • 30+

      ¥7.39
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥5.72
    • 1000+

      ¥5.49
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥11.22
    • 10+

      ¥9.59
    • 30+

      ¥7.24
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥5.78
    • 1000+

      ¥5.57
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥14.34
    • 30+

      ¥11.97
    • 90+

      ¥10.5
    • 510+

      ¥9.83
    • 990+

      ¥9.54
  • 有货
  • BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关,采用PG - TSDSO - 24封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥17.19
    • 10+

      ¥14.51
    • 30+

      ¥12.84
    • 100+

      ¥11.12
    • 500+

      ¥10.34
    • 1000+

      ¥10.01
  • 有货
  • N沟道,650V,47A,70mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥21.25
    • 10+

      ¥18.3
    • 30+

      ¥14.12
    • 90+

      ¥12.23
    • 480+

      ¥11.37
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • TLF35584 是一种多输出系统电源,适用于安全相关的应用,通过高效灵活的预/后稳压器概念,在宽输入电压范围内为微控制器、收发器和传感器提供5V或3.3V电压。宽范围的开关频率允许在效率和使用小型滤波元件方面进行优化。一个专用的参考稳压器独立于微控制器负载阶跃为ADC供电,并作为两个独立传感器电源的跟踪源。灵活的状态机、包括定时器在内的唤醒概念以及待机稳压器有利于其在多种应用中的使用。多种安全特性使其能够与各种HC一起轻松实现ASIL-D。TLF35584 可以采用支持自动光学检测的小型VQFN-48(QV版)封装,同时也有热增强的LQFP-64(QK版)封装可供选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.07
    • 10+

      ¥19.69
    • 30+

      ¥17.67
    • 100+

      ¥15.64
  • 有货
  • 适用于1200V应用的第二代TrenchStop,具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.49
    • 10+

      ¥25.67
    • 30+

      ¥21.51
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      ¥19.21
    • 480+

      ¥18.15
  • 有货
  • P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.02
    • 50+

      ¥1.4429
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      ¥1.2806
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      ¥1.0782
    • 2000+

      ¥0.9881
    • 5000+

      ¥0.934
  • 有货
  • N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2441
    • 50+

      ¥1.5906
    • 150+

      ¥1.411
    • 500+

      ¥1.187
    • 2000+

      ¥1.0872
    • 5000+

      ¥1.0274
  • 有货
  • N沟道,100V,17A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5
    • 10+

      ¥2.82
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      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.58
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      ¥1.48
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  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥3.63
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      ¥2.93
    • 30+

      ¥2.63
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      ¥2.25
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      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.99
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.06
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.36
    • 100+

      ¥3.13
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.92
  • 有货
  • N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.61
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      ¥3.23
    • 100+

      ¥2.85
    • 500+

      ¥2.27
    • 800+

      ¥2.15
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.83
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      ¥2.48
    • 800+

      ¥2.34
  • 有货
  • N沟道 150V 33A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥4.32
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.45
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6
    • 10+

      ¥4.48
    • 30+

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      ¥3.36
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      ¥3.03
    • 1000+

      ¥2.85
  • 有货
  • BTS7200-4EPA 是一款智能高侧电源开关,提供保护功能和诊断。该设备采用了SMART7技术,适用于电阻性、电感性和电容性负载,可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适合1A负载(包括继电器)以及高浪涌电流负载,如R5W灯泡或等效电子负载(例如LED模块)。该设备属于PROFET™ +2 12V系列,具有在反向电流条件下开启的能力(InverseON)、带控制重启的绝对和动态温度限制、带智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护等功能。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下开路检测以及对地短路和电池短路检测。BTS7200-4EPA 符合汽车应用要求,并满足AEC-Q100 Grade 1标准。
    • 1+

      ¥5.85
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      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.85
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      ¥3.4
  • 有货
  • P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.18
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.08
    • 800+

      ¥2.9
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥4.85
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      ¥4.22
    • 500+

      ¥3.85
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
  • N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.76
    • 10+

      ¥5.53
    • 30+

      ¥4.91
    • 100+

      ¥4.3
    • 500+

      ¥3.21
    • 800+

      ¥3.02
  • 有货
  • N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.27
    • 10+

      ¥7.77
    • 50+

      ¥6.19
    • 100+

      ¥5.25
    • 600+

      ¥4.84
    • 900+

      ¥4.65
  • 有货
  • 特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥15.65
    • 10+

      ¥13.4
    • 30+

      ¥11.46
    • 90+

      ¥10.01
    • 510+

      ¥9.36
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压,与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt,用于电磁干扰优化。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
    • 1+

      ¥20.24
    • 10+

      ¥17.26
    • 30+

      ¥15.39
    • 100+

      ¥12.24
  • 有货
  • CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件,专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷(Qg)低且开关性能得到改善,该器件在目标市场中具备最高效率
    数据手册
    • 1+

      ¥22.24
    • 10+

      ¥19.47
    • 30+

      ¥15.27
    • 90+

      ¥13.61
    • 510+

      ¥12.84
    • 990+

      ¥12.5
  • 有货
  • 高电流 PN 半桥驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥29.43
    • 10+

      ¥25.73
    • 30+

      ¥20.78
    • 100+

      ¥18.56
  • 有货
  • P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5217
    • 50+

      ¥0.4249
    • 150+

      ¥0.3752
  • 有货
  • P沟道,-20V,-4.3A,54mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8261
    • 50+

      ¥0.6572
    • 150+

      ¥0.5728
    • 500+

      ¥0.484025 ¥0.5095
    • 3000+

      ¥0.43586 ¥0.4588
    • 6000+

      ¥0.411825 ¥0.4335
  • 有货
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