IDT驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：R5F10377ANA#45 编号：C1511275

封装：HWQFN-24-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL21080DIH310Z-TK 编号：C2156564

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

模拟电压基准源具有低电源电压运行特性，工作电流极低，典型值 310nA，最大 1.5µA。此外，ISL21080 系列还具有低至 ±0.2% 的初始精度和 50ppm/°C 的温度系数。

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型号：PS2815-1-F3-A 编号：C17483346

封装：SOIC-4-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2815 - 1和PS2815 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含砷化镓发光二极管和NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装为收缩小外形封装（Shrink SOP），用于高密度安装应用。

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型号：R5F12018ASP#50 编号：C20351401

封装：LSSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低功耗技术: -单电源电压范围为 2.4 至 5.5 V。具有 HALT 模式和 STOP 模式。 RL78 CPU 核心: -CISC 架构，3 级流水线。最小指令执行时间：高速（0.0625 μs，@ 16 MHz 运行，带高速片上振荡器）到低速（1.0 μs，@ 1 MHz 运行）可更改。地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 位寄存器 × 8) × 4 组。片上 RAM：1 KB。代码闪存: -代码闪存容量：4 至 8 KB

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型号：SLG59M1714V 编号：C17625823

封装：STQFN-16(1.6x2.5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

SLG59M1714V可在2.5 V至5.5 V的电源电压下工作，是一款导通电阻为15 mΩ、电流为4 A的单通道负载开关。当负载开关禁用时，它具备背对背反向电流阻断功能。

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型号：ISL9016IRUNCZ-T 编号：C6061846

封装：uTDFN-6-EP(1.6x1.6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能双路LDO，能够在每个通道上提供高达150mA的电流。它具有低待机电流和非常高的电源抑制比（PSRR），在输出电容为1μF至4.7μF、等效串联电阻（ESR）高达200mΩ时保持稳定。该器件为每个输出集成了独立的使能功能。当仅启用一个LDO时，静态电流通常为49μA；当两个LDO都启用时，静态电流通常为80μA

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型号：SLG88103V 编号：C17532631

封装：STDFN-10(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

SLG88103/4 是一款宽电压范围、375 nA 的双/四通道 CMOS 输入运算放大器，能够实现轨到轨输入和输出操作。每个放大器均可单独关断电源。

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型号：R7F0C004M2DFB-C#BA0 编号：C2901349

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：RAA2118034GP3#JA0 编号：C28529576

封装：TSOT-23

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RAA211803和RAA211805是易于使用的超低静态电流（IQ）降压稳压器，输入电压范围宽，为7V至80V，输出电流高达300mA。RAA211803的输出电压固定为3.3V，RAA211805的输出电压为5V。

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型号：R5F10368ASP#35 编号：C968438

封装：LSSOP-20-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

适用于通用应用的真正低功耗平台，工作电压为1.8-5.5V，具有2-16KB代码闪存，在24MHz时可达31DMIPS。

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型号：R5F100GCAFB#50 编号：C2054969

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

真正的低功耗平台，运行时每MHz仅消耗66 μA电流，仅RTC和LVD工作时消耗0.57 μA电流，适用于通用应用。工作电压范围为1.6V至5.5V，配备16K字节至512K字节代码闪存，32 MHz时性能达到41 DMIPS。

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型号：NP15P06SLG-E1-AY 编号：C3281262

封装：TO-252(MP-3ZK)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R5F100AEGSP#30 编号：C1499479

封装：LSSOP-30-6.1mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

真正的低功耗平台，运行时每MHz仅消耗66 μA电流，仅RTC和LVD工作时消耗0.57 μA电流，适用于通用应用。工作电压范围为1.6V至5.5V，配备16K字节至512K字节代码闪存，32 MHz时性能达到41 DMIPS。

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型号：AT25DF041B-UUN-T 编号：C2062836

封装：WLCSP-8(1.6x1.6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FA2E1A52DFJ#AA0 编号：C3220747

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于Arm的32位内核系列，这些内核在软件和引脚上兼容，并共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：AT25DF011-XMHN-T 编号：C21994016

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品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，提高内存空间使用效率。包含专用的一次性可编程（OTP）安全寄存器，可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等。支持在1.65V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：R7FA2E1A52DNH#AA0 编号：C5841925

封装：HWQFN-32(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于Arm的32位内核系列，这些内核在软件和引脚上兼容，并共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：R7FA2E2A32DNJ#AA1 编号：C20353591

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个系列软件和引脚兼容的基于Arm的32位内核，共享瑞萨外设，便于设计扩展。该系列MCU采用节能的Arm Cortex-M23 32位内核，适用于对成本敏感的低功耗应用，具备以下特点：高达64 KB代码闪存、8 KB SRAM、12位A/D转换器（ADC12）和安全特性。

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型号：R7FA2E1A52DFL#AA0 编号：C3230232

封装：LFQFP-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于Arm的32位内核系列，这些内核在软件和引脚上兼容，并共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：SLG46533V 编号：C6680375

封装：STQFN-20(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供用于常用混合信号功能的小型低功耗组件。用户可通过对一次性非易失性存储器 (NVM) 进行编程来创建电路设计，以配置互连逻辑、IO引脚和宏单元。该设备高度通用，允许在非常小的低功耗单集成电路内设计各种混合信号功能。

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型号：R5F12068GSP#30 编号：C20351434

封装：LSSOP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R5F1007CANA#40 编号：C3217054

封装：HWQFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL3232EIRZ-T 编号：C2672135

封装：QFN-16-EP(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL3232E、ISL4221E 和 ISL4223E 器件是工作电压为 2.7V 至 5.5V 的 RS - 232 收发器，即使在 VCC = 3.0V 时，也能满足 EIA/TIA - 232 和 V.28/V.24 规范。它们在发射器输出端和接收器输入端（RS - 232 引脚）提供 ±15KV 的 ESD 保护（IEC61000 - 4 - 2 气隙和人体模型）。目标应用包括个人数字助理（PDA）、掌上电脑和手持产品，在这些应用中，低工作功耗和更低的待机功耗至关重要

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