IDT驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：PS2561AL-1-A 编号：C17275636

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥6.18
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￥5.03
30+
￥4.45
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￥3.88

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型号：SLG46170V 编号：C7316808

封装：STQFN-14(2x2.2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥6.18
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￥6.04
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￥5.95

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型号：UPC277MP-KAA-E1-A 编号：C20354019

封装：TSSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥6.25
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￥6.11
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￥6.02
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型号：ISL3283EIHZ-T 编号：C152396

封装：SOT-23-6

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

具有±16.5kV IEC61000 ESD保护，3.0V至5.5V供电，单接收器，符合RS-485和RS-422标准。

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￥6.52
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￥6.36
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￥6.26

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型号：NP36P06SLG-E1-AY 编号：C6344901

封装：TO-252

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。

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￥6.57
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￥6.4
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￥6.29

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型号：ISL3179EIUZ-T 编号：C2671980

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL3179E和ISL3180E是具备高ESD保护功能、采用3.3V供电的单路收发器，符合RS - 485和RS - 422平衡通信标准。每个器件的总线电流较低（+220μA / - 150μA），因此它们在RS - 485总线上呈现1/5单位负载。这使得网络中最多可连接160个收发器，而不会违反RS - 485规范中32单位负载的上限，且无需使用中继器

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￥6.78
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￥6.62
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型号：ICM7555IPAZ 编号：C34608

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥6.84
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￥5

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型号：PS2561L-1-V-A 编号：C17409003

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥7.04
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￥6.88
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型号：ISL95837HRZ-T 编号：C357826

封装：QFN-40(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

符合IMVP-7/VR12，为微处理器和图形处理器核心电源提供完整解决方案。提供两个电压调节器（VR）和三个集成栅极驱动器。第一个VR可配置为3相、2相或1相VR，第二个输出为1相VR，提供最大灵活性。两个VR共享串行控制总线与CPU通信，与双芯片方法相比，可降低成本并减小电路板面积

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￥7.07
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￥6.91
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型号：PS2561L-1-A 编号：C22426852

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥7.12
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￥5.94
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￥5.3
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型号：AT25SF321B-SSHB-B 编号：C1351854

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF321B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF321B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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￥7.23
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￥7.07
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￥6.97

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型号：49FCT3805AQGI8 编号：C2651304

封装：QSOP-20-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款3.3伏非反相时钟驱动器，采用先进的双金属CMOS技术制造。该器件由两组驱动器组成，每组驱动器具有1:5扇出和独立的输出使能控制。该器件具有用于诊断和PLL驱动的“心跳”监视器。MON输出与所有其他输出相同，并符合本文档中的输出规格。提供带迟滞的低电容输入。设计用于高速时钟分配，其中信号质量和偏斜至关重要。还允许在地址分配等应用中进行单点对多点传输线驱动，其中一个信号必须以低偏斜和高信号质量分配给多个接收器。

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￥7.27
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￥7.1
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型号：UPC251G2-E2-A 编号：C23554478

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Renesas的广泛精密模拟产品组合为下一代精密仪器、医疗、通信和工业过程控制应用提供了广泛的解决方案，在这些应用中，创新、可靠性和可依赖性是模拟设计的核心。

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￥7.29
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￥7.01
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型号：ISL3298EFRTZ-T 编号：C6211224

封装：TDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL3295E和ISL3298E是具有±16.5kV HBM ESD保护、3.0V至5.5V供电的单发射器，用于平衡通信，符合RS-485和RS-422标准。这些驱动器对RS-485总线的负载非常低。

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￥7.52
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￥6.25
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￥5.55

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型号：ISL9007IUNZ-T 编号：C3748060

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL9007是一款高性能低压差线性稳压器（LDO），可提供400mA的连续负载电流。它具有低待机电流和高电源抑制比（PSRR），在输出电容为1μF至10μF、等效串联电阻（ESR）高达200mΩ时能保持稳定。ISL9007的PSRR非常高，可达75dB，输出噪声小于30μV RMS

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型号：SLG59M1448V 编号：C17652519

封装：STDFN-8(1x1.6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥7.76
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￥6.48
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型号：AT25DF041B-SSHN-B 编号：C20792434

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT25DF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25DF041B具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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￥7.87
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型号：SLG46534V 编号：C5918879

封装：STQFN-14(2x2.2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供一个小型、低功耗的组件，用于常用的混合信号功能。用户通过对一次性非易失性存储器 (NVM) 进行编程来创建电路设计，以配置互连逻辑、I/O 引脚和宏单元。该高通用性器件允许在非常小的低功耗单集成电路内设计各种混合信号功能。

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型号：ISL80102IRAJZ-TK 编号：C382019

封装：DFN-10(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是低电压、高电流、单输出LDO，分别适用于2A和3A输出电流。这些LDO的输入电压为2.2V至6V，能够提供0.8V至5.5V的输出电压。软启动引脚上的外部电容可为浪涌电流小于电流限制的应用提供调节。使能功能允许器件进入低静态电流关断模式。采用亚微米BiCMOS工艺，可实现一流的模拟性能和整体价值。与双极型LDO相比，这些CMOS（LDO）在负载下的静态电流显著降低，因此效率更高，并允许使用更小封装尺寸的封装。适度牺牲了静态电流，以实现一流的快速负载瞬态响应，从而降低此类LDO的总交流稳压带宽。

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￥7.98
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型号：R5F1027AANA#05 编号：C3217060

封装：HWQFN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥8.15
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￥7.82

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型号：R5F104BAAFP#10 编号：C3225121

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥8.2
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￥8.01
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型号：ISL21010DFH310Z-TK 编号：C2157674

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21010是一款精密、低压差微功耗带隙电压基准源，采用节省空间的SOT - 23封装。它由2.2V至5.5V单电源供电（最小电压取决于电压选项），并提供精度为±0.2%的基准电压。ISL21010可提供高达25mA的输出电流，压差低至±50mV

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型号：R5F1211AASP#30 编号：C27607164

封装：LSSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低功耗技术:单电源电压范围为 2.4 至 5.5 V。具有 HALT 模式和 STOP 模式。RL78 CPU 核心:CISC 架构，3 级流水线。最小指令执行时间：可从高速（0.0625 μs，@ 16 MHz 运行，高速片上振荡器）到超低速（30.5 μs，@ 32.768 kHz 运行，子系统时钟）变化。地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 位寄存器 × 8) × 4 组。片上 RAM：2 KB。代码闪存:代码闪存容量：16 至 32 KB

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￥8.56
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￥8.37
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￥8.25

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型号：R5F10377ANA#45 编号：C1511275

封装：HWQFN-24-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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1+
￥8.72
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￥8.52
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￥8.38

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型号：ISL21080DIH310Z-TK 编号：C2156564

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

模拟电压基准源具有低电源电压运行特性，工作电流极低，典型值 310nA，最大 1.5µA。此外，ISL21080 系列还具有低至 ±0.2% 的初始精度和 50ppm/°C 的温度系数。

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￥8.76
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￥8.55
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￥8.42

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型号：PS2815-1-F3-A 编号：C17483346

封装：SOIC-4-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2815 - 1和PS2815 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含砷化镓发光二极管和NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装为收缩小外形封装（Shrink SOP），用于高密度安装应用。

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￥8.76
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￥7.2
30+
￥6.33

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型号：R5F12018ASP#50 编号：C20351401

封装：LSSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低功耗技术: -单电源电压范围为 2.4 至 5.5 V。具有 HALT 模式和 STOP 模式。 RL78 CPU 核心: -CISC 架构，3 级流水线。最小指令执行时间：高速（0.0625 μs，@ 16 MHz 运行，带高速片上振荡器）到低速（1.0 μs，@ 1 MHz 运行）可更改。地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 位寄存器 × 8) × 4 组。片上 RAM：1 KB。代码闪存: -代码闪存容量：4 至 8 KB

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￥8.8
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￥8.6
30+
￥8.47

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型号：SLG59M1714V 编号：C17625823

封装：STQFN-16(1.6x2.5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

SLG59M1714V可在2.5 V至5.5 V的电源电压下工作，是一款导通电阻为15 mΩ、电流为4 A的单通道负载开关。当负载开关禁用时，它具备背对背反向电流阻断功能。

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￥8.87
10+
￥8.65
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￥8.5

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型号：ISL9016IRUNCZ-T 编号：C6061846

封装：uTDFN-6-EP(1.6x1.6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能双路LDO，能够在每个通道上提供高达150mA的电流。它具有低待机电流和非常高的电源抑制比（PSRR），在输出电容为1μF至4.7μF、等效串联电阻（ESR）高达200mΩ时保持稳定。该器件为每个输出集成了独立的使能功能。当仅启用一个LDO时，静态电流通常为49μA；当两个LDO都启用时，静态电流通常为80μA

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￥8.7
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￥8.57

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型号：SLG88103V 编号：C17532631

封装：STDFN-10(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

SLG88103/4 是一款宽电压范围、375 nA 的双/四通道 CMOS 输入运算放大器，能够实现轨到轨输入和输出操作。每个放大器均可单独关断电源。

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