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AL5809 恒流线性LED驱动器

型号：AL5809-40P1-7 编号：C2653361

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.19
30+
￥1.92
100+
￥1.58
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

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10W立体声D类音频功率放大器

型号：PAM8006ATR 编号：C167118

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：DIODES(美台)

PAM8006A是一款每声道15W的立体声D类音频放大器，具有低总谐波失真加噪声（0.2%）、低电磁干扰和良好的电源抑制比，因此能够实现高质量的声音再现。PAM8006A的供电电压范围为8V至18V，其效率远高于同类竞品。

数据手册

1+
￥3.08
10+
￥2.72
30+
￥2.54
100+
￥2.36
500+
￥2.25
1000+
￥2.19

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电压:100V 电流:30A

型号：SDT30B100D1-13 编号：C7357221

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

提供极低的正向电压降（VF），在高温下具有极其出色的反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。

1+
￥3.1
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￥2.51
30+
￥2.26
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￥1.94
500+
￥1.8
1000+
￥1.72

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16MHz ±15ppm 8pF

型号：FL1600142Q 编号：C6251712

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

1+
￥3.15
10+
￥2.51
30+
￥2.24
100+
￥1.89

有货

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400V 5A

型号：PDU540-13 编号：C508241

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

提供超快恢复时间，实现高效率；具备高正向浪涌电流，适用于高频逆变器、续流和极性保护应用。

数据手册

1+
￥3.28
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￥2.64
30+
￥2.37
100+
￥2.03
500+
￥1.88
1000+
￥1.78

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PNP 电流:3A 电压:60V

型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.62
30+
￥2.33
100+
￥1.97
500+
￥1.81

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1个P沟道耐压:60V 电流:23.6A

型号：DMPH6050SK3-13 编号：C260900

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.31
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￥2.61
30+
￥2.32
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￥1.95
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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PNP 电流:0.5A 电压:300V

型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.5
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￥2.84
30+
￥2.56
100+
￥2.21
500+
￥2.05

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2.5V/3.3V 高带宽热插拔 2 位 2 端口总线开关

型号：PI3C3305LEX 编号：C526704

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

PI3C3305 和 PI3C3306 是 2.5 伏或 3.3 伏、2 位总线开关，设计有快速独立使能。当通过相应的总线使能（BE）引脚启用时，“A”引脚直接连接到该特定门的“B”引脚。总线开关不会引入额外的传播延迟或额外的地弹噪声。PI3C3306 设备具有低电平有效的使能，而 PI3C3305 具有高电平有效的使能。它们在切换具有高带宽（>400 MHz）的信号时非常有用。

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥3.21
30+
￥3.02
100+
￥2.83
500+
￥2.72
1000+
￥2.66

有货

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20Mbps 2位双向电平转换器

型号：PI4ULS5V202UEX 编号：C481697

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

PI4ULS5V202是一款2位可配置双电源双向自动感应电平转换器，无需方向控制引脚。A端口和B端口分别用于跟踪VCCA和VCCB这两个不同的电源轨。VCCA和VCCB电源轨均可在1.2V至5.5V范围内进行配置

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.96
30+
￥2.65
100+
￥2.26
500+
￥2.08
1000+
￥1.98

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2V~18V 并联 350uA

型号：ZXRE160AET5TA 编号：C211429

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXRE160是一款五引脚可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和输出处理能力。该器件是ZXRE060的升级版，适用于比较器模式应用。在并联稳压器模式下，ZXRE160简化了隔离式低压DC-DC稳压器的设计。其反馈（FB）引脚电压低至0.6V，可控制低至0.6V的轨电压调节。这使得该器件非常适合用于先进的微处理器、DSP和PLD内核电压负载点（POL）转换器。该器件的集电极开路输出电压范围为0.2V至18V，通过选择两个外部分压电阻可设置稳压输出电压。将输入与集电极开路输出分开，使ZXRE160可用于制作在低输入电压下工作的低成本低压差稳压器。 ZXRE160有两个等级可供选择，A等级和标准等级的初始公差分别为0.5%和1%。它提供节省空间的薄型5引脚SC70/SOT353、薄型TSOT25和超小型DFN1520封装。

数据手册

1+
￥3.76
10+
￥3
30+
￥2.62
100+
￥2.25
500+
￥2.03
1000+
￥1.91

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1个P沟道耐压:60V 电流:7.7A

型号：DMP6023LFG-7 编号：C526579

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.79
10+
￥3.06
30+
￥2.75
100+
￥2.36

有货

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电压:40V 电流:2.2A

型号：ZLLS2000TA 编号：C155388

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

一款表面贴装肖特基势垒二极管，具有低正向压降特性，适用于高频整流和反向电压保护。

数据手册

1+
￥3.82
10+
￥3.09
30+
￥2.77
100+
￥2.38
500+
￥2.2
1000+
￥2.1

有货

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300V 10A

型号：SBR20A300CTFP-G 编号：C526745

封装：ITO-220AB-3

品牌：DIODES(美台)

这种超级势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、升压二极管、阻塞二极管。

数据手册

1+
￥3.84
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￥3.48
50+
￥3.29
100+
￥3.11
500+
￥3
1000+
￥2.94

有货

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2个P沟道耐压:40V 电流:5.2A

型号：DMP4050SSD-13 编号：C154754

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.12
30+
￥2.8
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￥2.41
500+
￥2.23
1000+
￥2.12

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PNP 电流:3A 电压:15V

型号：FZT788BTA 编号：C141330

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

数据手册

1+
￥3.91
10+
￥3.22
30+
￥2.93
100+
￥2.56
500+
￥2.39
1000+
￥2.29

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NPN 6A 60V

型号：ZX5T851GTA 编号：C460271

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)<-60mV @-1A。 RSAT = 35mΩ 低等效导通电阻。 nFE 指定至 10A 高增益保持。应用：应急照明电路。 MOSFET 与 IGBT 栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.22
10+
￥3.44
30+
￥3.05
100+
￥2.67
500+
￥2.3
1000+
￥2.18

有货

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电压:200V 电流:10A

型号：MBRD20200CT-13 编号：C155302

封装：TO-252-3

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.52
30+
￥3.1
100+
￥2.69
500+
￥2.26
1000+
￥2.14

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:230mA

型号：ZVN4525E6TA 编号：C508256

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款250V增强型N沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格参数。它具备高效的功率处理能力、高阻抗，且不会出现热失控和热致二次击穿现象。

数据手册

1+
￥4.49
10+
￥3.79
30+
￥3.48
100+
￥3.1
500+
￥2.72
1000+
￥2.62

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1个P沟道耐压:240V 电流:200mA

型号：ZVP4424A 编号：C500780

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：240 伏 VDS。 RDS(on)=9Ω。低阈值。应用：电子钩开关

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.7
30+
￥4.47
100+
￥4.2
500+
￥4.09
1000+
￥4.04

有货

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NPN 电流:7A 电压:30V

型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥5.26
10+
￥4.38
30+
￥3.95
100+
￥3.51
500+
￥3.07

有货

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输出1A 降压型驱动

型号：ZXLD1360ET5TA 编号：C131112

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款连续模式电感降压转换器，集成开关和高端电流检测功能。可在7V至30V的输入电源下工作，能高效驱动单个或多个串联LED，外部可调输出电流高达1mA。已通过AEC-Q100 1级认证，可在-40℃至125℃的环境温度下工作。输出电流可通过向ADJ引脚施加直流电压或PWM波形进行调节，使用PWM控制时输出电流可实现100:1的调节。向ADJ引脚施加0.2V或更低电压可关闭输出，并使设备进入低电流待机状态。

数据手册

1+
￥8.97
10+
￥7.39
30+
￥6.52
100+
￥5.53
500+
￥5.1
1000+
￥4.9

有货

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NPN 电流:100mA 电压:50V

型号：FMMT413TD 编号：C193670

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT413是一款NPN硅平面双极晶体管，针对雪崩模式工作进行了优化。严格的工艺控制与低电感封装相结合，可产生具有快速沿的高电流脉冲，非常适合用于激光二极管驱动。

数据手册

1+
￥28.32
10+
￥24.72
30+
￥22.58
100+
￥20.41

有货

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独立式耐压:11V 电流:0.1uA@8V

型号：DZ9F11S92-7 编号：C5244896

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.1672
100+
￥0.1639
300+
￥0.1617
1000+
￥0.1594

有货

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PNP 电流:100mA 电压:65V

型号：BC856B-13-F 编号：C5126684

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.17719 ￥0.2726
100+
￥0.141765 ￥0.2181
300+
￥0.124085 ￥0.1909
1000+
￥0.110825 ￥0.1705
5000+
￥0.100165 ￥0.1541
10000+
￥0.0949 ￥0.146

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:180mA

型号：DMP610DL-7 编号：C705095

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2011
200+
￥0.1572
600+
￥0.1327
3000+
￥0.1181
9000+
￥0.1054

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:3uA@1.0V

型号：BZT52C6V2-7-F 编号：C397931

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2071
200+
￥0.162
600+
￥0.137
3000+
￥0.122

有货

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独立式耐压:2.7V 电流:50uA@1V

型号：BZT52C2V7-13-F 编号：C5244698

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

20+
￥0.2227
200+
￥0.175
600+
￥0.1485
2000+
￥0.1326

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：BAT54C-7-F 编号：C134405

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

1对共阴极肖特基阵列

数据手册

20+
￥0.2289
200+
￥0.1827
600+
￥0.1571

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:5uA@3V

型号：MMBZ5232B-7-F 编号：C260870

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，高可靠性

数据手册

20+
￥0.2318
200+
￥0.185
600+
￥0.159
3000+
￥0.1434

有货

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