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首页 > 热门关键词 > 美台驱动芯片
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描述
价格(含税)
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操作
输出1A 降压型驱动
型号：ZXLD1362ET5TA 编号：C154735
封装：TSOT-25
品牌：DIODES(美台)
是一款连续模式电感降压转换器，集成开关和高端电流检测功能。它可在6V至60V的输入电源下工作，能高效驱动单个或多个串联LED，外部可调输出电流高达1A。该器件已通过AEC-Q100 1级认证，可在-40°C至+125°C的环境温度下工作。输出电流可通过施加直流电压或PWM波形进行调节，使用PWM控制可实现100.1的输出电流调节。将0.2V或更低的电压施加到ADJ引脚可关闭输出并使器件进入低电流待机状态。该器件与线圈（L1）和电流检测电阻（Rs）配合，构成自振荡连续模式降压转换器。
数据手册

  • 1+

    ￥12.35

  • 10+

    ￥10.89

  • 30+

    ￥9.98

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    ￥9.04

  • 500+

    ￥8.62

  • 1000+

    ￥8.44
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：2N7002KQ-13 编号：C526325
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.197945 ￥0.3245

    • 100+

      ￥0.146625 ￥0.2875

    • 300+

      ￥0.110249 ￥0.2689

    • 1000+

      ￥0.10455 ￥0.255

    • 5000+

      ￥0.099999 ￥0.2439

    • 10000+

      ￥0.097744 ￥0.2384
  • 有货
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    80V 95mA
    型号：1N4448HLP-7 编号：C154874
    封装：DFN-2(0.6x1)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 超小表面贴装封装。 低反向漏电流。 适用于电池供电的便携式应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1985

    • 200+

      ￥0.1543

    • 600+

      ￥0.1297

    • 3000+

      ￥0.1149

    • 9000+

      ￥0.1021
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:230mA
    型号：DMN26D0UT-7 编号：C211407
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,20V,230mA,15Ω@1.2V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2312

    • 200+

      ￥0.1828

    • 600+

      ￥0.1559

    • 3000+

      ￥0.1398
  • 有货
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904Q-7-F 编号：C705324
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这种双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2313

    • 200+

      ￥0.1854

    • 600+

      ￥0.1599

    • 3000+

      ￥0.1446
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：DMG1012UW-7 编号：C156390
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道，20V，1A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2426

    • 200+

      ￥0.1913

    • 600+

      ￥0.1628

    • 3000+

      ￥0.1406
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：DMN65D8L-7 编号：C155341
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET经过精心设计，在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)）的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.245

    • 200+

      ￥0.1956

    • 600+

      ￥0.1681

    • 3000+

      ￥0.1516

    • 9000+

      ￥0.1373
  • 有货
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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA
    型号：BZT52C4V7T-7 编号：C151452
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2455

    • 200+

      ￥0.1968

    • 600+

      ￥0.1697

    • 3000+

      ￥0.1534
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:820mA
    型号：DMG1013UW-7 编号：C211434
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    P 沟道,-20V,-820mA,1.5Ω@-1.8V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2499

    • 200+

      ￥0.1982

    • 600+

      ￥0.1695

    • 3000+

      ￥0.1523

    • 9000+

      ￥0.1374
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:2uA@2.0V
    型号：BZT52C5V1T-7 编号：C151562
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2519

    • 200+

      ￥0.1991

    • 600+

      ￥0.1697

    • 3000+

      ￥0.1495
  • 有货
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    独立式 耐压:2.4V 电流:20uA@1V
    型号：BZT52C2V4-7-F 编号：C260944
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2593

    • 200+

      ￥0.2077

    • 600+

      ￥0.1791

    • 3000+

      ￥0.1619
  • 有货
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：DESD3V3S1BL-7B 编号：C500765
    封装：DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低轮廓封装（最大0.53mm）和超小PCB占位面积（最大1.08 * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。 提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护：空气放电±30kV，接触放电±25kV。 1通道ESD保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。 便携式电子产品
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2628

    • 200+

      ￥0.2104

    • 600+

      ￥0.1813

    • 2000+

      ￥0.1638
  • 有货
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：DESD3V3E1BL-7B 编号：C461817
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低外形封装（最大 0.53mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08mm x 0.68mm）。 适用于紧凑型便携式电子产品。 提供符合 IEC61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±25kV，接触放电 ±25kV。 单通道 ESD 保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2636

    • 200+

      ￥0.2103

    • 600+

      ￥0.1807

    • 2000+

      ￥0.163
  • 有货
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    74LVC1G14SE-7
    型号：74LVC1G14SE-7 编号：C130459
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3413

    • 100+

      ￥0.2718

    • 300+

      ￥0.2371

    • 3000+

      ￥0.2111
  • 有货
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    独立式 耐压:7.5V 电流:1uA@5.0V
    型号：BZT52C7V5TQ-7-F 编号：C526492
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3542

    • 100+

      ￥0.2875

    • 300+

      ￥0.2542

    • 3000+

      ￥0.2292
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
    型号：DMN62D0U-7 编号：C151421
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,60V,380mA,2Ω@4.5V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3909

    • 100+

      ￥0.3146

    • 300+

      ￥0.2765

    • 3000+

      ￥0.2478

    • 6000+

      ￥0.225
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84W-7-F 编号：C110490
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3996

    • 100+

      ￥0.3195

    • 300+

      ￥0.2794

    • 3000+

      ￥0.2493

    • 6000+

      ￥0.2253
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857BS-13-F 编号：C5248622
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小表面贴装封装。 非常适合自动插入。 用于开关和音频放大器应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

    • 10+

      ￥0.4084

    • 100+

      ￥0.3268

    • 300+

      ￥0.286

    • 1000+

      ￥0.2554

    • 5000+

      ￥0.2309
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:3.57V 电流:10uA@1V
    型号：DDZ3V6ASF-7 编号：C560270
    封装：SOD-323F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4188

    • 100+

      ￥0.3331

    • 300+

      ￥0.2903

    • 3000+

      ￥0.2457
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。 一对本质匹配的NPN晶体管。 电流增益（HFE）匹配度为2%。 基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。 在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。 差分和仪表放大器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.419

    • 100+

      ￥0.3375

    • 300+

      ￥0.2967

    • 3000+

      ￥0.2661
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:1A
    型号：B140WS-7 编号：C95171
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4386

    • 100+

      ￥0.3618

    • 300+

      ￥0.3234

    • 3000+

      ￥0.2631

    • 6000+

      ￥0.2401
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：DMG2301L-7 编号：C102619
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4458

    • 100+

      ￥0.363

    • 300+

      ￥0.3216

    • 3000+

      ￥0.2906
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 1.35A 10V
    型号：AZ1117CH-3.3TRG1 编号：C92102
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4721

    • 50+

      ￥0.3721

    • 150+

      ￥0.3221

    • 500+

      ￥0.2846
  • 有货
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    三态输出，双缓冲门
    型号：74LVC2G125RA3-7 编号：C842614
    封装：X2-DFN1210-8
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G125是一款具有三态输出的双缓冲门。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

    • 5+

      ￥0.479061 ￥0.4839

    • 50+

      ￥0.381187 ￥0.4283

    • 150+

      ￥0.316316 ￥0.4004

    • 500+

      ￥0.299884 ￥0.3796

    • 2500+

      ￥0.286691 ￥0.3629

    • 5000+

      ￥0.280055 ￥0.3545
  • 有货
    • 立即购买
    TVS 10V截止 峰值浪涌电流：15A@8/20us
    型号：D10V0H1U2LP-7B 编号：C1977419
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5119

    • 50+

      ￥0.4121

    • 150+

      ￥0.3622

    • 500+

      ￥0.3248

    • 2500+

      ￥0.2948

    • 5000+

      ￥0.2799
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:2A
    型号：DFLS240-7 编号：C124195
    封装：PowerDI-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 高电流能力。 低泄漏电流。 专利联锁夹设计，具备高浪涌电流容量。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：DST3904DJ-7 编号：C144162
    封装：SOT-963-6
    品牌：DIODES(美台)
    特性：VCEO = 40V。 IC = 200mA。 外延平面管芯结构。 非常适合自动化组装工艺。 无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准。 “绿色”器件。 超小型封装
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：DMN3053L-7 编号：C150469
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,30V,4A,45mΩ@10V
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    TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：70A@8/20us
    型号：D3V3HN1B2LP-7B 编号：C5244619
    封装：UDFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）和浪涌造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

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    74AUP1G14FS3-7
    型号：74AUP1G14FS3-7 编号：C842350
    封装：X2-DFN0808-4
    品牌：DIODES(美台)
    先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池使用寿命而设计。AUP1G14是一款单路单输入施密特触发反相器门电路，具有标准推挽输出，设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格定义
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