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封装：TSOT-25

DIODES™ DGD0211C 单通道高速/低端 MOSFET 和 IGBT 驱动器能够驱动 1.9A 的峰值电流。DGD0211C 的逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接。DGD0211C 提供同相和反相输入

1+
￥4.28
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￥4.17
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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥7.44
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型号：DGD0227S8-13 编号：C5244547

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

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型号：AM4967RGSTR-G1 编号：C2150829

封装：SSOP-16-150mil

品牌：DIODES(美台)

是单线圈、单相电机预驱动器，采用双极工艺设计。其转速可通过外部PWM控制。该产品所需外部组件少，具有高效率的优点，适用于大风量、大电流和高压应用。采用SSOP-16封装。

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￥15.428 ￥16.24
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￥11.5575 ￥15.41

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型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

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￥4.29
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￥3.52
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￥3.13
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￥2.75

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型号：DGD2181MS8-13 编号：C5711497

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥10.78
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型号：DGD2136MS28-13 编号：C2677189

封装：SOIC-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使高端在自举操作中可切换至600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通

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￥15.96
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型号：DGD1003FTA-13 编号：C5244545

封装：VDFN3035-8

品牌：DIODES(美台)

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￥3.52
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型号：DGD0211EWT-7 编号：C42045197

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

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型号：AH8500-FDC-7 编号：C842150

封装：DFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该产品是一款低功耗/微功耗线性霍尔效应传感器，具有8位输出分辨率。输出电压与电源电压成比例，与垂直于部件标记表面的磁通量密度成正比，输出零电压为电源电压的一半。典型灵敏度在1.8V和3V时分别为2.1mV/G和3.55mV/G，典型零电压偏移小于VDD的1%。该设备在1.8V和3.0V时的典型输入均方根噪声分别为0.36G和0.24G

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型号：DGD0280WT-7 编号：C1849478

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

能够驱动2.8A的峰值电流。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。内部欠压锁定（UVLO）功能可在VCC降至工作范围以下时关闭输出，保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟允许高速运行，能够使用更小的相关组件实现更小巧、紧凑的功率开关设计。集成LDO，可输出3.3V电压，容差为±1%，能够提供15mA的电流。提供非反相输出。采用节省空间的TSOT25封装，工作温度范围为 -40℃至 +125℃。

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￥6.84
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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

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单价：
￥3.932876 / 个

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型号：AH5772-P-B 编号：C151386

封装：SIP-4

品牌：DIODES(美台)

AH5772 是一款用于驱动单线圈无刷直流（BLDC）风扇和电机的单芯片解决方案。集成的全桥驱动器输出级采用软开关技术，以最大限度降低可听开关噪声和电磁干扰（EMI），提供低噪声解决方案。为简化系统电路并减少外部元件数量，该器件集成了稳定的高灵敏度霍尔效应传感器、经过电压和温度补偿的内部参考源、放大器以及具有低导通电阻（RDoN）的输出 H 桥功率开关

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￥8.88
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型号：DGD0503FN-7 编号：C460679

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM DGD0503是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0503的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0503逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥11.28
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￥11.04
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型号：DGD0590AFU-7 编号：C1848807

封装：QFN-8-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DGD0590A是一款高频高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V的栅极驱动。DGD0590A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥11.33
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￥9.66
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型号：DGD0504FN-7 编号：C5329415

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0504的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥10.83

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型号：APR3415MTR-G1 编号：C5244522

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

APR3415是一款次级侧组合式IC，它将一个N沟道MOSFET和一个专为不连续导通模式（DCM）工作中的同步整流（SR）设计的驱动电路相结合。它还集成了用于初级侧控制系统的输出电压检测功能。该N沟道MOSFET在低栅极电荷、低导通电阻RDS(ON)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能方面进行了优化

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￥17.22
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￥16.85
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￥16.6

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型号：AM4967GSTR-G1 编号：C2150511

封装：SSOP-16-150mil

品牌：DIODES(美台)

是单线圈、单相电机预驱动器，采用双极工艺设计。其转速可通过外部PWM控制。该产品所需外部组件少，具有高效率的优点，适用于大风量、大电流和高压应用。采用SSOP-16封装。

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1+
￥1.94
10+
￥1.9
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￥1.87

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型号：DGD0211CWT-7 编号：C2983695

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DGD0211C单通道高速/低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0211C的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接。DGD0211C提供同相和反相输入

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单价：
￥2.476255 / 个

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型号：ZXGD3003E6TA 编号：C90743

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

特性：高速、非反相单栅极驱动器，用于开关MOSFET或IGBT。可向栅极传输高达5A的峰值源/灌电流，以有效对电容性栅极负载进行充电和放电。确保MOSFET快速开关，以最大限度减少高电流开关应用中的功率损耗和失真。通常只需来自控制器的10mA输入，即可向低栅极阻抗驱动1.5A电流。应用：功率MOSFET和IGBT的栅极驱动: -AC-DC电源（SMPS）。 -DC-DC转换器

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95+
￥2.896241
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￥2.574437
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￥2.102456
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￥1.802106

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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单价：
￥2.3005 / 个

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型号：DGD0506AM10-13 编号：C460681

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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单价：
￥1.675114 / 个

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型号：DGD0215WT-7 编号：C2676958

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DGD0215和DGD0216高速低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口。快速且匹配良好的传播延迟允许高速运行，从而能够使用更小的相关组件实现更小巧紧凑的功率开关设计

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单价：
￥2.913242 / 个

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型号：ZXGD3006E6QTA 编号：C2649438

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

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单价：
￥2.555631 / 个

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型号：DGD2113S16-13 编号：C460699

封装：SO-16

品牌：DIODES(美台)

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单价：
￥12.092702 / 个

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型号：ZXMS6004SGTA 编号：C155387

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

60V，1.3A

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1000+
￥2.128
2000+
￥2.033

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型号：DGD2104MS8-13 编号：C460693

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

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10+
￥1.35
100+
￥1.3
200+
￥1.2
1000+
￥1.15
2000+
￥1.12

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型号：APR3415CMTR-G1 编号：C526388

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

同步整流开关和控制器

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单价：
￥1.790544 / 个

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型号：DGD0636MS28-13 编号：C460683

封装：SO-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

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单价：
￥12.235616 / 个

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型号：ZXGD3001E6TA 编号：C445028

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3001E6是一款高速同相单MOSFET栅极驱动器，能够在最高12V的电源电压下向MOSFET或IGBT栅极电容性负载提供高达9A的驱动电流，典型传播延迟时间低至3ns，上升/下降时间低至11ns。该器件可确保功率MOSFET或IGBT快速开关，以最大限度地减少大电流快速开关应用中的功率损耗和失真。

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