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首页 > 热门关键词 > 安世驱动芯片
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平面型最大效率通用(MEGA)肖特基势垒整流器,采用共阴极配置,集成保护环以实现应力保护,封装于具有中等功率能力的SOT1061无引脚小型表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
数据手册
  • 1+

    ¥3.38
  • 10+

    ¥3.31
  • 30+

    ¥3.27
  • 100+

    ¥3.1008 ¥3.23
  • 有货
  • ESD保护器件采用超小型DFN1006BD-2 (SOD882BD)表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面可焊,旨在保护一条线路免受瞬态过电压(TVS)造成的损坏。
    • 1+

      ¥3.42
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      ¥3.35
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥3.1296 ¥3.26
  • 有货
  • 该单向 ESD 保护器件旨在保护高速接口,如 10 Gbps 的 SuperSpeed USB 3.2、HDMI、DisplayPort、外部串行高级技术附件 (eSATA)、低压差分信号 (LVDS) 和千兆多媒体串行链路 (GMSL) 模拟器/解串器 (SerDes) 免受静电放电 (ESD) 的影响。该器件采用无铅小型 DFN2510D-10 (SOT1165D) 塑料封装,带有可侧焊侧翼 (SWF),允许自动光学检测 (AOI)。该器件提供高达 15 kV 的 ESD 保护,超过 IEC61000-4-2 4 级标准,并符合 ISO10605。
    • 1+

      ¥3.46
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      ¥3.4
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      ¥3.1776 ¥3.31
  • 有货
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      ¥3.5
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      ¥2.85
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      ¥2.52
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      ¥2.1462 ¥2.19
    • 500+

      ¥1.96 ¥2
    • 1000+

      ¥1.862 ¥1.9
  • 有货
  • 74HC540、74HCT540是一款具有三态输出的8位反相缓冲器/线路驱动器。该器件有两个输出使能端(OE1和OE2)
    数据手册
    • 1+

      ¥3.56
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      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.48
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      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 采用SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的600 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为高温应用中的瞬态过电压保护而设计。
    • 1+

      ¥3.62
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      ¥3.55
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      ¥3.5
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      ¥3.3216 ¥3.46
  • 有货
  • 是双缓冲器/线路驱动器,具有三态输出,由输出使能输入 (nOE) 控制。输入具有过压容限,此特性允许这些设备在混合电压环境中用作转换器。该产品已通过汽车电子委员会 (AEC) 标准 Q100 (1 级) 认证,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.64
    • 100+

      ¥3.4823 ¥3.59
  • 有货
  • 是一款带有三态输出和公共输出使能输入 (OE) 的四 R/S 锁存器。每个锁存器都有置位 (nS) 和复位 (nR) 输入以及三态输出 (nQ)。当 OE 为低电平时,锁存器输出处于高阻抗关断状态。OE 不影响锁存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VDD 的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.5114 ¥3.62
  • 有货
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      ¥4.09
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      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.96
    • 100+

      ¥3.783 ¥3.9
  • 有货
  • 中功率电压调节二极管,采用SOT89塑料贴片封装。二极管在归一化E24近似±5%公差范围内提供。该系列由37种类型组成,标称工作电压为2.4至75 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥4.14
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.8688 ¥4.03
  • 有货
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      ¥4.3
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.18
    • 100+

      ¥2.7257 ¥2.81
    • 500+

      ¥2.5123 ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.3959 ¥2.47
  • 有货
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.76
    • 30+

      ¥4.69
    • 100+

      ¥4.4911 ¥4.63
  • 有货
  • 平面低正向电压(V_F)肖特基势垒整流器,采用CFP15B(SOT1289B)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥4.77
    • 30+

      ¥4.71
    • 100+

      ¥4.464 ¥4.65
  • 有货
  • 400W单向瞬态电压抑制器,采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装,专为高温应用中的瞬态过电压保护而设计。
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥4.03
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.072 ¥3.2
    • 500+

      ¥2.832 ¥2.95
    • 1000+

      ¥2.7072 ¥2.82
  • 有货
  • 采用LFPAK56封装的300A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术的NextPowerS3产品组合,可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率、低尖峰性能,同时不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥3.92
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.9
    • 500+

      ¥2.61
    • 1500+

      ¥2.47
  • 有货
  • 是一个8位反相缓冲器/线路驱动器,具有三态输出。该设备具有两个输出使能(OE1和OE2)。OEn上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。输入包括钳位二极管,这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.5493 ¥4.69
  • 有货
  • 逻辑电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,采用 LFPAK33 (Power33) 封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
    • 10+

      ¥4.63
    • 30+

      ¥4.15
    • 100+

      ¥3.5232 ¥3.67
    • 500+

      ¥3.2448 ¥3.38
    • 1500+

      ¥3.1104 ¥3.24
  • 有货
  • 是一款具有三态输出的8位收发器。该器件具有输出使能 (OE) 和发送/接收 (DIR) 用于方向控制。OE 为高电平时,输出呈现高阻抗关断状态。输入具有过压容限,此特性允许该器件在混合电压环境中用作转换器。该产品已通过汽车电子委员会 (AEC) Q100 (1级) 标准认证,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.73
    • 10+

      ¥4.66
    • 30+

      ¥4.12
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      ¥3.5182 ¥3.59
    • 500+

      ¥3.2046 ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.0478 ¥3.11
  • 有货
    • 1+

      ¥6.15
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      ¥5.09
    • 30+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥3.8784 ¥4.04
    • 500+

      ¥3.5712 ¥3.72
    • 1500+

      ¥3.4176 ¥3.56
  • 有货
  • 逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.21
    • 10+

      ¥6.09
    • 30+

      ¥6.01
    • 100+

      ¥5.7024 ¥5.94
  • 有货
  • Trench MEGA肖特基势垒整流器,采用CFP15(SOT1289)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.54
    • 10+

      ¥7.4
    • 30+

      ¥7.3
    • 100+

      ¥6.9216 ¥7.21
  • 有货
  • 是一款8位双电源收发器,可实现双向电平转换。它具有两个8位输入输出端口(An和Bn)、一个方向控制输入(DIR)、一个输出使能输入(OE)和双电源引脚VCC(A)和VCC(B)。VCC(A)和VCC(B)均可在0.8V至3.6V之间的任何电压下供电,使该器件适用于任何低压节点(0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V和3.3V)之间的转换。引脚An、OE和DIR参考VCC(A),引脚Bn参考VCC(B)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥6.47
    • 30+

      ¥5.93
    • 100+

      ¥5.39
    • 500+

      ¥4.75
    • 1000+

      ¥4.58
  • 有货
  • 逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET,采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.29
    • 10+

      ¥8.13
    • 30+

      ¥8.02
    • 100+

      ¥7.45
  • 有货
  • 沟槽最大效率通用型(MEGA)肖特基势垒整流器,采用CFP15(SOT1289)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.96
    • 10+

      ¥10.36
    • 30+

      ¥9.37
    • 100+

      ¥8.0064 ¥8.34
    • 500+

      ¥7.5648 ¥7.88
    • 1000+

      ¥7.3728 ¥7.68
  • 有货
  • 是8位双电源转换收发器,具有三态输出,可实现双向电平转换。它们具有两个数据输入输出端口(引脚An和Bn)、一个方向控制输入(DIR)、一个输出使能输入(OE)和双电源引脚VCC(A)和VCC(B)。VCC(A)和VCC(B)均可在1.2V至5.5V之间的任何电压下供电,这种灵活性使该器件适用于任何低压节点(1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V)之间的转换。引脚An、OE和DIR参考VCC(A),引脚Bn参考VCC(B)
    数据手册
    • 1+

      ¥12.1
    • 10+

      ¥10.45
    • 30+

      ¥9.42
    • 100+

      ¥8.1092 ¥8.36
    • 500+

      ¥7.6436 ¥7.88
    • 1000+

      ¥7.4496 ¥7.68
  • 有货
    • 1+

      ¥12.15
    • 10+

      ¥11.91
    • 30+

      ¥11.76
  • 有货
  • 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET,采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术,可实现高效率、低尖峰性能,通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关,但没有高泄漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.28
    • 10+

      ¥10.65
    • 30+

      ¥9.62
    • 100+

      ¥8.2272 ¥8.57
    • 500+

      ¥7.776 ¥8.1
    • 1500+

      ¥7.5744 ¥7.89
  • 有货
  • 逻辑电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,采用LFPAK56(Power SO8)封装。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.17
    • 10+

      ¥13.14
    • 30+

      ¥11.88
    • 100+

      ¥10.1568 ¥10.58
    • 500+

      ¥9.5904 ¥9.99
    • 1500+

      ¥9.3504 ¥9.74
  • 有货
  • 采用LFPAK56D封装(半桥配置)的双路标准电平N沟道MOSFET,运用Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已依据AEC - Q101标准进行设计和认证。高端FET的源极(S1)与低端FET的漏极(D2)内部相连,使该器件非常适合在高性能汽车PWM应用中用作半桥开关
    • 1+

      ¥25.76
    • 10+

      ¥22.54
    • 30+

      ¥20.63
    • 100+

      ¥17.952 ¥18.7
    • 500+

      ¥17.0976 ¥17.81
    • 1500+

      ¥16.704 ¥17.4
  • 有货
  • 使用最新的沟槽 9 低欧姆超结技术的汽车级 N 沟道 MOSFET,采用铜夹 LFPAK88 封装。该产品经过全面设计和认证,满足并超越 AEC-Q101 要求,具有高性能和高可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.673 ¥40.9
    • 10+

      ¥34.9479 ¥40.17
    • 30+

      ¥30.5613 ¥39.69
    • 100+

      ¥30.184 ¥39.2
  • 有货
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