安世驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52H-A3V0-QX 编号：C7507883

封装：SOD-123F

品牌：Nexperia(安世)

通用齐纳二极管，采用SOD123F小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥3.27
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￥3.21
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￥3.17
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￥2.9952 ￥3.12

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型号：74HCT595BQ,115 编号：C99709

封装：DHVQFN-16(2.5x3.5)

品牌：Nexperia(安世)

是一个8位串行输入/串行或并行输出的移位寄存器，带有存储寄存器和三态输出。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入（DS）和一个串行输出（Q7S），以实现级联功能，还有一个异步复位MR输入。MR上的低电平将复位移位寄存器

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￥3.41
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￥1.8048 ￥1.88

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型号：BZX84-A2V4-QR 编号：C7508169

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

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￥3.49
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型号：BUK7M11-40HX 编号：C549882

封装：LFPAK33-8

品牌：Nexperia(安世)

采用Trench 9 TrenchMOS技术的LFPAK33封装汽车级标准N沟道MOSFET。该产品已通过AEC-Q101认证，适用于高性能汽车应用。

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￥3.8835 ￥8.63
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型号：BUK6Y10-30PX 编号：C3278350

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

P- 通道增强模式 MOSFET，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 LFPAK56 (Power SO8) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反向电池保护。

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￥3.98
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￥3.8

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型号：74HC166D,653 编号：C131891

封装：SOIC-16

品牌：Nexperia(安世)

是8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器。该设备具有一个串行数据输入 (DS)、八个并行数据输入 (D0至D7) 和一个串行输出 (Q7)。当并行使能输入 (PE) 为低电平时，D0至D7的数据将在时钟输入 (CP) 从低到高转换时加载到移位寄存器中。当PE为高电平时，数据在CP的每次从低到高转换时从DS串行进入寄存器。当时钟使能输入 (CE) 为低电平时，数据在CP的从低到高转换时移位。CE为高电平时禁用CP输入。输入包括钳位二极管，允许使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

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型号：74HC154PW,118 编号：C21061

封装：TSSOP-24

品牌：Nexperia(安世)

4-to-16线解码器/分离器

数据手册

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￥6.02
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型号：74CB3Q3257BQX 编号：C546423

封装：DHVQFN-16-EP(2.5x3.5)

品牌：Nexperia(安世)

是一款四通道高带宽单刀双掷 FET 总线开关。该器件具有一个选择输入 (S) 和一个输出使能输入 (OE)。当 OE 输入为高电平时，开关禁用。内部电荷泵提高了 NMOS 传输晶体管的栅极电压。这改善了 RON 和 RON(flat) 性能，并能够在 VCC = 3.3V 时切换 5V 信号。

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￥4.896 ￥6.8
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型号：74LVC377PW,118 编号：C458248

封装：TSSOP-20

品牌：Nexperia(安世)

74LVC377是一款八进制正边沿触发D型触发器。该器件具有时钟（CP）和数据使能（E）输入。当E为低电平时，输出Qn将呈现其相应D输入的状态，这些D输入需满足时钟（CP）从低到高转换时的建立时间和保持时间要求

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￥5.04
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型号：BUK7Y12-100EX 编号：C549907

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

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￥6.2112 ￥6.47

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型号：BUK9K6R8-40E 编号：C6423725

封装：LFPAK56D

品牌：Nexperia(安世)

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￥7.13
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型号：HEF4069UBTT,118 编号：C551469

封装：TSSOP-14

品牌：Nexperia(安世)

是一款六非缓冲反相器。输入包括钳位二极管，这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VDD的电压。

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￥7.5
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型号：NCA9535PWJ 编号：C20235689

封装：TSSOP-24

品牌：Nexperia(安世)

提供16位通用输入/输出（GPIO）扩展，适用于I²C总线/SMBus应用。设计用于1.65V至5.5V的宽电压范围，并带有中断功能。当需要额外的IO且尽量减少互连时，可提供优雅的解决方案，例如在ACPI电源开关、传感器、按钮、LED和风扇控制中。包含一组8位输入、输出、配置和极性反转寄存器

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型号：BUK9K32-100EX 编号：C549999

封装：SOT-1205

品牌：Nexperia(安世)

双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双 Power-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。

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型号：BUK9M4R3-40HX 编号：C550020

封装：SOT-1210

品牌：Nexperia(安世)

汽车级逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK33 封装和 Trench 9 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

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￥8.4576 ￥8.81
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￥7.7856 ￥8.11

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型号：BUK7M6R0-40HX 编号：C549893

封装：SOT-1210

品牌：Nexperia(安世)

采用Trench 9 TrenchMOS技术的LFPAK33封装的汽车级标准N沟道MOSFET。该产品已通过AEC-Q101认证，适用于高性能汽车应用。

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￥13.17
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￥8.8224 ￥9.19
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￥8.3328 ￥8.68
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￥8.1216 ￥8.46

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型号：74HC7014D,118 编号：C547143

封装：SOP-14

品牌：Nexperia(安世)

是一款带有精密施密特触发器输入的六缓冲器。精确定义的触发电平位于 0.55×VCC 和 0.65×VCC 之间的窗口内，这使得电路适合在高噪声环境中运行。允许输入短路至 -1.5V 和 +16V，而不会干扰其他通道。输入包括钳位二极管，这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。施密特触发器输入将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。

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