安世驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74AUP1GU04GM,132 编号：C545937

封装：XSON-6(1x1.5)

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

1+
￥4.6
10+
￥3.68
30+
￥3.21
100+
￥2.695 ￥2.75
500+
￥2.4304 ￥2.48
1000+
￥2.2932 ￥2.34

有货

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型号：BUK9K134-100EX 编号：C549994

封装：LFPAK56D

品牌：Nexperia(安世)

双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双 Power-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

数据手册

1+
￥4.89
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￥4.05
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￥3.63
100+
￥3.0816 ￥3.21
500+
￥2.8416 ￥2.96
1500+
￥2.7168 ￥2.83

有货

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型号：74AHCT541PW,118 编号：C84548

封装：TSSOP-20

品牌：Nexperia(安世)

74AHC541、74AHCT541是一款具有三态输出的8位缓冲器/线路驱动器。该器件具备两个输出使能端（OE1和OE2）

数据手册

1+
￥5.5
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￥4.67
30+
￥4.32
100+
￥3.686 ￥3.88
500+
￥3.496 ￥3.68
1000+
￥3.382 ￥3.56

有货

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型号：74LVC16245ADGG,118 编号：C548160

封装：TSSOP-48-6.1mm

品牌：Nexperia(安世)

74LVC16245A、74LVCH16245A 是一款具有三态输出的 16 位收发器。该器件可用作两个 8 位收发器或一个 16 位收发器

数据手册

1+
￥5.87
10+
￥4.85
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￥4.33
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￥3.7436 ￥3.82
500+
￥3.185 ￥3.25
1000+
￥3.038 ￥3.1

有货

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型号：BAT721C,215 编号：C255582

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.14
30+
￥4.58
100+
￥3.8994 ￥4.02
500+
￥3.5793 ￥3.69
1000+
￥3.4047 ￥3.51

有货

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型号：PMEG6045ETPX 编号：C552943

封装：SOD-128

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

1+
￥6.74
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￥5.53
30+
￥4.93
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￥4.2001 ￥4.33
500+
￥3.8509 ￥3.97
1000+
￥3.6666 ￥3.78

有货

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型号：BUK962R5-60E,118 编号：C549971

封装：D2PAK

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 SOT404 封装和 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

数据手册

1+
￥7.75
10+
￥7.12
30+
￥6.72
100+
￥6.1207 ￥6.31
500+
￥5.9461 ￥6.13
800+
￥5.8685 ￥6.05

有货

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型号：PBSS305PZ,135 编号：C551857

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP低VCEsat小信号（BISS）晶体管，采用SOT223（SC-73）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。NPN互补型号为PBSS305NZ。

数据手册

1+
￥7.83
10+
￥6.64
30+
￥5.99
100+
￥5.04 ￥5.25
500+
￥4.7328 ￥4.93
1000+
￥4.5888 ￥4.78

有货

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型号：PSMN2R0-25MLDX 编号：C553243

封装：SOT-1210

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK33 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现有问题的高泄漏电流。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.78
30+
￥7.02
100+
￥5.9136 ￥6.16
500+
￥5.5392 ￥5.77
1500+
￥5.376 ￥5.6

有货

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型号：74AHCV541APWJ 编号：C554734

封装：TSSOP-20

品牌：Nexperia(安世)

是一款具有三态输出和施密特触发器输入的8位缓冲器/线路驱动器。该器件具有两个输出使能端（OE1和OE2）。OE上的高电平使相关输出呈现高阻抗关断状态。输入具有过压容限，此特性允许该器件在混合电压环境中用作转换器。数据（An）和控制（OEn）输入包含施密特触发器输入，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。该器件针对使用IoFF的部分掉电应用进行了全面规格设计。IoFF电路可禁用输出，防止器件掉电时产生破坏性的回流电流。

数据手册

1+
￥9.64
10+
￥8.08
30+
￥7.23
100+
￥6.1348 ￥6.26
500+
￥5.7134 ￥5.83
1000+
￥5.5174 ￥5.63

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型号：PSMN6R1-40HLX 编号：C7508978

封装：SOT-1205

品牌：Nexperia(安世)

双逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56D（双Power-SO8）。

1+
￥16.81
10+
￥14.57
30+
￥13.17
100+
￥11.2608 ￥11.73
500+
￥10.6368 ￥11.08
1000+
￥10.368 ￥10.8

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型号：PSMN4R2-80YSEX 编号：C6359025

封装：LFPAK56,Power-SO8

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56E封装，可在175℃环境下工作。具有极低的RDS(on)和强大的线性模式（SOA）性能，采用高可靠性铜夹LFPAK56E封装。可与最新的“热插拔”控制器配合使用，能够承受启动时的大量浪涌电流，低RDS(on)可将I²R损耗降至最低，完全导通时可实现最佳效率，且占地面积比现有的D2PAK类型小80%。