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首页 > 热门关键词 > 驱动芯片
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LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥9.57
  • 10+

    ¥7.98
  • 30+

    ¥7.1
  • 100+

    ¥6.11
  • 500+

    ¥5.66
  • 1000+

    ¥5.47
  • 有货
  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.56
    • 10+

      ¥10.67
    • 25+

      ¥8.67
    • 100+

      ¥7.46
    • 500+

      ¥6.91
    • 1000+

      ¥6.67
  • 有货
  • IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品,该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关,无需使用电荷泵,从而将电磁干扰(EMI)降至最低
    • 1+

      ¥22.37
    • 10+

      ¥19.03
    • 30+

      ¥17.05
    • 100+

      ¥15.04
    • 500+

      ¥14.12
  • 有货
  • DRV8412 70V、6A 双通道 H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.18
    • 10+

      ¥28.29
    • 30+

      ¥25.38
    • 100+

      ¥22.43
    • 500+

      ¥21.08
    • 1000+

      ¥20.46
  • 有货
  • 快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥48.57
    • 10+

      ¥42.05
    • 30+

      ¥38.08
    • 100+

      ¥34.75
  • 有货
  • 用于步进电机的S形斜坡和SixPoint™斜坡运动控制器针对高速运行进行了优化,支持动态更改。TMC4361A提供SPI和步进/方向(Step/Dir)接口,以及用于闭环操作的编码器接口。 TMC4361A是一款用于步进电机驱动器的小型高性能运动控制器,特别为具有广泛斜坡曲线的快速且限 jerk 运动曲线应用而设计。S形或SixPoint™速度曲线、闭环和开环功能提供了多种配置选项,以满足用户的规格要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥57.71
    • 10+

      ¥50.1
    • 30+

      ¥45.46
    • 100+

      ¥41.57
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7218 ¥0.802
    • 50+

      ¥0.58275 ¥0.6475
    • 150+

      ¥0.51318 ¥0.5702
    • 500+

      ¥0.46098 ¥0.5122
    • 2500+

      ¥0.41931 ¥0.4659
    • 4000+

      ¥0.39843 ¥0.4427
  • 有货
    • 5+

      ¥0.804688 ¥1.0588
    • 50+

      ¥0.63612 ¥0.837
    • 150+

      ¥0.56392 ¥0.742
    • 500+

      ¥0.473784 ¥0.6234
    • 3000+

      ¥0.433656 ¥0.5706
    • 6000+

      ¥0.409564 ¥0.5389
  • 有货
  • 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
    • 5+

      ¥1.034704 ¥1.1758
    • 50+

      ¥0.812944 ¥0.9238
    • 150+

      ¥0.717904 ¥0.8158
    • 500+

      ¥0.599368 ¥0.6811
    • 3000+

      ¥0.546568 ¥0.6211
    • 6000+

      ¥0.514888 ¥0.5851
  • 有货
  • 单线圈,24V,FG信号输出,堵转保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6507
    • 50+

      ¥1.4512
    • 150+

      ¥1.3657
    • 500+

      ¥1.2591
    • 2500+

      ¥1.0735
    • 5000+

      ¥1.045
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6836
    • 50+

      ¥1.3459
    • 150+

      ¥1.2012
  • 有货
  • GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器,可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流,以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为13ns,20V的电源轨使其适用于高频功率转换器应用。负输入可低至 -5V,以增强输入抗噪声能力
    • 1+

      ¥1.747
    • 10+

      ¥1.4089
    • 30+

      ¥1.264
    • 100+

      ¥1.0832
    • 500+

      ¥0.9016
    • 1000+

      ¥0.8533
  • 有货
  • SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q
    • 5+

      ¥1.792 ¥2.24
    • 50+

      ¥1.384 ¥1.73
    • 150+

      ¥1.216 ¥1.52
    • 500+

      ¥1.184 ¥1.48
    • 2500+

      ¥1.088 ¥1.36
    • 5000+

      ¥1.024 ¥1.28
  • 有货
  • MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET,或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力,MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓(GaN)FET 所需的特性
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9102
    • 50+

      ¥1.4816
    • 150+

      ¥1.298
    • 500+

      ¥1.0688
    • 3000+

      ¥0.9668
    • 6000+

      ¥0.9056
  • 有货
  • 是一款双桥电机驱动器,具有两个H桥驱动器,可以驱动两个直流有刷电机或一个双极步进电机、螺线管或其他电感负载。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9394
    • 50+

      ¥1.511
    • 150+

      ¥1.3274
    • 500+

      ¥1.0983
    • 2500+

      ¥0.9963
    • 4000+

      ¥0.9351
  • 有货
  • 双通道(双反)、 四输入 25V 4A/4A SOP-8
    • 5+

      ¥2.0624
    • 50+

      ¥1.6088
    • 150+

      ¥1.4144
    • 500+

      ¥1.1719
    • 2500+

      ¥1.0639
    • 4000+

      ¥0.999
  • 有货
  • 600V,IO+1A/-1.5A,大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.65
  • 有货
  • TPS51604 适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.9
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.2
  • 有货
  • EG2181D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2181D高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V,静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10±2A/2.5A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥2.48
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.54
    • 1000+

      ¥1.45
  • 有货
  • U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥2.49
    • 30+

      ¥2.19
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.54
  • 有货
  • 单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥3.29 ¥3.5
    • 10+

      ¥2.679 ¥2.85
    • 30+

      ¥2.3782 ¥2.53
    • 100+

      ¥2.0774 ¥2.21
    • 500+

      ¥1.7484 ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.6544 ¥1.76
  • 有货
  • ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器,能够在最高25V的电源电压下,向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns,相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关,以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真
    数据手册
    • 1+

      ¥3.59
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.63
    • 100+

      ¥2.27
    • 500+

      ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.59
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.924 ¥4.36
    • 10+

      ¥3.141 ¥3.49
    • 30+

      ¥2.754 ¥3.06
    • 100+

      ¥2.367 ¥2.63
    • 500+

      ¥2.142 ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.016 ¥2.24
  • 有货
  • 具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动,带关断和可编程死区时间控制功能
    • 1+

      ¥3.996 ¥4.44
    • 10+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 30+

      ¥2.826 ¥3.14
    • 100+

      ¥2.439 ¥2.71
    • 500+

      ¥2.214 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.088 ¥2.32
  • 有货
  • 此款DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.35
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.54
    • 500+

      ¥2.29
    • 1000+

      ¥2.17
  • 有货
  • TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外,TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很高的抗闩锁能力
    数据手册
    • 1+

      ¥4.23
    • 10+

      ¥3.43
    • 30+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.62
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
    • 1+

      ¥4.369 ¥5.14
    • 10+

      ¥3.57 ¥4.2
    • 30+

      ¥3.179 ¥3.74
    • 100+

      ¥2.7795 ¥3.27
    • 500+

      ¥2.55 ¥3
    • 1000+

      ¥2.431 ¥2.86
  • 有货
  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.136 ¥6.42
    • 10+

      ¥4.632 ¥5.79
    • 30+

      ¥4.36 ¥5.45
    • 100+

      ¥4.04 ¥5.05
    • 500+

      ¥3.904 ¥4.88
    • 1000+

      ¥3.84 ¥4.8
  • 有货
  • 高低侧同相 带使能和故障报告, 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动,逆变器驱动
    • 1+

      ¥5.16 ¥6.45
    • 10+

      ¥4.168 ¥5.21
    • 30+

      ¥3.68 ¥4.6
    • 100+

      ¥3.088 ¥3.86
    • 500+

      ¥2.8 ¥3.5
    • 1000+

      ¥2.648 ¥3.31
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.52
    • 10+

      ¥4.48
    • 30+

      ¥3.96
    • 100+

      ¥3.44
    • 500+

      ¥3.13
    • 1000+

      ¥2.97
  • 有货
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