驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZH6242CJA 编号：C53184459

封装：ESOP-8

品牌：Semiment(赛卓)

高集成度的H桥驱动芯片、40V、通用型

1+
￥3.25
10+
￥2.57
30+
￥2.28
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：COS27423SR 编号：C5334498

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

4.5A，4.5V-25V，双反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

5+
￥3.28
50+
￥2.52
150+
￥2.2
500+
￥1.79
2500+
￥1.61
4000+
￥1.5

有货

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型号：IRS4426STRPBF-JSM 编号：C7466363

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：6V~25V 峰值灌电流：2.0A 峰值拉电流：2.0A

1+
￥3.303 ￥3.67
10+
￥3.222 ￥3.58
30+
￥3.177 ￥3.53
100+
￥3.123 ￥3.47

有货

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型号：EG2184 编号：C2929094

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能 MOS 管驱动芯片

数据手册

1+
￥3.35
10+
￥2.62
30+
￥2.3
100+
￥1.91

有货

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型号：SS6343M 编号：C5370899

封装：QFN-24-EP(3x4)

品牌：LEADPOWER(率能)

SS6343M产品为三相无刷直流电机驱动器。他们集成了三个半桥，包括六个N沟道功率MOS FET，以及前置驱动器、栅极驱动电源。SS6343M为每个½-H电桥提供使能和PWM输入。

1+
￥3.43
10+
￥3.04
30+
￥2.85
100+
￥2.66
500+
￥2.54

有货

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型号：HX4425-P 编号：C19186057

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，提供更高输出电流版本，引脚兼容，专为要求更苛刻的电气环境设计，能在额定功率和电压范围内的任何条件下提供可靠服务，能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰，与其他CMOS或双极驱动器相比，更易于使用、操作更灵活、容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并提供稳定的电压波动。主要用于驱动功率MOSFET，也适用于驱动其他需要低阻抗、峰值电流和快速开关时间的负载，如电容器、电阻器或电感器，可与重型时钟线、同轴电缆或压电换能器配合使用，唯一的限制是驱动器的总功耗必须保持在封装的最大功耗限制内。

1+
￥3.43
10+
￥2.76
50+
￥2.43
100+
￥2.1

有货

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型号：HX4424-P 编号：C19186056

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

该系列是高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，提供了HX4426/4427/4428的更高输出电流版本，并改进了特性。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专为更苛刻的电气环境设计，能在额定功率和电压范围内的任何条件下提供可靠服务，能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰，无论极性如何。与其他CMOS或双极驱动器相比，HX4423/4424/4425驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低，并提供稳定的电压波动

1+
￥3.43
10+
￥2.76
50+
￥2.43

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型号：IXDI504SIA-JSM 编号：C7498962

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

1+
￥3.44 ￥4.3
10+
￥2.744 ￥3.43
30+
￥2.4 ￥3
100+
￥2.056 ￥2.57
500+
￥1.856 ￥2.32
1000+
￥1.744 ￥2.18

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型号：TM1729 编号：C125160

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：TM(天微)

低功耗字段式LCD显示驱动控制芯片，最高支持208段。

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.81
30+
￥2.51
250+
￥1.85

有货

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型号：TF2183M-TR 编号：C17701721

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.519 ￥3.91
10+
￥3.438 ￥3.82
30+
￥3.384 ￥3.76
100+
￥3.33 ￥3.7

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型号：TF21814M-TR-JSM 编号：C7498986

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.704 ￥4.63
10+
￥3.616 ￥4.52
30+
￥3.552 ￥4.44
100+
￥3.488 ￥4.36

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型号：TC4427VPA-JSM 编号：C20616627

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 TC4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

1+
￥3.753 ￥4.17
10+
￥3.06 ￥3.4
50+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.989 ￥2.21
1000+
￥1.881 ￥2.09

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型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.87
10+
￥3.78
30+
￥3.71
100+
￥3.65

有货

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型号：SLM7888CH 编号：C883212

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.18
30+
￥2.8
100+
￥2.42
500+
￥2.19

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型号：NUD3124LT1G 编号：C85758

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.17
30+
￥2.78
100+
￥2.4
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

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型号：LF21844NTR-JSM 编号：C7498951

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.96 ￥4.4
10+
￥3.861 ￥4.29
30+
￥3.798 ￥4.22
100+
￥3.735 ￥4.15

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型号：SiLM2660CD-DG 编号：C41433639

封装：TSSOP-16

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

1+
￥3.99
10+
￥3.22
30+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.21

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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

1+
￥3.99
10+
￥3.22
30+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.21
1000+
￥2.09

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型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

1+
￥4.05
10+
￥3.28
30+
￥2.89
100+
￥2.51
500+
￥2.28
1000+
￥2.17

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型号：SY67134FCC 编号：C5441015

封装：SO-8-EP

品牌：Silergy(矽力杰)

是一款用于运动控制应用的H桥电机驱动解决方案。高度集成的H桥驱动模块由两个半桥组成，具有内部逻辑控制、栅极驱动、过流保护和电荷泵电路。工作电源电压范围为5V至40V，最大输出电流为3.6A。为与行业标准设备兼容，使用PWM输入接口。还提供过流保护、欠压锁定和热关断保护。采用SO8E封装。

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92
100+
￥2.4638 ￥2.54
500+
￥2.2407 ￥2.31
1000+
￥2.1243 ￥2.19

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型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.148 ￥4.88
10+
￥4.0545 ￥4.77
30+
￥3.9865 ￥4.69
100+
￥3.9185 ￥4.61

有货

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型号：IX4428MTR 编号：C2653818

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端各自都能提供和吸收 1.5A 的峰值电流，上升和下降时间小于 10ns。每个驱动器的输入与 TTL 和 CMOS 兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间，使其非常适合高频和高功率应用。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥4.16
30+
￥4.09
100+
￥4.03

有货

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型号：SLM2181CA-DG 编号：C2986826

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:180/200 ns， DT:NA; MT:35ns

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.43
30+
￥3.01

有货

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型号：UCC27511AQDBVRQ1 编号：C2653788

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

数据手册

1+
￥4.57
10+
￥3.71
30+
￥3

有货

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型号：UCC27531DR 编号：C2677154

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

数据手册