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单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.149 ￥5.42
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￥4.199 ￥4.42
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￥2.565 ￥2.7

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型号：DRV8251DDAR 编号：C3681116

封装：SO-8-EP

DRV8251 具有集成电流调节和锁存 OCP 功能的 50V、4.1A H 桥电机驱动器

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￥3.52
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￥2.49
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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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￥5.51
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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

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￥3.47

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

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￥6.64
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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

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￥18.75
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￥15
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￥12.66
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￥10.26
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￥9.17
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￥8.7

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型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥19.02
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￥14.13
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￥11.33
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￥10.95

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型号：DRV8244SQRYJRQ1 编号：C3681071

封装：VQFN-16-HR(3x6)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

数据手册

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￥21.07
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￥17.99
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￥16.15
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￥14.24
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￥13.39
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￥13

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型号：SM16306SJ 编号：C2830324

封装：QSOP-24

品牌：明微

是一款带有内置CMOS移位寄存器和锁存功能的LED恒流驱动芯片，可将串行输入数据转换为并行输出数据格式。工作电压为3.3V-5.5V，提供16个电流源，每个输出端口可提供3mA-32mA的恒流；单个IC芯片的输出电流差异小于±2.5%；多个IC之间的输出电流差异小于±3.5%；通道输出电流不随输出电压(VDS)的变化而变化，且受电压和环境温度的影响小于1%；每个通道的输出电流由外部电阻调节。支持高达25MHz的时钟频率，可满足系统对海量数据传输的要求。

数据手册

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￥0.3884
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￥0.3217
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￥0.188

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.2243
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￥0.9551
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￥0.8397
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￥0.6958
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型号：L9110SM/TR 编号：C725348

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

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￥1.3007
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￥1.0235
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￥0.7565
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￥0.6687
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￥0.6291

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

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￥1.4703
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￥1.1326
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￥0.9879
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￥0.8896
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￥0.8092
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￥0.7609

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

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￥1.510595 ￥1.5901
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￥1.175435 ￥1.2373
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￥1.031795 ￥1.0861
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￥0.852625 ￥0.8975
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￥0.826025 ￥0.8695
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￥0.77805 ￥0.819

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

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￥1.704 ￥2.13
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.128 ￥1.41
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￥1 ￥1.25
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￥0.936 ￥1.17

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V

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￥1.9261
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￥1.5097
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￥1.3313
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￥0.9501

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型号：SL27517A 编号：C46061827

封装：SOT-23-5L

品牌：Slkor(萨科微)

是 4A 对称驱动单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效且安全地驱动 MOSFET、IGBT 和新兴的 WBG 功率开关。低传播延迟和紧凑的 SOT-23 封装可实现数百 kHz 的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步 MOSFET 的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 20V，可通过 MOSFET 或 GaN 功率开关进行有效驱动。集成 UVLO 保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V 至 20V，可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下实现稳定运行。输入阈值与 TTL 输入兼容。

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￥2.171605 ￥2.2859
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￥1.716745 ￥1.8071
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￥1.521805 ￥1.6019
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￥1.170305 ￥1.2319
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￥1.10523 ￥1.1634

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型号：EG2104 编号：C186697

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高性价比, 600V，半桥式Nmos预驱动器

数据手册

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￥2.47
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￥1.88
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￥1.63
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￥1.32
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￥1.28
1000+
￥1.19

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型号：IRS21864STR(UMW) 编号：C20623186

封装：SOP-14

IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.49
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￥2.21
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￥2.07
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￥1.93
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￥1.8

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型号：PM8834TR 编号：C221495

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

4 A双低侧MOSFET驱动器

数据手册

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￥2.89
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￥2.24
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￥1.96
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￥1.61
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￥1.45
1000+
￥1.36

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型号：UCC27714DR(UMW) 编号：C20623188

封装：SOP-14

UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥3.04
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￥2.39
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￥2.1
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￥1.75
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￥1.6
1000+
￥1.5

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型号：IR4428STRPBF-JSM 编号：C5804613

封装：SOP-8

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥3.2895 ￥3.87
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￥2.6265 ￥3.09
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￥2.295 ￥2.7
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￥1.972 ￥2.32
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.6745 ￥1.97

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

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￥3.31
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￥2.57
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￥2.26
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￥1.86
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￥1.62
1000+
￥1.52

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型号：SLM2110CG 编号：C496629

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS

数据手册

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￥3.92
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￥3.13
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￥2.73
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￥2.34
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￥2.12
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￥1.99

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型号：SBD63006MUV-E2 编号：C44606229

封装：QFN-24-EP(4x4)

BD63006是一款三相无刷电机驱动器，额定电源电压33V，额定输出电流1.5A。使用外部霍尔传感器换向，通过输入PWM控制信号产生PWM驱动信号。电源可以使用12V或24V，内部集成各种控制和保护功能，使其适用于各种用途。

1+
￥4.26
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￥3.39
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￥2.96
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￥2.53
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￥2.48
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￥2.34

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型号：DRV8833RTYR 编号：C154936

封装：QFN-16-EP(4x4)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

数据手册

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￥8.01
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￥7.1
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￥6.25
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￥5.35
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型号：DRV8908QPWPRQ1 编号：C3655456

封装：HTSSOP-24

DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器

数据手册

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￥8.63
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￥7.87
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￥7.4
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￥6.92
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型号：TMC2130-LA-T 编号：C915795

封装：QFN-36-EP(5x6)

品牌：TRINAMIC

TMC2130是一款用于两相步进电机的高性能驱动IC。标准SPI和STEP/DIR接口简化了通信。TRINAMIC先进的StealthChop斩波器可确保无噪音运行，同时实现最高效率和最佳电机扭矩。CoolStep功能可将能耗降低多达75%。DcStep能在无失步的情况下尽可能快速驱动高负载。集成功率MOSFET可处理每相绕组高达1.2A RMS（QFN封装）/1.4A RMS（TQFP封装）的电机电流，或每相绕组2.5A的短时峰值电流。保护和诊断功能支持稳定可靠的运行。该行业最先进的步进电机驱动器可实现小型化设计，减少外部元件数量，从而提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

数据手册

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￥23.89
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￥15.89
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￥14.88
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￥14.42

有货

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)