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封装：SOT-23-5

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

1+
￥3.36
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￥2.75
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￥2.49
100+
￥2.16
500+
￥1.81

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型号：COS4427SR 编号：C2685358

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双同相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

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￥2.36
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￥1.82
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￥1.58
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￥1.29
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￥1.16
4000+
￥1.08

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.015 ￥3.35
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￥2.43 ￥2.7
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￥2.142 ￥2.38
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￥1.854 ￥2.06
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￥1.674 ￥1.86
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￥1.584 ￥1.76

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥4.1
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￥3.23
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￥2.8
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￥2.37
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￥2.18

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型号：DRV8833PWPR 编号：C50506

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833 具有电流调节功能的 10.8V、2A、双通道 H 桥电机驱动器

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￥4.9
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￥4.05
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￥3.45
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￥2.95
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￥2.9
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￥2.8

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥6.78
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￥5.7
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￥5.1
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￥4.43
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￥3.47
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￥3.33

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥7.18
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￥5.96
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￥5.28
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￥3.76
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￥3.61

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型号：DRV8818PWPR 编号：C99045

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8818 具有电流调节功能和 1/8 微步进的 35V、2.5A 双极步进电机驱动器

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￥7.67
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￥6.35
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￥5.69
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￥5.03
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￥4.08

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

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￥7.73
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￥6.55
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￥5.91
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￥4.85
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￥4.7

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型号：DRV8912QPWPRQ1 编号：C1855817

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8912-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、12 通道半桥电机驱动器

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￥11.8
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￥10.03
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￥8.92
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￥7.79
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￥7.28
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￥7.06

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型号：MCT8314Z0HRRWR 编号：C34748847

封装：WQFN-24(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

为要驱动12V至24V有刷直流电机的客户提供了一种单芯片无代码含传感器梯形换向器件。集成了三个1/2H桥，具有40V的绝对最大电压和575mΩ的低RDS(ON)（高侧和低侧相结合），可提供大功率驱动能力。集成电流限制功能可限制启动或肩负载条件下的电机电流，同时无需外部检测电阻。集成的5V LDO可为器件生成必要的电压轨并为外部电路供电

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￥12.1
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￥10.69
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￥9.7
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￥8.79
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￥8.37
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￥8.2

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型号：DRV8301DCAR 编号：C98969

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8301 具有降压稳压器、电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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1+
￥20.08
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￥17.19
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￥15.39
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￥12.31
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￥11.48
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￥11.11

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型号：LMG1025QDEERQ1 编号：C1858371

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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￥21.51
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￥18.52
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￥16.66
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￥14.75
500+
￥13.88

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型号：TPS1HTC30AQPWPRQ1 编号：C22414694

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥21.7
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￥19.17
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￥17.88
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￥16.15
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￥15.53
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￥15.27

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型号：DRV103H/2K5 编号：C544418

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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1+
￥27.19
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￥24.02
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￥22.41
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￥20.24
500+
￥19.46
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￥19.13

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型号：GM8023B 编号：C269871

封装：SOT-23-6

品牌：GATEMODE(捷茂微)

最高可达40V工作电压的继电器驱动芯片

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5+
￥0.5054
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￥0.4454
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￥0.4154
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￥0.3929
3000+
￥0.348
6000+
￥0.339

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型号：L9110S-MS 编号：C19272815

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

H桥驱动芯片集成过温保护、欠压保护，应用领域：马达驱动，电动锁具，空气开关，脉冲电磁伐驱动等

5+
￥0.90231 ￥0.9498
50+
￥0.71877 ￥0.7566
150+
￥0.64011 ￥0.6738
500+
￥0.54188 ￥0.5704
2500+
￥0.49818 ￥0.5244
4000+
￥0.47196 ￥0.4968

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型号：SSP8023D 编号：C410984

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

SSP8023D是一款双向继电器驱动电路，用于控制直流电机和磁保持继电器，具备大输出能力和超低功耗。它可广泛应用于智能电表及其他脉冲、电平控制应用场景。

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5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
150+
￥0.8369
500+
￥0.6887
2500+
￥0.6227
4000+
￥0.583

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型号：L9110SM/TR 编号：C725348

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

L9110S 是为控制和驱动电机设计的双通道推挽式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在单片IC 之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。该芯片输入端兼容TTL/CMOS 电平，具有良好的抗干扰性；两个输出端能直接驱动电机做正反向运动，它具备较大的电流驱动能力，每通道能通过800mA 的持续电流，峰值电流能力可达1.5A；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流，使它在驱动继电器、直流电机、步进电机或开关功率管的使用上安全可靠。芯片集成有热关断保护功能模块，检测到芯片PN 结温超过设计阈值时，关断所有电路模块功能。

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5+
￥1.3007
50+
￥1.0235
150+
￥0.9047
500+
￥0.7565
2500+
￥0.6687
5000+
￥0.6291

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型号：JSM2124AT 编号：C50202099

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动芯片，三相高低侧功率驱动芯片驱动配置：高低侧负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管电源电压：8V

5+
￥2.0725
50+
￥1.5937
150+
￥1.3885
500+
￥1.1325
2500+
￥1.0185
4000+
￥0.95

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型号：MX1025D 编号：C5341121

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

低边驱动@@单通道

数据手册

5+
￥2.1028
50+
￥1.6492
150+
￥1.4548
500+
￥1.2843
3000+
￥1.1763
6000+
￥1.1114

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型号：EG4427 编号：C2929102

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.3388
50+
￥1.8489
150+
￥1.639
500+
￥1.377
2500+
￥1.1821
4000+
￥1.1122

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.21
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：EG3116D 编号：C2929098

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

数据手册

1+
￥3.05
10+
￥2.31
30+
￥2
100+
￥1.61
500+
￥1.53
1000+
￥1.42

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型号：UCC27624DR 编号：C3655293

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为5A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.55
30+
￥2.27
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.93
30+
￥2.59
100+
￥2.26
500+
￥2.06
1000+
￥1.96

有货

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型号：FAN3100TSX-JSM 编号：C7432823

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO LSLTTL -40 to 125

1+
￥3.7145 ￥3.91
10+
￥3.0115 ￥3.17
30+
￥2.66 ￥2.8
100+
￥2.3085 ￥2.43
500+
￥1.938 ￥2.04
1000+
￥1.8335 ￥1.93

有货

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型号：TF2106M-TR 编号：C7466361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.728 ￥4.66
10+
￥3 ￥3.75
30+
￥2.64 ￥3.3
100+
￥2.28 ￥2.85
500+
￥2.064 ￥2.58
1000+
￥1.952 ￥2.44

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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1+
￥3.89
10+
￥3.3
30+
￥2.89
100+
￥2.55
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￥2.44
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