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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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型号：VPS8703 编号：C2846906

封装：ESOP-8

品牌：VPSC(源特科技)

VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：BD9876AEFJ-BZE2 编号：C2979148

封装：-

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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型号：UCC27425DR 编号：C1848352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2742x系列高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。该系列提供三种标准逻辑选项——双反相、双同相以及一个反相和一个同相驱动器。采用热增强型8引脚PowerPAD™ MSOP封装（DGN）可大幅降低热阻，提高长期可靠性

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型号：TF21814M-TUH 编号：C42441425

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：ADP3654ARDZ-RL 编号：C659218

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：DRV8876RGTR 编号：C1852100

封装：VFQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8876 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、3.5A H 桥电机驱动器

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型号：NSG21276 编号：C41414526

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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￥5.814 ￥6.12
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型号：SIC654CD-T1-GE3 编号：C1852094

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

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型号：ADP3654ARDZ-R7 编号：C143882

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

高速、双通道、4 A MOSFET驱动器

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型号：DRV8833CPWPR 编号：C191171

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833C 具有电流调节功能的 10.8V、1A、双路 H 桥电机驱动器

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：L297DM/TR 编号：C2987341

封装：SOP-20-300mil

品牌：HGSEMI(华冠)

该产品可在微电脑控制的应用中为两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行，片上PWM斩波电路允许对绕组中的电流进行开关模式控制。该设备的一个特点是只需要时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的，因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。采用DIP20和SO20封装，可与L298N等单片桥驱动器或分立晶体管和达林顿管配合使用。

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型号：NCP51530BDR2G 编号：C904510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：DRV8323HRTAR 编号：C701783

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323 具有电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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型号：UCC27624DGNR 编号：C6581862

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率开关。UCC27624 的典型峰值驱动能力为 5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17 ns）可优化系统的死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和瞬态性能，从而提高功率级效率

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型号：LB11685AV-W-AH 编号：C899589

封装：SSOP-24-275mil

品牌：onsemi(安森美)

LB11685AV是一款三相全波电流线性驱动电机驱动IC。它采用无传感器控制系统，无需使用霍尔效应器件。为实现更安静的运行，LB11685AV配备了电流软开关电路，非常适合驱动冰箱等设备中使用的冷却风扇电机

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型号：MCP1407-E/SN 编号：C52138

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，提供足够低的阻抗（在导通和关断状态下），以确保即使存在大的瞬变，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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￥5.79
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型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

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