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封装：SOT-23-6

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

5+
￥0.9937
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￥0.785
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￥0.6955
500+
￥0.5839
3000+
￥0.5342
6000+
￥0.5044

有货

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型号：SL8023 编号：C5223649

封装：SOT-23-6

品牌：Slkor(萨科微)

SL8023是双向继电器驱动集成电路，用于控制直流电机、磁保持继电器等的工作，具有输出电流大，静态功耗小的特点，可广泛用于智能电表及其他用脉冲、电平转换应用领域。INA、INB用脉冲触发，只要直接把输入端与相应器件的输出端连接就可以工作；触发脉冲按功能表状态触发，继电器就会相应地动作。

数据手册

5+
￥1.0015
50+
￥0.7848
150+
￥0.6919
500+
￥0.5761
3000+
￥0.4987
6000+
￥0.4677

有货

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥1.02222 ￥1.1358
50+
￥0.79542 ￥0.8838
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￥0.69822 ￥0.7758
500+
￥0.57699 ￥0.6411
2500+
￥0.55899 ￥0.6211
4000+
￥0.52659 ￥0.5851

有货

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型号：XJNG0461 编号：C53436482

封装：SOP-16

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥1.05831 ￥1.1759
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￥0.8496 ￥0.944
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￥0.76023 ￥0.8447
500+
￥0.64863 ￥0.7207
2500+
￥0.59895 ￥0.6655
4000+
￥0.56916 ￥0.6324

有货

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型号：DRV8837DSGR-MS 编号：C50385422

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：MSKSEMI(美森科)

DRV8837DSGR-MS是一款H桥有刷电机驱动芯片，1.8V-11V电压供电，RDS(ON)电阻为650mΩ，1.6A峰值驱动输出，支持欠压锁定保护，低功耗休眠模式,PWM电流整流,限流,调向等，广泛用于打印机，汽车电子，工业设备，智能家居等

5+
￥1.0828
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￥0.856
150+
￥0.7588
500+
￥0.6375
3000+
￥0.5835
6000+
￥0.5511

有货

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型号：DOS4427 编号：C42395831

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

2A 双通道超高速功率开关驱动器

5+
￥1.127
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￥0.9842
150+
￥0.923
500+
￥0.8466
2500+
￥0.8126
4000+
￥0.7922

有货

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型号：L9110S 编号：C2895059

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

该专用集成电路（ASIC）将设备控制和驱动电机设计的两通道推挽式功率放大器分立电路集成到单芯片 IC 中，减少了外围设备并降低了成本，提高了整体可靠性。这款芯片有两个与 TTL/CMOS 电平兼容的输入端口，抗干扰性良好；两个输出端可直接驱动电机正反转，具有大电流驱动能力，每个通道可通过 750~800 mA 的连续电流，峰值电流能力可达 1.5~2。

数据手册

5+
￥1.139715 ￥1.1997
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￥0.899555 ￥0.9469
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￥0.796575 ￥0.8385
500+
￥0.668135 ￥0.7033
2500+
￥0.539505 ￥0.5679
5000+
￥0.50521 ￥0.5318

有货

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型号：NCP51100ASNT1G-JSM 编号：C7498961

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

5+
￥1.14896 ￥1.4362
50+
￥0.90216 ￥1.1277
150+
￥0.7964 ￥0.9955
500+
￥0.66448 ￥0.8306
3000+
￥0.60568 ￥0.7571
6000+
￥0.57048 ￥0.7131

有货

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型号：FAN3111CSX-TP 编号：C51939555

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.206956 ￥1.5881
50+
￥0.95418 ￥1.2555
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￥0.845804 ￥1.1129
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￥0.7106 ￥0.935
3000+
￥0.650408 ￥0.8558
6000+
￥0.614308 ￥0.8083

有货

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型号：IRS2104STRPBF-JSM 编号：C5804630

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.296845 ￥1.5257
50+
￥1.138235 ￥1.3391
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￥1.070235 ￥1.2591
500+
￥0.985405 ￥1.1593
2500+
￥0.947665 ￥1.1149
4000+
￥0.925055 ￥1.0883

有货

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型号：UCC27519DBVR-JSM 编号：C7466357

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

5+
￥1.328 ￥1.66
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￥1.16 ￥1.45
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￥1.088 ￥1.36
500+
￥1 ￥1.25
3000+
￥0.96 ￥1.2
6000+
￥0.936 ￥1.17

有货

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.364
50+
￥1.0701
150+
￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468

有货

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型号：PT5606-S 编号：C17701716

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

1+
￥1.411 ￥1.66
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￥1.2325 ￥1.45
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￥1.156 ￥1.36
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￥1.0625 ￥1.25
500+
￥1.02 ￥1.2
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￥0.9945 ￥1.17

有货

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型号：GT4427DTR 编号：C19267459

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.456 ￥1.82
10+
￥1.272 ￥1.59
30+
￥1.192 ￥1.49
100+
￥1.096 ￥1.37
500+
￥1.048 ￥1.31
1000+
￥1.024 ￥1.28

有货

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型号：SL2103 编号：C20539711

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.488 ￥1.86
10+
￥1.304 ￥1.63
30+
￥1.224 ￥1.53
100+
￥1.12 ￥1.4
500+
￥1.072 ￥1.34
1000+
￥1.048 ￥1.31

有货

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型号：INK1102ST 编号：C2840170

封装：SOT-89-5

品牌：CrossChip(成都芯进)

低饱和低压差线性LED驱动器

数据手册

5+
￥1.5149
50+
￥1.1823
150+
￥1.0397

有货

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型号：TMI8118S 编号：C842821

封装：SOP-8

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8118/8118S 是一款为低输入电压下工作的系统而设计的直流电机驱动集成电路，单通道低导通电阻。具备电机正转/反转/停止/刹车四个功能； TMI8118/8118S 内置温度保护功能，当芯片温度急剧升高，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流。 TMI8118S 的封装形式是SOP8，TMI8118的封装形式是SOT23-6，符合ROHS 规范，引脚框架100%无铅。

数据手册

10+
￥1.5871
100+
￥1.2271
300+
￥1.0471
3000+
￥0.9121
6000+
￥0.8041
9000+
￥0.75

有货

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型号：IRS2005STR(UMW) 编号：C20623177

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.6218
50+
￥1.2713
150+
￥1.121
500+
￥0.9336
2500+
￥0.8501
5000+
￥0.8

有货

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型号：EG2011 编号：C48580019

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2011是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

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型号：L293WS(XBLW) 编号：C18723574

封装：SOP-20

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流 Iout600mA

1+
￥1.764 ￥1.96
10+
￥1.539 ￥1.71
30+
￥1.449 ￥1.61
100+
￥1.323 ￥1.47
500+
￥1.269 ￥1.41
1000+
￥1.242 ￥1.38

有货

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型号：U3216S-JSM 编号：C44606288

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

1+
￥1.79
10+
￥1.74
30+
￥1.71

有货

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型号：JSM2203STR 编号：C44606289

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2203S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.8442
50+
￥1.441
150+
￥1.2682
500+
￥1.0526

有货

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型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
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￥1.63
30+
￥1.53
100+
￥1.4
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￥1.34
1000+
￥1.31

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型号：DRV8210DRLR 编号：C3681297

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8210 具有自动睡眠模式的 12V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

5+
￥1.8724
50+
￥1.4542
150+
￥1.2749
500+
￥1.0512
2500+
￥0.9517
4000+
￥0.8919

有货

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型号：RS8801HXF5 编号：C20611882

封装：SOT-23-5

品牌：RUNIC(润石)

低成本栅极驱动设备，可有效替代NPN和PNP分立解决方案。具有5A峰值源极和灌电流对称驱动能力。能够处理输入处的负电压（-4V）。快速传播延迟（典型值11ns）

5+
￥1.9634
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￥1.5098
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￥1.3154
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￥1.0729
3000+
￥0.9649
6000+
￥0.9

有货

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型号：TPM0596-TS3R 编号：C6807509

封装：TSSOP-16

品牌：3PEAK(思瑞浦)

是高压、大电流NMOS晶体管阵列，带有移位寄存器接口。该器件由八个通道的低压侧NMOS晶体管组成，具有高压输出和用于感性负载的续流二极管。单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为500 mA。该器件支持1.8 V至5 V的宽I/O电压范围。晶体管可以并联以实现更高的电流能力。可以取代传统的双极达林顿阵列，具有更好的热效率和可靠性，并节省I/O。

5+
￥1.9634
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￥1.5098
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￥1.3154
500+
￥1.0729

有货

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。