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首页 > 热门关键词 > 驱动芯片
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负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C
数据手册
  • 1+

    ¥6.26
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  • FT8213Q 是一款三相、无传感器 FOC 控制直流无刷马达驱动 IC,内置 Rdson 1Ω 驱动 MOS。芯片高度集成电机控制所需部件,所需外围元器件少,噪声低,电机转矩脉动小。内置 EFUSE,可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择 PWM、模拟输入、I2C 调节电机转速,集成转速指示功能,可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒风量、恒电流和开环控制,具有电机转速指示功能,集成缺相、过压、过流、欠压、限流、过温、堵转等多种保护模式,睡眠电流 45μA。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
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      ¥3.66
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  • GC6208是一款用于摄像机和安全摄像机的镜头电机驱动IC。该装置集成了虹膜的直流电机驱动器,由PID系统控制,以及两个通道的STM电机驱动进行变焦和对焦控制。工作电压在3~5.5V,逻辑电源为2.7~3.6,其工作电流分别在-150mA~150mA与-250mA~250mA,采用QFN44封装类型。内置直流电动机驱动虹膜控制器与2个STM驱动,用于变焦和对焦,STM采用256u级驱动技术,超低噪音,并具有过温保护,欠压保护。提供STM32参考例程及原厂技术支持
    • 1+

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      ¥5.83
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      ¥3.55
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  • TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
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      ¥5.34
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      ¥3.44
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  • FT3216 是一款三相无传感器无刷直流(BLDC)电机驱动器。由于其自适应特性和较宽的电源电压范围,该驱动器可适配多种电机特性,同时只需用户进行极少的调试。速度调节可通过直接 PWM 或模拟电压控制实现
    数据手册
    • 1+

      ¥6.84
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      ¥3.93
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  • 高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • 微功率,超灵敏,霍尔开关
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      ¥3.88
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  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
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  • 内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时可立即关断六通道输出
    • 1+

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  • L6219是一款双极型单片集成电路,旨在控制和驱动双极步进电机的两个绕组,或双向控制两台直流电机。 L6219与少量外部元件构成一个完整的控制和驱动电路,适用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。功率级为双全桥,能承受46V电压,并包含四个用于电流续流的二极管。 提供交叉导通保护,以避免在切换电流方向时出现同时交叉导通的情况。 内部脉冲宽度调制(PWM)将输出电流控制在750 mA,启动峰值电流可达1 A。 通过两个逻辑输入和一个外部参考电压,可实现750 mA(每个桥)的宽范围电流控制。每个桥的相位输入决定负载电流方向。若芯片温度超过安全工作极限,热保护电路将禁用输出。
    数据手册
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      ¥5.1
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  • 高低侧同相 带使能和故障报告, 三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱 电机驱动,逆变器驱动
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      ¥9.18 ¥10.8
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  • IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流,同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。
    数据手册
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      ¥9.76
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  • 特性:单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
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      ¥10.15
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  • NSD5604E / NSD5604NE是一款4通道低侧驱动器,适用于工业应用,包括可编程逻辑控制、通用继电器或其他螺线管驱动器。该设备包括4x并行输入接口,可控制4x独立驱动输出,适用于电阻性、电感性或电容性负载。输出通道可并联以支持高电流负载并降低设备功耗。
    • 1+

      ¥11.51
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  • DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器
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  • 全桥直流电机驱动IC
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    • 100+

      ¥8.04
    • 500+

      ¥7.38
  • 有货
  • NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构(包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.54
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      ¥7.21
    • 1000+

      ¥6.97
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  • LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥19.98
    • 10+

      ¥17.65
    • 30+

      ¥16.47
  • 有货
  • 设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动,并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压
    数据手册
    • 1+

      ¥21.32
    • 10+

      ¥17.97
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      ¥15.98
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      ¥15.57
    • 500+

      ¥14.64
    • 1000+

      ¥14.22
  • 有货
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      ¥21.86
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      ¥20.86
    • 30+

      ¥18.41
    • 100+

      ¥17.81
    • 500+

      ¥17.53
    • 1000+

      ¥17.4
  • 有货
  • MCT8316A 40V 最大电压、8A 峰值电流无传感器梯形控制三相 BLDC 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥23.26
    • 10+

      ¥20.55
    • 30+

      ¥19.17
    • 100+

      ¥17.31
    • 500+

      ¥16.65
    • 1000+

      ¥16.36
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    • 1+

      ¥25.44
    • 10+

      ¥21.56
    • 30+

      ¥19.25
    • 100+

      ¥16.91
    • 500+

      ¥15.84
    • 1000+

      ¥15.35
  • 有货
  • BTN9960LV是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它是MOTIX单半桥产品家族的一员,该产品家族将一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET与一个集成驱动IC封装在一起。由于采用了p沟道高端开关,无需使用电荷泵,从而将电磁干扰(EME)降至最低
    • 1+

      ¥27.92
    • 10+

      ¥23.68
    • 30+

      ¥21.17
    • 100+

      ¥18.62
  • 有货
  • 双H桥
    数据手册
    • 1+

      ¥33.08
    • 10+

      ¥31.47
    • 30+

      ¥30.48
    • 100+

      ¥29.66
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥33.78
    • 10+

      ¥28.95
    • 30+

      ¥26.08
    • 100+

      ¥23.18
  • 有货
  • 是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定(UVLO)可提供保护,同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障,并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能,适用于高可靠性系统(ASIC C/D)的设计。符合汽车应用的严格要求,并完全符合AEC-Q100 1级标准。
    数据手册
    • 2+

      ¥38.28
    • 20+

      ¥33.66
    • 60+

      ¥30.85
    • 200+

      ¥28.49
  • 有货
  • DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A),适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯
    数据手册
    • 1+

      ¥38.4
    • 10+

      ¥33.65
    • 30+

      ¥30.76
    • 75+

      ¥28.34
  • 有货
  • MP6540H和MP6540HA是三相无刷直流电机驱动器。这些器件集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540H的每个半桥都有使能(EN)和PWM输入,而MP6540HA则有独立的高端和低端输入。除此之外,这两款器件完全相同。除非另有说明,本文档中对MP6540H的引用同样适用于MP6540HA。根据散热和PCB条件,MP6540H可提供高达6A的峰值电流和5A的连续输出电流。MP6540H使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压,并采用涓流充电电路,以维持足够的栅极驱动电压,实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定(UVLO)和过流保护(OCP)。MP6540H采用QFN - 26(5mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥60.0148
    • 50+

      ¥52.6661
    • 100+

      ¥47.7896
  • 有货
  • TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC,具备串行通信接口(SPI、UART)和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器,与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应(ICS)的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时,实现绝对无噪音运行。 高度集成、高能效和小尺寸设计,使系统能够实现小型化和可扩展性,从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低,同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管(FET)的阻抗极低,从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N(高端 + 低端)为0.23Ω。 假设使用四层PCB,每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。 每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX,受过流保护(OCP)限制。 由于该电流受散热因素限制,实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性(PCB接地层、散热器、通风等)。 每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A,可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。 非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻,与基于外部检测电阻的主流应用相比,可显著节省空间和功率,同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能,如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定(UVLO)。 在热关断和UVLO事件期间,驱动器将被禁用。 此外,TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。
    • 1+

      ¥61.93
    • 10+

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