驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.87
30+
￥2.5
100+
￥2.14
500+
￥1.92
1000+
￥1.81

有货

立即购买

型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

数据手册

1+
￥27.06
10+
￥23.36
30+
￥21.16
100+
￥18.94
500+
￥17.91

有货

立即购买

型号：L6234PD013TR 编号：C77581

封装：PowerSO-20

品牌：ST(意法半导体)

三相电机驱动器

数据手册

1+
￥28.36
10+
￥27
30+
￥26.19
100+
￥25.36
600+
￥24.99
1200+
￥24.81

有货

立即购买

型号：DRV8316CTQRGFRQ1 编号：C20345370

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C-Q1集成了三个H桥，绝对最大耐压能力为40 V，导通电阻RDS(ON)极低，仅为95 mΩ（高端 + 低端），可为12 V汽车无刷直流电机提供高功率驱动能力。DRV8316C-Q1具备集成式电流感应功能，无需外部检测电阻。DRV8316C-Q1集成了电源管理电路，包括电压可调的降压稳压器（3.3 V / 5 V，200 mA）和低压差线性稳压器（LDO，3.3 V / 30 mA），可用于为外部电路供电。DRV8316C-Q1提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可配合外部微控制器实现有感或无感磁场定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8316C-Q1能够驱动高达200 kHz的PWM频率。DRV8316C-Q1可通过SPI（DRV8316CR-Q1）或引脚（DRV8316CT-Q1）进行高度配置，PWM模式、压摆率、过流保护（OCP）电平、电流感应增益等均为可配置特性。DRV8316C-Q1集成了多项保护功能，包括电源欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、过温警告（OTW）和过温关断（OTSD），可保护器件、电机和系统免受故障影响。故障状态通过nFAULT引脚指示。

1+
￥38.89
10+
￥33.69
30+
￥30.61
100+
￥27.48
500+
￥26.04

有货

立即购买

型号：DRV8432DKDR 编号：C79853

封装：HSSOP-36

品牌：TI(德州仪器)

DRV8432 12A 双路刷式直流或单路双极步进电机驱动器（PWM 控制器）

数据手册

1+
￥88.21
10+
￥77.13
30+
￥66.87

有货

立即购买

型号：FM116C 编号：C2802264

封装：SOT-23-6

品牌：FM(富满)

FM116C 是专为驱动小电流直流马达而设计的集成电路，该电路采用SOT23-6 微型封装，为对空间敏感的系统设计提供理想选择。电路采用H 桥结构，内置功率MOSFET 开关，可实现对负载直流电机正转、反转、刹车以及待机四个功能的控制，刹车功能能使负载电机快速停止转动，待机功能使电路静态功耗极低(小于1uA)。电路内置低阻功率MOSFET 开关，在300mA 负载电流条件下，电路产生的压降500mV，功耗为150mW，在SOT23-6 封装允许的范围之内，电路可长时间持续工作。

数据手册

10+
￥0.2864
100+
￥0.2249
300+
￥0.1942
3000+
￥0.1647
6000+
￥0.1462
9000+
￥0.137

有货

立即购买

型号：BDR6120S 编号：C5455570

封装：SOT23-6

品牌：巴丁微

适用于电子锁、电动牙刷、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电运动控制产品.

10+
￥0.3461
100+
￥0.2763
300+
￥0.2413
3000+
￥0.2152
6000+
￥0.1942
9000+
￥0.1837

有货

立即购买

型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

5+
￥1.2123
50+
￥0.9398
150+
￥0.8229
500+
￥0.6772
3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

有货

立即购买

型号：FAN3111CSX(UMW) 编号：C20623207

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

设计用于在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与 PWM 控制器和其他与驱动器使用相同电源电压的输入信号源配合使用。

5+
￥1.2164
50+
￥0.9535
150+
￥0.8408
500+
￥0.7002
3000+
￥0.6376
6000+
￥0.6

有货

立即购买

型号：FAN3100CSX-TP 编号：C51939553

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.6093 ￥2.1175
50+
￥1.272164 ￥1.6739
150+
￥1.127764 ￥1.4839
500+
￥0.947492 ￥1.2467
3000+
￥0.867236 ￥1.1411
6000+
￥0.819052 ￥1.0777

有货

立即购买

型号：GT4428DTR 编号：C19267460

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

栅极驱动IC 负载类型：MOSFET ,工作范围：4.5V~25V，输出峰值电流：2A,最大输入负压可达 -5V，宽温度范围：-40℃~ 125℃，锁存保护：可承受 0.5A 反向电流，传播延时：40ns

1+
￥1.656 ￥2.07
10+
￥1.448 ￥1.81
30+
￥1.368 ￥1.71
100+
￥1.256 ￥1.57
500+
￥1.208 ￥1.51
1000+
￥1.176 ￥1.47

有货

立即购买

型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥1.8213
50+
￥1.4181
150+
￥1.2453
500+
￥1.0297
2500+
￥0.9897
4000+
￥0.932

有货

立即购买

型号：IRS2103STR(UMW) 编号：C29780641

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
10+
￥1.62
30+
￥1.52
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.3

有货

立即购买

型号：GHD3440QE 编号：C42385771

封装：QFN24

品牌：Geehy(极海半导体)

GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。

5+
￥2.3
50+
￥1.77
150+
￥1.54
500+
￥1.26
3000+
￥1.13
6000+
￥1.05

有货

立即购买

型号：NSG2024 编号：C53436442

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥1.917 ￥2.13
30+
￥1.719 ￥1.91
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.35 ￥1.5
1000+
￥1.287 ￥1.43

有货

立即购买

型号：UCC27518DBVR-TP 编号：C51939679

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1+
￥2.4168 ￥3.18
10+
￥1.9152 ￥2.52
30+
￥1.6948 ￥2.23
100+
￥1.4212 ￥1.87
500+
￥1.3072 ￥1.72
1000+
￥1.2312 ￥1.62

有货

立即购买

型号：FAN7382MX 编号：C5804629

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.457 ￥2.73
10+
￥2.178 ￥2.42
30+
￥2.043 ￥2.27
100+
￥1.899 ￥2.11
500+
￥1.818 ￥2.02
1000+
￥1.782 ￥1.98

有货

立即购买

型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥2.71
10+
￥2.38
30+
￥2.22
100+
￥2.06
500+
￥1.96
1000+
￥1.91

有货

立即购买

型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

数据手册

1+
￥2.76
10+
￥2.17
30+
￥1.92
100+
￥1.6
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

有货

立即购买

型号：EG3114 编号：C20416244

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3114是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3114高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3
10+
￥2.32
30+
￥2.03
100+
￥1.67
500+
￥1.63
1000+
￥1.53

有货

立即购买

型号：NSG10752 编号：C53463331

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥3.384 ￥3.76
10+
￥2.781 ￥3.09
30+
￥2.484 ￥2.76
100+
￥2.178 ￥2.42
500+
￥1.998 ￥2.22
1000+
￥1.908 ￥2.12

有货

立即购买

型号：GC4931P 编号：C16197198

封装：QFN-28

品牌：SX(芯麦)

GC4931P是一款三相无刷直流电机预驱动芯片。芯片可以驱动NMOS，可在4.7~36V电源电压，10A的持续电流下工作，芯片工作温度在-40~110℃。封装形式采用 5mmx5mm的QFN28脚，底部有散热片。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流；堵转保护时间可调；内置霍尔元件；过温保护，过压监测，同步整流等等。提供STM32参考例程及原厂技术支持