驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UCC27519DBVR 编号：C93674

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27519 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.14
30+
￥2.83
100+
￥2.43
500+
￥2.02
1000+
￥1.92

有货

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型号：U3216C 编号：C20626023

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

1+
￥3.16
10+
￥2.46
30+
￥2.16
100+
￥1.79
500+
￥1.68
1000+
￥1.58

有货

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型号：DRV8870DDAR-S 编号：C19077371

封装：ESOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

欠压保护、过流保护、短路保护、过温保护可外部限流低功耗

5+
￥3.36
50+
￥2.71
150+
￥2.39
500+
￥2.07
2500+
￥1.98
5000+
￥1.88

有货

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型号：UCC27524DGNR 编号：C130088

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27524 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.22
30+
￥2.87
100+
￥2.57
500+
￥2.48
1000+
￥2.42

有货

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型号：C8725SP 编号：C51912243

封装：SOP-28

品牌：chipfountain(芯涛微)

C8725 是一颗最大支持 8×16 LED 点阵驱动芯片。每颗 LED 都独立支持 8bit PWM 数据和 256 级线性 PWM 调光。

1+
￥3.75
10+
￥3.01
30+
￥2.63
100+
￥2.27
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：NSG5183 编号：C53436489

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥4.266 ￥4.74
10+
￥3.501 ￥3.89
30+
￥3.123 ￥3.47
100+
￥2.745 ￥3.05
500+
￥2.52 ￥2.8
1000+
￥2.403 ￥2.67

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型号：IR2110STRPBF-JSM 编号：C5804621

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.2925 ￥5.05
10+
￥3.7995 ￥4.47
30+
￥3.553 ￥4.18
100+
￥3.3065 ￥3.89
500+
￥3.0515 ￥3.59
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￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：IRS2186STRPBF 编号：C481265

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥4.32
10+
￥3.45
30+
￥3.02
100+
￥2.59
500+
￥2.34
1000+
￥2.2

有货

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型号：SA8339-MS 编号：C22462547

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。

1+
￥4.37
10+
￥3.55
30+
￥3.14
100+
￥2.73
500+
￥2.49
1000+
￥2.36

有货

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型号：NSG2183 编号：C53436451

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥4.509 ￥5.01
10+
￥3.708 ￥4.12
30+
￥3.303 ￥3.67
100+
￥2.907 ￥3.23
500+
￥2.664 ￥2.96
1000+
￥2.547 ￥2.83

有货

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型号：NSG21867 编号：C53436454

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥4.509 ￥5.01
10+
￥3.708 ￥4.12
30+
￥3.303 ￥3.67
100+
￥2.907 ￥3.23
500+
￥2.664 ￥2.96
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￥2.547 ￥2.83

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型号：SS6343M-QF-TP 编号：C5370899

封装：QFN-24-EP(3x4)

品牌：LEADPOWER(率能)

SS6343M产品为三相无刷直流电机驱动器。他们集成了三个半桥，包括六个N沟道功率MOS FET，以及前置驱动器、栅极驱动电源。SS6343M为每个½-H电桥提供使能和PWM输入。

1+
￥4.57
10+
￥3.67
30+
￥3.23
100+
￥2.78
500+
￥2.52
1000+
￥2.38

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型号：NSG20752 编号：C53463332

封装：SOT-23-6

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥4.815 ￥5.35
10+
￥3.951 ￥4.39
30+
￥3.528 ￥3.92
100+
￥3.096 ￥3.44
500+
￥2.844 ￥3.16
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￥2.718 ￥3.02

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

数据手册

1+
￥5.25
10+
￥4.18
30+
￥3.65
100+
￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.63

有货

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型号：NSG21271 编号：C53436468

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥5.265 ￥5.85
10+
￥4.329 ￥4.81
30+
￥3.852 ￥4.28
100+
￥3.393 ￥3.77
500+
￥3.114 ￥3.46
1000+
￥2.97 ￥3.3

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型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

1+
￥6.25
10+
￥5.12
30+
￥4.56
100+
￥4
500+
￥3.66
1000+
￥3.49

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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥6.32
10+
￥5.24
30+
￥4.7
100+
￥3.23
500+
￥2.91
1000+
￥2.75

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.12
30+
￥4.49
100+
￥3.86
500+
￥3.48
1000+
￥3.28

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

数据手册

1+
￥6.52
10+
￥5.26
30+
￥4.63
100+
￥4
500+
￥3.63
1000+
￥3.43

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

1+
￥6.77
10+
￥5.6
30+
￥4.96
100+
￥4.23
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

1+
￥7.49
10+
￥6.27
30+
￥5.6
100+
￥4.69
500+
￥4.36
1000+
￥4.21

有货

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥7.57
10+
￥6.34
30+
￥5.67
100+
￥4.9
500+
￥4.46
1000+
￥4.31

有货

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥7.84
10+
￥6.28
30+
￥5.5
100+
￥4.69
500+
￥4.22
1000+
￥3.98

有货

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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥8.514 ￥9.46
10+
￥7.173 ￥7.97
30+
￥6.435 ￥7.15
100+
￥5.598 ￥6.22
500+
￥5.229 ￥5.81
1000+
￥5.067 ￥5.63

有货

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型号：MS35776 编号：C5371384

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。

1+
￥9.24
10+
￥8.49
30+
￥8.02
100+
￥7.53
500+
￥7.31
1000+
￥7.22

有货

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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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