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首页 > 热门关键词 > TIMOS驱动
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单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
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  • TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外,TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很高的抗闩锁能力
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  • SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案,可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世(Vishay)专有的5 mm×5 mm MLP封装,使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术,提供业界标杆性能,可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能,可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容,支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式(ZCD_EN#),以改善轻载性能。器件还支持PS4模式,可在系统处于待机状态时降低功耗。
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      ¥3.4006 ¥3.47
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  • NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器,专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定(UVLO)、退饱和(DESAT)保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V
    数据手册
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  • 有货
  • ATA6836C是一款采用智能功率SOI技术设计的全保护型六路半桥驱动器,用于在汽车和工业应用中通过微控制器控制多达六种不同负载。六个高端驱动器和六个低端驱动器中的每一个都能够驱动高达650mA的电流。这些驱动器在内部连接形成六个半桥,并且可以通过标准串行数据接口进行独立控制
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      ¥9.15
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  • SLM2752x 系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用的设计从本质上降低了直通电流,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,传播延迟极短,典型值为 13 ns。
    数据手册
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      ¥2.0884
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      ¥0.95
  • 有货
  • SD6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
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      ¥2.3
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      ¥1.17
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IR2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。
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      ¥2.5935 ¥2.73
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  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
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  • 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片
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  • 有货
  • IRS2186STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可低至3.3V
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  • 有货
  • IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
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  • U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片,具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出电流能力最大可达4A,其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
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  • IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
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  • 有货
  • IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
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      ¥1.6
  • 有货
  • 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET 电源电压:4.5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 双通道 锁存保护 -40℃到125℃
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      ¥2.088 ¥2.32
  • 有货
  • 集成自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
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      ¥4.26
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      ¥2.34
  • 有货
  • TC4423A/TC4424A/TC4425A器件是一系列双输出3A缓冲器/MOSFET驱动器。这些器件是早期TC4423/TC4424/TC4425双输出3A驱动器系列的改进版本。此改进版本具有更高的峰值输出电流驱动能力、更低的直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟时间
    数据手册
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      ¥5.6
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      ¥2.84
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

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      ¥3.37
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.64
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      ¥5.43
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      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.18
  • 有货
  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥16.21
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      ¥13.65
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      ¥12.05
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      ¥9.34
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥12.66
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      ¥10.26
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      ¥9.17
    • 1000+

      ¥8.7
  • 有货
  • IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥1.2243
    • 50+

      ¥0.9551
    • 150+

      ¥0.8397
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      ¥0.6958
    • 3000+

      ¥0.6317
    • 6000+

      ¥0.5932
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4703
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      ¥1.1326
    • 150+

      ¥0.9879
    • 500+

      ¥0.8896
    • 2500+

      ¥0.8092
    • 5000+

      ¥0.7609
  • 有货
  • JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,最低至3.3V
    • 5+

      ¥1.510595 ¥1.5901
    • 50+

      ¥1.175435 ¥1.2373
    • 150+

      ¥1.031795 ¥1.0861
    • 500+

      ¥0.852625 ¥0.8975
    • 2500+

      ¥0.826025 ¥0.8695
    • 4000+

      ¥0.77805 ¥0.819
  • 有货
  • IRS2004S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.8247
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      ¥1.4303
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      ¥1.2612
    • 500+

      ¥1.0503
    • 2500+

      ¥0.9564
    • 5000+

      ¥0.9001
  • 有货
  • IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,最低可至3.3V
    • 5+

      ¥1.9261
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      ¥1.5097
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      ¥1.3313
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      ¥1.1087
    • 2500+

      ¥1.0095
    • 5000+

      ¥0.9501
  • 有货
  • 低边驱动@@单通道
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0009
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      ¥1.5473
    • 150+

      ¥1.3529
    • 500+

      ¥1.1823
    • 3000+

      ¥1.0743
    • 6000+

      ¥1.0095
  • 有货
  • 是 4A 对称驱动单通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效且安全地驱动 MOSFET、IGBT 和新兴的 WBG 功率开关。低传播延迟和紧凑的 SOT-23 封装可实现数百 kHz 的快速开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动,其中同步 MOSFET 的死区时间精度直接影响转换器的效率。宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 20V,可通过 MOSFET 或 GaN 功率开关进行有效驱动。集成 UVLO 保护可确保在异常条件下输出保持低电平。独立输入范围为 -5V 至 20V,可确保在寄生电感引起的下冲或过冲情况下实现稳定运行。输入阈值与 TTL 输入兼容。
    • 5+

      ¥2.171605 ¥2.2859
    • 50+

      ¥1.716745 ¥1.8071
    • 150+

      ¥1.521805 ¥1.6019
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      ¥1.278605 ¥1.3459
    • 3000+

      ¥1.170305 ¥1.2319
    • 6000+

      ¥1.10523 ¥1.1634
  • 有货
  • IR2101S是一款半桥前级驱动IC,能够驱动一对功率器件(IGBT/N-MOSFET)。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO(欠压锁定)和交叉导通防护功能。
    • 5+

      ¥2.185 ¥2.3
    • 50+

      ¥1.7005 ¥1.79
    • 150+

      ¥1.501 ¥1.58
    • 500+

      ¥1.2445 ¥1.31
    • 3000+

      ¥1.1305 ¥1.19
    • 6000+

      ¥1.0545 ¥1.11
  • 有货
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