TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR4427STR(UMW) 编号：C20623183

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR4427STR是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。UMW IR4427STR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力

5+
￥1.5238
50+
￥1.1902
150+
￥1.0473
500+
￥0.8683
2500+
￥0.7889
5000+
￥0.7413

有货

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型号：JSM6288T 编号：C19077358

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高低侧功率驱动芯片，带上下电保护、欠压保护

1+
￥2.7075 ￥2.85
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￥2.1375 ￥2.25
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.577 ￥1.66
500+
￥1.425 ￥1.5
1000+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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型号：TF0211C-USQ 编号：C2683767

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.42
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￥2.77
30+
￥2.45
100+
￥2.13
500+
￥1.84
1000+
￥1.74

有货

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型号：IR2110STR(UMW) 编号：C20623179

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

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￥5.3
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￥4.25
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￥3.72
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￥3.2
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

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型号：MCP1407T-E/SN 编号：C622950

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

数据手册

1+
￥7.06
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￥5.87
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￥5.22
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￥4.48
500+
￥4.15
1000+
￥4

有货

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型号：TF2183M-TAH 编号：C5382738

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥8.856 ￥9.84
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￥7.506 ￥8.34
30+
￥6.66 ￥7.4
100+
￥5.787 ￥6.43
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￥5.391 ￥5.99
1000+
￥5.22 ￥5.8

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型号：UCC27524DR(UMW) 编号：C20623206

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW UCC27524DR器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。它在对功率开关的栅极进行充电和放电时，具有匹配的上升和下降时间。此外，UMW UCC27524DR在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高度的抗闩锁能力

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￥1.639
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￥1.2565
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￥1.0926
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￥0.888
2500+
￥0.7969
5000+
￥0.7423

有货

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型号：SL27511 编号：C2681373

封装：SOT-23-6

品牌：Slkor(萨科微)

单通道4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23 封装等特点，使得MOSFET 的开关频率可以达到数百 kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

5+
￥2.44
50+
￥1.94
150+
￥1.72
500+
￥1.45
3000+
￥1.33
6000+
￥1.26

有货

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型号：TF2103M-TAH 编号：C2683770

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.84
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￥2.24
30+
￥1.98
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￥1.66
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

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型号：SL27524 编号：C2690325

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥3.02
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￥2.37
30+
￥2.08
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￥1.73
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

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型号：EG2132 编号：C480660

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2132是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2132高端的工作电压可达300V，低端Vcc的电源电压范围宽8V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力|O+/-| 1.0A/1.5A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥0.7652
50+
￥0.5785
150+
￥0.4852
500+
￥0.4152
2500+
￥0.4096
4000+
￥0.3816

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型号：MCP1416T-E/OT(UMW) 编号：C20623197

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

MCP1415/6 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。MCP1415/6 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容

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￥1.1793
50+
￥0.9408
150+
￥0.8385
500+
￥0.7109
3000+
￥0.6541
6000+
￥0.62

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型号：IRS2101STR(UMW) 编号：C20623200

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IRS2101STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

5+
￥1.4374
50+
￥1.2516
150+
￥1.1719
500+
￥1.0725
2500+
￥1.0283
5000+
￥1.0018

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型号：IRS2304STR(UMW) 编号：C20623181

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2304STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

1+
￥1.87
10+
￥1.63
30+
￥1.53
100+
￥1.4
500+
￥1.34
1000+
￥1.31

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型号：EG2104S 编号：C480652

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104S是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104S高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±1.0 A/1.5A，采用SOP8封装。

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