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单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.149 ￥5.42
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￥2.565 ￥2.7

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型号：DRV8300DRGER 编号：C3655801

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

数据手册

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￥4.39
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￥3.5
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￥3.05
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￥2.34
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￥2.21

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型号：SLM27211CA-DG 编号：C967931

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

数据手册

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￥4.72
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￥3.69
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￥2.2

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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

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￥6.48
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￥5.02
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￥4.82

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型号：DRV8350HRTVR 编号：C2150774

封装：WQFN-32-EP(5x5)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥27.06
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￥23.22
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￥20.94
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￥18.63
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￥17.57
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￥17.09

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型号：IRS2004STR(UMW) 编号：C20623199

封装：SOP-8

IRS2004S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥1.8247
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￥1.4303
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￥1.2612
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￥0.9564
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￥0.9001

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型号：SLM27524CA-DG 编号：C2921387

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM2752x 系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用的设计从本质上降低了直通电流，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极短，典型值为 13 ns。

数据手册

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￥2.0884
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￥1.5713
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￥1.3497
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￥1.0732
2500+
￥0.95

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型号：IRS2104STR(UMW) 编号：C20623202

封装：SOP-8

IRS2104STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.1289
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￥1.6687
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￥1.4715
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￥1.1158
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￥1.0501

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型号：IR2101STRPBF(XBLW) 编号：C42395630

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

IR2101S是一款半桥前级驱动IC，能够驱动一对功率器件（IGBT/N-MOSFET）。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO（欠压锁定）和交叉导通防护功能。

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￥2.185 ￥2.3
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.501 ￥1.58
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￥1.0545 ￥1.11

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型号：SD6287Q 编号：C44606225

封装：QFN-24(4x4)

SD6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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￥2.3
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￥1.37
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￥1.25
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型号：COS4426SR 编号：C2685357

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

1.5A,4.5V-25V,双反相，双高速低功耗 MOSFET低边驱动器

数据手册

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.76
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￥1.44
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￥1.29
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￥1.2

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.898 ￥3.22
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￥2.322 ￥2.58
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￥2.025 ￥2.25
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￥1.737 ￥1.93
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￥1.476 ￥1.64

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型号：UCC27517ADBVR 编号：C2653784

封装：SOT-23-5

UCC27517A 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27517A 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为13ns）。 UCC27517A 器件能够处理输入上的–5V 电压。

数据手册

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￥2.96
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￥2.34
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￥2.07
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￥1.3

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型号：IRS2186STR(UMW) 编号：C20623203

封装：SOP-8

IRS2186STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可低至3.3V

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￥3.05
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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥3.26
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￥2.36

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型号：U3216S-JSM 编号：C44606288

封装：SOP-8

U3216S是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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￥3.32
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￥1.98
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￥1.82

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型号：IRS21814STR(UMW) 编号：C20623187

封装：SOP-14

IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥3.45
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￥2.71
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￥2.39
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￥1.71

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型号：IX4424NTR-JSM 编号：C7498964

封装：SOP-8

驱动配置：低边负载类型：MOSFET 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 双通道锁存保护 -40℃到125℃

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￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.439 ￥2.71
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥4.26
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￥3.39
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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.51
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￥4.4
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￥3.85
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￥3.24
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￥2.91
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￥2.74

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型号：SIC634CD-T1-GE3 编号：C2653472

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC634是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC634采用威世（Vishay）专有的5 mm×5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了威世最先进的第四代TrenchFET技术，提供业界标杆性能，可显著降低开关和传导损耗。SiC634集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5 V PWM逻辑。该器件包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以改善轻载性能。器件还支持PS4模式，可在系统处于待机状态时降低功耗。

数据手册

1+
￥6.49
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￥5.31
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￥4.67
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￥3.94
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￥3.61
1000+
￥3.47

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型号：IR4427STRPBF 编号：C49058

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。

数据手册

1+
￥6.64
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￥5.43
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￥4.83
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￥4.23
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￥3.36
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￥3.18

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

1+
￥18.75
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￥15
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￥12.66
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￥10.26
500+
￥9.17
1000+
￥8.7

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型号：DRV8353SRTAR 编号：C701785

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥19.02
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￥16.01
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￥14.13
100+
￥12.2
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￥11.33
1000+
￥10.95

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型号：IRS44273LTR(UMW) 编号：C20623195

封装：SOT-23-5

IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

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￥1.2243
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￥0.8397
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￥0.6958
3000+
￥0.6317
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￥0.5932

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.4703
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￥1.1326
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￥0.8896
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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

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￥1.510595 ￥1.5901
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￥1.175435 ￥1.2373
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￥1.031795 ￥1.0861
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￥0.852625 ￥0.8975
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￥0.826025 ￥0.8695
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￥0.77805 ￥0.819

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型号：SD6288Q 编号：C44606223

封装：QFN-24

SD6288是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 SD6288逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。SA6288Q用户可选用SD6288Q

5+
￥1.704 ￥2.13
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￥1.296 ￥1.62
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￥1.128 ￥1.41
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￥1.096 ￥1.37
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￥0.936 ￥1.17

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8