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是一系列用于MOSFET、IGBT和GaN功率开关的双通道低侧栅极驱动器。5A的高源极和漏极电流能力可通过最小化转换时间和开关损耗来提高开关效率。支持最高25V的电源电压和-5V的直流输入电压能力,提高了系统的鲁棒性,尤其在嘈杂的工业应用中。超低的传播延迟和两个通道之间出色的匹配度,适用于对时序要求严格的应用。由一组具有不同极性的栅极驱动器组成,允许客户根据应用需求进行选择。广泛的封装支持SOP-8、EMSOP-8和DFN3X3-8,符合工业标准封装。额外的超小DFN2X2-8有助于电源砖中超紧凑型同步整流器的设计。
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  • 三相 250V 栅极驱动器
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  • EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
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  • FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项: FAN3111C 具有双 CMOS 输入,阈值参考 VDD,用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源,该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入,和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。
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  • DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器,能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与微控制器(MCU)连接
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  • N沟道,Vin=6V~20V
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  • FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC,带关断和可编程死区时间控制功能,能驱动MOSFET和IGBT,工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V(典型值),当VBS = 15V时。
    数据手册
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  • TPS2829 具有 40V VDD 的 2A/2A 单路栅极驱动器
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  • 有货
  • 高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
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  • FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器,FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
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  • TC4420/TC4429 是 6A(峰值)单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器(引脚与 TC429 兼容),而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比,这些驱动器采用 CMOS 工艺制造,功耗更低,运行效率更高
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  • 单相驱动,带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。
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  • LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器
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  • FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲,用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平,直到电源电压处于运行范围内,从而提供欠压锁定功能。另外,这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟,适用于需要严格计时双门极驱动器的应用,如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接,使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流,可最大程度降低开关损耗,同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器,FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚,如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中,每个沟道都具有极性相反的两个输入,可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接,内部电阻则会偏置输入,以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。
    数据手册
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      ¥6.552 ¥7.8
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  • SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案,可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装,SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术,该技术提供了行业基准性能,显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告(THWn)以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器,并支持三态PWM、3.3 V(SiC620A)/ 5 V(SiC620)PWM逻辑。
    数据手册
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  • 有货
  • TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时,TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下,这些器件都具有很强的抗闩锁能力
    数据手册
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  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
    数据手册
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  • 有货
  • 高压高侧/低侧驱动器
    数据手册
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  • 有货
  • 集成的600V全桥门驱动器
    数据手册
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      ¥7.17
  • 有货
  • 电流隔离4 A单重栅极驱动器
    数据手册
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      ¥12.08
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  • 有货
  • 双路、高速、1.5A MOSFET驱动器
    数据手册
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      ¥13.8336 ¥15.72
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      ¥13.156 ¥14.95
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      ¥12.056 ¥13.7
  • 有货
  • NCP5183 是一款高电压高电流 功率 MOSFET 驱动器, 提供两个输出,用于驱动 2 个组织为半桥(或任何其他高压侧 + 低压侧)配置的 N 沟道功率 MOSFET。 它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。 该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构(包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.83
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      ¥12.89
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      ¥8.26
  • 有货
  • DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.29
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      ¥29.79
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      ¥27.55
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      ¥25.39
  • 有货
  • 快速、150V、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.41
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      ¥34.76
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      ¥31.31
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      ¥28.42
  • 有货
  • 单通道栅极驱动器 驱动配置:低边 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:5V~25V 峰值灌电流:4A 峰值拉电流:4A 采用 SOT-23-5 封装 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
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      ¥0.8193
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  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动
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      ¥1.17
  • 有货
  • 一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V,静态功耗低仅2mA,输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚,可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。
    • 5+

      ¥1.3263
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      ¥0.6468
  • 有货
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