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封装：SOP-16-W

EG2113D是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG2113D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±2A/2A，采用SOP16和SOW16封装。

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型号：TF2117-TAU 编号：C6387927

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

驱高压600V,高边单通道栅极驱动器 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.7049 ￥6.41
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型号：L293DD-HXY 编号：C48677910

封装：SOP-20

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款步进电机驱动芯片专为精确控制设计，提供0.6A的持续输出电流和高达1.2A的峰值电流能力，确保稳定的动力供给。其宽泛的工作电压范围从4.5V至36V，适应多种电源配置。内置二极管具有1.3V的正向电压，有效提升能效比，减少能耗。该驱动芯片适用于需要精准位置控制的应用场景，如办公自动化设备、消费电子装置等，能够实现高效、平稳的电机运转，满足对速度和位置控制精度的需求。

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￥5.7855 ￥6.09
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型号：NSG21275 编号：C49023245

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

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￥5.79
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型号：UCC27524ADGNR 编号：C2677081

封装：MSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、使能功能和负输入电压处理能力的 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

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型号：TF2106-3AS 编号：C6387922

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.04 ￥7.55
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￥5.032 ￥6.29
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型号：TF2108A-3AS 编号：C6387923

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.04 ￥7.55
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￥5.032 ￥6.29
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￥4.48 ￥5.6
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型号：NSG7385 编号：C41414530

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 双通道高侧驱动、拉/灌电流：0.35/0.65A

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￥6.061 ￥6.38
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￥5.472 ￥5.76
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￥5.149 ￥5.42
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型号：IRS2183STRPBF-JSM 编号：C17701730

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥7.28
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￥5.418 ￥6.02
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￥4.797 ￥5.33
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型号：IRS21864STRPBF-JSM 编号：C7498989

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.6725 ￥7.85
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￥4.8875 ￥5.75
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型号：UCC27533DBVR 编号：C136638

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关。UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案。UCC2753x系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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