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封装：SOT-23-5

MCP1415/16 器件是高速双 MOSFET 驱动器，可在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 1.5A 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

数据手册

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￥5.71
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￥4.64
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￥4.1
100+
￥3.57
500+
￥2.96
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￥2.8

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型号：IR2153STRPBF-JSM 编号：C41421803

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。

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￥4.18
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￥3.31
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￥2.88
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￥2.45
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￥2.36
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￥2.22

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型号：JSM2113STR 编号：C18195292

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有独立的高低侧传输通道 JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

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￥4.76 ￥5.95
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￥3.896 ￥4.87
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￥3.424 ￥4.28
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￥2.888 ￥3.61
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￥2.72 ￥3.4
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￥2.616 ￥3.27

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型号：GBI7A56NMAR 编号：C49073985

封装：DFN-8L(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.6
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￥5.49
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￥4.88
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￥4.18
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￥3.88
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￥3.74

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型号：MC33151DR2G 编号：C233738

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

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￥8.03
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￥6.73
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￥6.02
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￥5.21
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￥4.85
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￥4.69

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型号：UCC27624QDRQ1 编号：C6731413

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27624-Q1是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率开关。UCC27624-Q1的典型峰值驱动能力为5 A，可缩短功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为17 ns）可优化死区时间、提高脉冲宽度利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能，从而提高功率级效率

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￥9.68
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￥7.96
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￥7.02
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￥5.96
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￥5.48
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￥5.27

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

数据手册

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￥9.85
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￥8.14
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￥7.2
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￥5.85
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￥5.38
1000+
￥5.17

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型号：SI8233AB-D-IS1R 编号：C461838

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥21.52
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￥18.44
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￥16.61
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￥14.455 ￥14.75
500+
￥13.622 ￥13.9
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￥13.2398 ￥13.51

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型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485

封装：TO-263-7-1

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

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￥22.46
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￥19.11
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￥17.12
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￥15.1
500+
￥14.17

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型号：SI8238AB-D-IS1R 编号：C461846

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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￥29.54
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￥25.26
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￥22.71
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￥19.7274 ￥20.13
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￥18.5612 ￥18.94
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￥18.032 ￥18.4

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥77.74
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￥66.32
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￥59.36
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￥53.53

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

5+
￥0.7142
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￥0.5711
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￥0.4996
500+
￥0.4459
2500+
￥0.403
4000+
￥0.3816

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型号：UCC27517DBVR-JSM 编号：C7432821

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

5+
￥1.037168 ￥1.1786
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￥0.807048 ￥0.9171
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￥0.708488 ￥0.8051
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￥0.585376 ￥0.6652
3000+
￥0.56716 ￥0.6445
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￥0.534248 ￥0.6071

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型号：MX1020W 编号：C5875701

封装：CSP-6

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合，可显著提升激光雷达、飞行时间测量（ToF）和功率转换器的性能。

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￥1.2123
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￥0.9398
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￥0.8229
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￥0.6772
3000+
￥0.6123
6000+
￥0.5733

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥1.63917 ￥1.8213
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￥1.27629 ￥1.4181
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￥1.12077 ￥1.2453
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￥0.92673 ￥1.0297
2500+
￥0.89073 ￥0.9897
4000+
￥0.8388 ￥0.932

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型号：DRV8300DPWR-JSM 编号：C41421800

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

DRV8300D是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。 DRV8300D输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。

1+
￥1.97
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￥1.7
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￥1.58
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￥1.43
500+
￥1.41
1000+
￥1.37

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

1+
￥2.052 ￥2.28
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￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.566 ￥1.74
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￥1.494 ￥1.66
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￥1.458 ￥1.62

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

5+
￥2.1328
50+
￥1.6533
150+
￥1.4477
500+
￥1.1913
2500+
￥1.0771
5000+
￥1.0086

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.169 ￥2.41
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￥1.926 ￥2.14
30+
￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
500+
￥1.611 ￥1.79
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￥1.575 ￥1.75

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型号：EG27325 编号：C2929095

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带 SD 功能双路驱动芯片

数据手册

5+
￥2.2404
50+
￥1.7505
150+
￥1.5406
500+
￥1.2786
2500+
￥1.0987

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型号：JSM2103SSTR 编号：C44606222

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2103SS是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.26
50+
￥1.75
150+
￥1.54
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￥1.3
2500+
￥1.18

有货

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型号：NSG20652Q 编号：C41414479

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能

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￥2.5175 ￥2.65
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￥2.2325 ￥2.35
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.9475 ￥2.05
500+
￥1.862 ￥1.96
1000+
￥1.824 ￥1.92

有货

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥2.71
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￥2.38
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￥2.22
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￥2.06
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￥1.96
1000+
￥1.91

有货

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型号：UCC27511DBVR-JSM 编号：C7466358

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~25V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

1+
￥2.975 ￥3.5
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￥2.3375 ￥2.75
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￥2.057 ￥2.42
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￥1.717 ￥2.02
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￥1.564 ￥1.84
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￥1.4705 ￥1.73

有货

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型号：EG3118 编号：C48580031

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3118是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥3.25
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￥2.57
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￥2.28
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￥1.92
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￥1.76
1000+
￥1.66

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

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￥3.44
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￥2.79
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￥2.47
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￥2.14
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￥1.95
1000+
￥1.85

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型号：TF2101M-TAH 编号：C2683752

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥3.7
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￥2.97
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￥2.66
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￥2.27
500+
￥1.99

有货

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。