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  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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    • 1000+

      ¥3.39
  • 有货
  • 单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
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      ¥7.218 ¥8.02
    • 10+

      ¥5.922 ¥6.58
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      ¥4.41 ¥4.9
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      ¥4.32 ¥4.8
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      ¥4.158 ¥4.62
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
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      ¥4.54
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      ¥4.38
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
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      ¥18.17
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      ¥10.27
  • 有货
  • DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V(最大值)三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器
    数据手册
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      ¥31.18
    • 10+

      ¥27.9
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      ¥25.8
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      ¥23.77
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  • LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该器件由两个100V GaN FET组成,采用半桥配置,由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势,因为它们具有零反向恢复特性,且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小
    数据手册
    • 1+

      ¥37.25
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      ¥32.41
    • 30+

      ¥29.46
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      ¥26.98
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  • 具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125
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      ¥1.034704 ¥1.1758
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      ¥0.717904 ¥0.8158
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      ¥0.546568 ¥0.6211
    • 6000+

      ¥0.514888 ¥0.5851
  • 有货
  • IRS44273器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具备高稳健性的单芯片集成架构。IRS44273的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥1.1941
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      ¥0.934
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      ¥0.8225
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      ¥0.6834
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      ¥0.6215
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      ¥0.5843
  • 有货
  • IRS2004S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.297
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      ¥1.1327
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      ¥1.0623
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      ¥0.9744
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      ¥0.9353
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      ¥0.9118
  • 有货
  • IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,最低可至3.3V
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      ¥1.369
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      ¥0.9623
  • 有货
  • SLM2752x 系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SLM2752x 采用的设计从本质上降低了直通电流,能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲,具备轨到轨驱动能力,传播延迟极短,典型值为 13 ns。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0884
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      ¥1.0732
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  • 驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述:三相高低侧功率驱动芯片
    • 5+

      ¥2.1656
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      ¥1.712
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      ¥1.167
    • 4000+

      ¥1.1022
  • 有货
  • 1.5A,4.5V-25V,同反相, 双高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
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      ¥2.36
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      ¥1.16
    • 4000+

      ¥1.08
  • 有货
  • IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
    数据手册
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      ¥2.5778
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    • 5000+

      ¥1.2191
  • 有货
  • 4 A双低侧MOSFET驱动器
    数据手册
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      ¥2.73
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      ¥1.85
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      ¥1.29
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      ¥2.916 ¥3.24
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      ¥2.34 ¥2.6
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      ¥1.647 ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.566 ¥1.74
  • 有货
  • 单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥3.024 ¥3.36
    • 10+

      ¥2.349 ¥2.61
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      ¥1.692 ¥1.88
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      ¥1.53 ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.431 ¥1.59
  • 有货
  • ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器,用于驱动IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流,以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流,而控制器只需提供1mA的输入电流
    数据手册
    • 1+

      ¥3.13
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      ¥2.48
    • 30+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.53
  • 有货
  • UMW IR21271STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.26
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • 集成二极管 三相高低侧功率驱动芯片 驱动配置:高低侧 负载类型:MOSFET;IGBT 含自举二极管 电源电压:8V~20V 峰值灌电流:1.5A 峰值拉电流:1.8A 带上下电保护、欠压保护 。
    • 1+

      ¥3.41
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.72
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • 双通道超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥3.587 ¥4.22
    • 10+

      ¥2.924 ¥3.44
    • 30+

      ¥2.5925 ¥3.05
    • 100+

      ¥2.261 ¥2.66
    • 500+

      ¥2.0655 ¥2.43
    • 1000+

      ¥1.9635 ¥2.31
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

      ¥3.99
    • 100+

      ¥3.7
    • 500+

      ¥3.56
    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.3
    • 10+

      ¥6.98
    • 30+

      ¥6.25
    • 100+

      ¥5.43
    • 500+

      ¥5.07
    • 1000+

      ¥4.9
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET;IGBT 电源电压:10V~20V 峰值灌电流:4.0A 峰值拉电流:4.0A 700V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V 带SD功能
    • 1+

      ¥8.303 ¥8.74
    • 10+

      ¥6.935 ¥7.3
    • 30+

      ¥6.1845 ¥6.51
    • 100+

      ¥5.339 ¥5.62
    • 500+

      ¥4.199 ¥4.42
    • 1000+

      ¥4.028 ¥4.24
  • 有货
  • LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.6
    • 10+

      ¥15.87
    • 30+

      ¥14.17
    • 100+

      ¥12.43
    • 500+

      ¥11.64
    • 1000+

      ¥11.3
  • 有货
  • DRV8350 102V(最大值)三相智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥25.72
    • 10+

      ¥21.89
    • 30+

      ¥19.61
    • 100+

      ¥17.3
    • 500+

      ¥16.23
    • 1000+

      ¥15.76
  • 有货
  • FAN3111 2A 栅极驱动器专为在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET 而设计。FAN3111 具有双 CMOS 输入,其阈值参考 VDD,可与和驱动器使用相同电源电压的 PWM 控制器及其他输入信号源配合使用。
    • 5+

      ¥1.2265
    • 50+

      ¥0.9614
    • 150+

      ¥0.8478
    • 500+

      ¥0.706
    • 3000+

      ¥0.6429
    • 6000+

      ¥0.605
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.431 ¥1.59
    • 50+

      ¥1.242 ¥1.38
    • 150+

      ¥1.161 ¥1.29
    • 500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 2500+

      ¥1.035 ¥1.15
    • 4000+

      ¥1.008 ¥1.12
  • 有货
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