半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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型号：IRS23364DSTRPBF 编号：C538326

封装：SOIC-28-300mil

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型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：PG-DSO-20-U03

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

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型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：NCV7547MWTXG 编号：C904661

封装：QFN-48-EP(7x7)

NCV7547 可编程七沟道半桥 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 NMOS FET。该产品可通过串行 SPI 和兼容 CMOS 的并行输入组合控制。该预驱动器提供对于 MOSFET 的高级控制和保护。该器件和应用诊断数据通过 SPI 进行通信。

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型号：LTC4444IMS8E#TRPBF 编号：C688583

封装：MSOP-8-EP

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型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

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型号：IR2181SPBF 编号：C537604

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IR2114SSPBF 编号：C537557

封装：SSOP-24-208mil

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：LTC4444MPMS8E#PBF 编号：C580912

封装：MSOP-8-EP

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型号：NCV7710DQBR2G 编号：C5826160

封装：SSOP-36-EP

是一款用于汽车车身控制系统的驱动IC，设计用于控制车辆车门中的锁止电机。借助单片全桥驱动级，该IC能够控制锁止电机，并通过带有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

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型号：LTC4449IDCB#TRPBF 编号：C688595

封装：DFN-8-EP(2x3)

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型号：TC4451VAT 编号：C641439

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4451/TC4452 是单输出 MOSFET 驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4451/TC4452 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：NCV57252DWR2G 编号：C2902153

封装：SOIC-16

NCx5725y 是大电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，输入与每个输出之间具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件可接受 3.3V

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型号：6ED2231S12TXUMA1 编号：C6081109

封装：SOIC-24-300mil

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型号：MAX15019BASA+ 编号：C1549287

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器、增强散热型、8引脚SO封装，能够在+70°C环境温度下耗散1.9W功率

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型号：TLE92104131QXXUMA1 编号：C5986675

封装：VQFN-48

TLE92104 - 131是一款多MOSFET驱动IC，专门用于控制多达八个n沟道MOSFET。它包含四个半桥，适用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。该器件采用24位串行外设接口（SPI）来配置TLE92104 - 131并控制半桥

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型号：IR2132JTRPBF 编号：C537577

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：MASTERGAN1 编号：C3189134

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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型号：MC33GD3100EK 编号：C729091

封装：SOIC-32-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：3553DEPA 编号：C336591

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片，内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET，形成一款多功能，更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电压超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

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型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261

封装：SOIC-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：ISL6208BCRZ-T 编号：C2677084

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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型号：2EDR8258XXUMA1 编号：C17613836

封装：DSO-14

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：FAN73932MX 编号：C457776

封装：SOP-8