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封装：SOIC-8

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出，并且能驱动大型MOSFET，同时具备更高的安全工作裕量

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型号：DRV8844PWPR 编号：C177807

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8844 具有双极性 (±30v) 电源和独立半桥控制的 60V、2.5A 双路 H 桥电机驱动器

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型号：DRV8320HRTVR 编号：C701782

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：UCC27531QDBVRQ1 编号：C2677112

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：MCP1401T-E/OT 编号：C2676948

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器，能够提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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型号：GC6610 编号：C16197209

封装：TSSOP-28L

品牌：SX(芯麦)

GC6610是一款超静音两相步进电机驱动芯片，内置步进驱动模式，采用STEP/DIR接口，最大256微步，超静音，低振动。工作电压在4.7~36V，逻辑电源在3~5.5V，持续输出电流2A，采用TSSOP28pp封装。集成自动增益控制回路(AGC)电路，电机转矩随负载或转速变化自动调节和补偿，确保转矩一致,电机保持时开启自动省电功能,并具有过温保护，欠压保护。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：MCP1407-E/SN 编号：C52138

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，提供足够低的阻抗（在导通和关断状态下），以确保即使存在大的瞬变，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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型号：IR21814STRPBF-JSM 编号：C7498987

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：LB1838M-TRM-E 编号：C242280

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1838M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低压应用。 LB1838M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、相机和其他便携式设备。

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型号：BD63860EFV-E2 编号：C600853

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：ROHM(罗姆)

BD63860EFV是一款高级步进电机驱动器，内置3位DAC，旨在以八细分模式驱动双极步进电机。该IC具备多个集成保护电路，由于其低导通电阻DMOS输出晶体管和高散热功率封装，实现了出色的散热性能。该IC的最大输入电压额定值为36 V，最大输出电流额定值为2.5 A，采用恒流PWM控制，支持整步、半步、四分之一步和八分之一步励磁模式。此外，电流衰减模式可自由设置为快速和慢速衰减的比例，使该IC能够适应每个电机的最佳控制条件。单电源配置便于在应用中进行设计和布局。

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型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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型号：LV8549MC-AH 编号：C79895

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

步进电机驱动器，低饱和电压，12V

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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：TC4420EPA 编号：C640742

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是6A（峰值）、单输出MOSFET驱动器，其中一款为反相驱动器，另一款为同相驱动器。采用CMOS制造，与双极驱动器相比，功耗更低，运行更高效。输入与TTL/CMOS兼容，输入电压可高至VDD + 0.3V或低至-5V，不会对器件造成干扰或损坏，无需外部电平转换电路，节省成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭时序期间。传播延迟时间仅为55 ns（典型值），在整个可用电源范围内，2500 pF负载下的输出上升和下降时间仅为25 ns（典型值）。与其他驱动器不同，几乎不会发生闩锁效应。可替代三个或更多分立元件，节省PCB面积和元件数量，提高整体系统可靠性。

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型号：HD1001 编号：C3024761

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：QH MICRO-E(乾鸿微)

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

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型号：DRV8813PWPR 编号：C701795

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8813 具有电流调节功能的 45V、2.5A 双极步进或双通道 H 桥电机驱动器

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型号：MPQ6614GDE-AEC1-Z 编号：C26340509

封装：QFN-8(2x3)

品牌：MPS(芯源)

是一种用于驱动可逆电机的H桥电机驱动器。它可以驱动一个直流电机、步进电机的一个绕组或其他负载。H桥由四个N沟道功率MOSFET组成，内部电荷泵产生栅极驱动电压。工作在5V至35V的电机电源电压下，根据散热和PCB条件，可提供高达1.5A的连续输出电流（Iout）

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

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型号：DRV8256ERGER 编号：C3681403

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8256 采用集成电流检测和智能调优技术的 50V、8A H 桥电机驱动器

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型号：EMC2302-1-AIZL-TR 编号：C626969

封装：MSOP-10

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

EMC2301/2/3/5系列是一款符合SMBus标准的风扇控制器，具备多达五个可独立控制的PWM风扇驱动器。每个风扇驱动器由一个可编程频率的PWM驱动器和风扇转速控制算法控制，该算法既可以闭环方式运行，也可作为直接PWM控制设备运行。每个闭环风扇转速控制（FSC）算法都能够检测老化风扇并向系统发出警报

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型号：VN5770AKPTR-E 编号：C78480

封装：SOIC-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

完整H桥配置的四通道智能功率固态继电器

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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