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首页 > 热门关键词 > 电机全桥驱动
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一款三相无传感器无刷直流(BLDC)电机控制器,适用于外接 N 沟道功率 MOSFET,专为汽车应用而设计。它旨在为系统提供电机控制功能,在该系统中,小型微控制器负责与中央电子控制单元(ECU)进行通信,并进行智能故障和状态处理。A4964 为微控制器提供电源和看门狗功能,以及微控制器与中央 ECU 和点火开关之间的高压接口。A4964 也可作为独立的单芯片远程电机控制器运行。电机采用三相正弦电流驱动,通过监测电机反电动势(bemf)来确定相位换相,无需独立的位置传感器。无传感器启动方案包括正向和反向预旋转(风车效应)检测与同步,使 A4964 能够在各种电机和负载组合下运行。A4964 可进行占空比(电压)控制、电流(转矩限制)控制和闭环速度控制。控制模式、运行模式和控制参数通过兼容 SPI 的串行接口进行编程。单个电流检测放大器通过串行接口实现峰值电流限制和平均电流测量。集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障,并能在大多数短路情况下保护功率开关。
数据手册
  • 1+

    ¥26.35
  • 10+

    ¥22.33
  • 30+

    ¥19.94
  • 100+

    ¥17.52
  • 500+

    ¥16.41
  • 1500+

    ¥15.9
  • 有货
  • MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制,且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能,在电源供电不足时会强制其输出为低电平
    • 1+

      ¥15.1561
    • 50+

      ¥12.8622
    • 100+

      ¥11.7153
    • 500+

      ¥9.6672
    • 1000+

      ¥7.5371
    • 3000+

      ¥6.8817
  • 有货
  • MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器,在单 4.5V 至 18V 电源供电下,能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择:反相(MCP14A1201)和同相(MCP14A1202)。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟,使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低,以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平,而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端,而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV(HBM)和 200V(MM)的静电放电(ESD)保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.35
    • 10+

      ¥13.03
    • 30+

      ¥11.58
    • 100+

      ¥10.1
  • 有货
  • AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥17.52
    • 10+

      ¥15.44
    • 30+

      ¥14.14
    • 100+

      ¥12.8
  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥18.59
    • 10+

      ¥15.91
    • 30+

      ¥14.31
    • 100+

      ¥11.71
  • 有货
  • 特性:薄膜SOI技术。 最大阻断电压 +600V。 两个输出端均有独立控制电路。 对欠压电源进行滤波检测。 所有输入均由二极管钳位。 主动关断功能。 高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。 针对目标应用通过JEDEC1认证(1000h高温应力测试)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.91
    • 10+

      ¥16.14
    • 30+

      ¥14.4
    • 100+

      ¥12.62
    • 500+

      ¥11.82
    • 1000+

      ¥11.47
  • 有货
  • 128细分 1.8A 步进电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥21.09
    • 10+

      ¥17.96
    • 30+

      ¥16.09
    • 100+

      ¥14.19
    • 500+

      ¥13.32
  • 有货
  • DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥21.13
    • 10+

      ¥18.1
    • 30+

      ¥16.3
  • 有货
  • 步进电机电流控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥23.34
    • 10+

      ¥19.78
    • 30+

      ¥17.67
    • 100+

      ¥15.52
    • 500+

      ¥14.54
  • 有货
  • DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥35.24
    • 10+

      ¥29.35
    • 30+

      ¥26.25
    • 100+

      ¥23.12
  • 有货
  • 无刷电机驱动,25V~48V供电,6A以上方案,
    • 1+

      ¥80.2865
    • 50+

      ¥70.8651
    • 100+

      ¥67.752
  • 有货
  • SCALE™ - 2+双驱动器内核2SC0435T2G1 - 17(连接器引脚长度为3.1mm,适用于2mm厚的PCB;增强了EMI性能;无铅)/ 2SC0435T2G1C - 17(采用Lackwerke Peters公司的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本)将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器专为要求高可靠性的通用应用而设计。2SC0435T2G1(C) - 17可驱动所有常见的最高1700V的高功率IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥348.2
    • 30+

      ¥329.72
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-1.5A 功率(Pd):0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.0688
    • 200+

      ¥0.0672
    • 600+

      ¥0.0662
    • 3000+

      ¥0.0651
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA N沟道,30V,6.2A,16mΩ@10V
    • 20+

      ¥0.2378
    • 200+

      ¥0.1865
    • 600+

      ¥0.158
    • 3000+

      ¥0.1409
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
    • 10+

      ¥0.2831
    • 100+

      ¥0.2255
    • 300+

      ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.1751
    • 6000+

      ¥0.1578
    • 9000+

      ¥0.1492
  • 有货
  • 输出 DC 峰值电流达到 2.5A,连续电流 1.4A;有一组 PWM(INA-INB)输入,低输出内阻
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3324
    • 100+

      ¥0.2597
    • 300+

      ¥0.2233
    • 1000+

      ¥0.1961
    • 4000+

      ¥0.1897
    • 8000+

      ¥0.1788
  • 有货
  • 输出 DC 峰值电流达到 3A,连续电流1.55A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3411
    • 100+

      ¥0.2644
    • 300+

      ¥0.2261
    • 1000+

      ¥0.1974
    • 4000+

      ¥0.1947
  • 有货
  • ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • N沟道,60V,3.2A,58mΩ@10V,3A,1.35V@250uA;应用领域:LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 10+

      ¥0.3539
    • 100+

      ¥0.2819
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.2189
    • 6000+

      ¥0.1973
    • 9000+

      ¥0.1865
  • 有货
  • 特性:N沟道40V/6.5A,RDS(ON) = 26mΩ (max.) @ VGS = 10V,RDS(ON) = 31mΩ (max.) @ VGS = 4.5V。 P沟道40V/5.5A,RDS(ON) = 72mΩ (max.) @ VGS = -10V,RDS(ON) = 92mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。 100% UIS测试。 可靠耐用。 无铅可用(符合RoHS标准)。应用:同步整流。 电机控制
    • 10+

      ¥0.3833
    • 100+

      ¥0.296
    • 300+

      ¥0.2523
  • 有货
  • 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3.0A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120.0mΩ@10V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。
    • 10+

      ¥0.4583
    • 100+

      ¥0.3623
    • 300+

      ¥0.3143
  • 有货
  • AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.4718
    • 100+

      ¥0.3758
    • 300+

      ¥0.3278
  • 有货
  • ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.5041
    • 50+

      ¥0.3985
    • 150+

      ¥0.3457
    • 500+

      ¥0.3061
    • 2500+

      ¥0.2744
    • 5000+

      ¥0.2585
  • 有货
  • BA6208(MS)是为5V 和12V 供电电压下工作的系统而设计的单通道低导通电阻直流电机驱动集成电路。集成了电机正转/反转/停止/刹车四个功能。BA6208(MS)集成了温度保护功能,当芯片温度超过内部温度保护电路设置的最高温度点后,内部电路关断内置的功率开关管,切断负载电流,避免温度过高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。
    • 5+

      ¥0.58761 ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.45801 ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.39321 ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.34461 ¥0.3829
    • 2500+

      ¥0.30573 ¥0.3397
    • 4000+

      ¥0.2862 ¥0.318
  • 有货
  • P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    • 5+

      ¥0.637
    • 50+

      ¥0.5074
    • 150+

      ¥0.4426
    • 500+

      ¥0.394
    • 3000+

      ¥0.3551
  • 有货
  • AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.6606
    • 50+

      ¥0.5262
    • 150+

      ¥0.459
    • 500+

      ¥0.4086
  • 有货
  • ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.6874
    • 50+

      ¥0.5434
    • 150+

      ¥0.4714
    • 500+

      ¥0.4174
    • 3000+

      ¥0.3742
    • 6000+

      ¥0.3525
  • 有货
  • BL113 是专门为低电压工作系统而设计的低压直流马达驱动芯片。集成了4 个低电阻MOS 和正转,反转,刹车和停止功能。 BL113 保护功能,当发生输出短路时, 输出电流瞬间增大,电路功耗急剧上升,芯片温度急剧升高,当芯片温度超过内部温度保护电路设置的最高温度点后,内部电路关断内置的功率开关管,切断负载电流。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7205
    • 50+

      ¥0.5909
    • 150+

      ¥0.5261
    • 500+

      ¥0.4775
    • 3000+

      ¥0.4251
    • 6000+

      ¥0.4057
  • 有货
    • 5+

      ¥0.804688 ¥1.0588
    • 50+

      ¥0.63612 ¥0.837
    • 150+

      ¥0.56392 ¥0.742
    • 500+

      ¥0.473784 ¥0.6234
    • 3000+

      ¥0.433656 ¥0.5706
    • 6000+

      ¥0.409564 ¥0.5389
  • 有货
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