电机全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥17.7
10+
￥14.98
30+
￥12.82
100+
￥11.08

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型号：VNHD7012AYTR 编号：C2150695

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

用于汽车直流电机驱动的H桥电机驱动器

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1+
￥18.2
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￥17.74
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￥17.43
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￥17.12

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型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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1+
￥21.11
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￥18.23
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￥16.52

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型号：DRV8714SQRVJRQ1 编号：C3655767

封装：VQFN-56(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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1+
￥35.6
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￥32.1
30+
￥29.86
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￥27.69

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型号：SDM15G60FC8 编号：C5123264

封装：DIP-24HL

品牌：SILAN(士兰微)

SDM15G60FC8 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率的变频驱动，如空调压缩机、工业伺服器、低功率变频器等。其内置了3 相全桥高压栅极驱动电路和6 个低损耗IGBT 管。SDM15G60FC8 内部集成了欠压、短路等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。SDM15G60FC8 采用了高绝缘和易导热设计，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合要求紧凑安装的场合。

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1+
￥40.74
10+
￥34.93
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￥30.13
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￥27.16

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型号：POWERSTEP01TR 编号：C2653554

封装：VFQFPN-89(11x14)

品牌：ST(意法半导体)

系统级封装集成了微步控制器和10 A功率MOSFET

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1+
￥51.45
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￥44.6
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￥40.42
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￥36.92

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

1+
￥61.93
10+
￥53.85
30+
￥48.93
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￥44.8

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型号：MPQ6541AGQKTE-AEC1-Z 编号：C22454118

封装：TQFN-26(6x6)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，6A以上方案，

1+
￥80.2865
50+
￥70.8651
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￥67.752

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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1+
￥90.93
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￥86.77
30+
￥79.58
100+
￥67.436 ￥73.3

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型号：TMC5160A-WA 编号：C1161714

封装：QFN-56-EP(8x8)

品牌：TRINAMIC

TMC5160/TMC5160A 是一款带有串行通信接口的高功率步进电机控制器和驱动器 IC。它将用于自动目标定位的灵活斜坡发生器与业界最先进的步进电机驱动器相结合。通过使用外部晶体管，可以实现高动态、高扭矩驱动

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1+
￥94.02
10+
￥80.94
30+
￥74.61

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型号：TMCM-3351-TMCL 编号：C6881586

封装：-

品牌：TRINAMIC

1+
￥4843.944 ￥4942.8
10+
￥4674.6 ￥4770

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型号：ESJ2303 编号：C42420763

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-1.5A 功率(Pd)：0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0697
21000+
￥0.0651

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型号：ESJ3404 编号：C42420784

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,30V,6.2A,16mΩ@10V

20+
￥0.2321
200+
￥0.1808
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1352

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型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

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型号：DMG3415U-7(ES) 编号：C42379950

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD保护，类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-4.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-0.7V@250uA

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

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型号：ES9435 编号：C42412242

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

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型号：SI2319DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412240

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.1763

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型号：TMI8118S 编号：C842821

封装：SOP-8

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8118/8118S 是一款为低输入电压下工作的系统而设计的直流电机驱动集成电路，单通道低导通电阻。具备电机正转/反转/停止/刹车四个功能； TMI8118/8118S 内置温度保护功能，当芯片温度急剧升高，内部电路关断内置的功率开关管，切断负载电流。 TMI8118S 的封装形式是SOP8，TMI8118的封装形式是SOT23-6，符合ROHS 规范，引脚框架100%无铅。

数据手册

10+
￥0.3746
100+
￥0.2978
300+
￥0.2594
3000+
￥0.2306
6000+
￥0.2075
9000+
￥0.196

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型号：ES50N03D 编号：C42434100

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

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型号：LKS523 编号：C6337451

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉导通。

单价：
￥0.523 / 个

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型号：EST03P06 编号：C42434104

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-60V，-3.1A，80mΩ@-10V,-3A，-1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771
500+
￥0.3339

有货

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型号：DRV8837DSGT-TP 编号：C53340874

封装：DFN-8(2x2)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥0.567036 ￥0.7461
50+
￥0.446652 ￥0.5877
150+
￥0.38646 ￥0.5085
500+
￥0.341316 ￥0.4491
3000+
￥0.30514 ￥0.4015
6000+
￥0.287128 ￥0.3778

有货

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6162
50+
￥0.6018
150+
￥0.5922
500+
￥0.5826

有货

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型号：ZXMP10A13FTA(ES) 编号：C53199114

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道,-100V,-0.5A,580mΩ@-10V,-0.5A,-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.637
50+
￥0.5074
150+
￥0.4426
500+
￥0.394
3000+
￥0.3551

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型号：ESS2022A 编号：C42412309

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

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型号：G2021 编号：C7421050

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥0.7828
10+
￥0.6281
30+
￥0.5508
100+
￥0.4928
500+
￥0.4465
1000+
￥0.4233

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型号：NSG1416 编号：C53436462

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥0.80586 ￥0.8954
50+
￥0.78975 ￥0.8775
150+
￥0.77904 ￥0.8656
500+
￥0.76833 ￥0.8537

有货

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型号：NSG27517 编号：C53436209

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

5+
￥0.93123 ￥1.0347
50+
￥0.9126 ￥1.014
150+
￥0.90027 ￥1.0003
500+
￥0.88785 ￥0.9865

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型号：MX27524S 编号：C19723497

封装：SOP-8

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端中的每一个都能够提供和吸收 5A 峰值电流，最大额定电压为 20V。每个通道都有两个独立的使能引脚，如果未连接则默认开启。快速的传播延迟时间和快速的上升和下降时间使其非常适合高频应用。此外，该驱动器在 A 和 B 通道之间具有匹配的内部传播延迟，适用于需要严格时序的双栅极驱动器应用，如同步整流器。

5+
￥0.9467
50+
￥0.7451
150+
￥0.6587
500+
￥0.5509
2500+
￥0.5029
4000+
￥0.474

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