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封装：HTSSOP-16

A3950专为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，其峰值输出电流可达±2.8 A，工作电压可达36 V。该器件设有相位（PHASE）和使能（ENABLE）输入端子，用于通过外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成了同步整流控制电路，可降低PWM工作期间的功耗

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￥11.27
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型号：DRV8860PWR 编号：C2149500

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

DRV8860 具有串行控制的 38V、0.3A、8 路低侧电机驱动器

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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型号：SCT52242STDR 编号：C719316

封装：SOP-8

品牌：SCT(芯洲科技)

SCT52242是一款宽电源、双通道、高速、用于功率MOSFET和IGBT的低端栅极驱动器。每个通道可提供和吸收4A的峰值电流，并具备轨到轨输出能力。24V电源轨增强了功率器件转换期间驱动器输出的抗振铃能力

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型号：UCC27324DGNR 编号：C128607

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

UCC27324 双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

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型号：FT8213Q 编号：C5155005

封装：QFN-28(5x5)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FT8213Q 是一款三相、无传感器 FOC 控制直流无刷马达驱动 IC，内置 Rdson 1Ω 驱动 MOS。芯片高度集成电机控制所需部件，所需外围元器件少，噪声低，电机转矩脉动小。内置 EFUSE，可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择 PWM、模拟输入、I2C 调节电机转速，集成转速指示功能，可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒风量、恒电流和开环控制，具有电机转速指示功能，集成缺相、过压、过流、欠压、限流、过温、堵转等多种保护模式，睡眠电流 45μA。

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型号：GC6208 编号：C16197206

封装：QFN-44

品牌：SX(芯麦)

GC6208是一款用于摄像机和安全摄像机的镜头电机驱动IC。该装置集成了虹膜的直流电机驱动器，由PID系统控制，以及两个通道的STM电机驱动进行变焦和对焦控制。工作电压在3~5.5V，逻辑电源为2.7~3.6，其工作电流分别在-150mA~150mA与-250mA~250mA，采用QFN44封装类型。内置直流电动机驱动虹膜控制器与2个STM驱动，用于变焦和对焦，STM采用256u级驱动技术，超低噪音,并具有过温保护，欠压保护。提供STM32参考例程及原厂技术支持

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型号：XL33035 编号：C609781

封装：SOIC-24-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

PMIC - 电机驱动器，控制器电机驱动器模拟

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型号：MS8829 编号：C231941

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：杭州瑞盟

三相有感方波BLDC驱动有感，方波，FG输出

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型号：MAX4420ESA+T 编号：C3655522

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

单输出MOSFET驱动器旨在将TTL/CMOS输入转换为高压/大电流输出。低1.5Ω输出阻抗和6A峰值电流输出使其能够快速切换高电容功率MOSFET，提高效率。40ns的延迟时间和25ns的上升或下降时间（驱动2500pF至18V时）可最大程度减少MOSFET开关转换期间的功率损耗。逻辑输入轻松与CMOS或双极型开关模式控制器接口，因为其逻辑输入电流低于10μA

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型号：DRV8231DDAR 编号：C5218850

封装：SOPowerPAD-8

品牌：TI(德州仪器)

DRV8231 具有集成电流调节功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

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型号：DRV8912QPWPRQ1 编号：C1855817

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8912-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、12 通道半桥电机驱动器

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IXDD604SIATR 编号：C2676942

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流，同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。

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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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￥7.75
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型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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型号：IXDN609SIATR 编号：C5242049

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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￥6.17

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型号：TC4420EOA 编号：C68314

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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￥10.16
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￥7.93
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型号：A4975SLBTR-T 编号：C27399

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4975旨在以微步进模式驱动双极步进电机的一个绕组。输出额定连续输出电流可达±1.5 A，工作电压可达50 V。内部脉冲宽度调制（PWM）电流控制与内部三位非线性数模转换器相结合，允许电机电流在整步、半步、四分之一步或八分之一步（微步进）模式下进行控制。非线性增量可减少微步进所需的控制线数量。微步进可提高步进分辨率，并减少低速时的转矩变化和共振问题。内部电路保护包括带迟滞功能的热关断、欠压监测和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A4975提供两种功率封装供选择；一种是带铜散热片引脚的16引脚双列直插式塑料封装（后缀为‘B’），另一种是带内部熔接引脚的16引脚塑料SOIC封装（后缀为‘LB’）。对于这两种封装样式，散热增强引脚处于地电位，无需电气隔离。两种封装均为无铅（Pb）封装，引脚框架镀层为100%雾锡。

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￥15.23
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￥11.36
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型号：DRV91680RGZR 编号：C5125831

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

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￥19.36
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￥16.91
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￥16.31
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￥16.03
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￥15.9

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。