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封装：QFN-32-EP(5x5)

TMC429是一款小型化步进电机控制器，具备业界领先的功能特性。它可通过SPI或步进/方向接口控制多达三个电机。SPI接口为两相步进电机提供可编程的6位微步表（每整步64微步），以实现最佳的步进精度。基于目标位置和速度（可实时更改），它能自主执行所有实时关键任务。TMC429提供高级控制功能，确保运行稳定可靠。两个独立的4线串行外设接口允许与微控制器以及多达三个级联的步进电机驱动器进行通信。TMC429与微控制器配合，可构成一个完整的运动控制系统。高度集成和小尺寸设计使其适用于小型化设计，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。

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￥45.61
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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

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型号：DRV8428RTER 编号：C2857955

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8428 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、1A 双极步进电机驱动器

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：NSG7385 编号：C53436472

封装：SOP-14

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：MIC4452YM-TR 编号：C435908

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：TC1410EOA713 编号：C624881

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

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￥13.86
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型号：MS41908M 编号：C3037822

封装：QFN-44(6x6)

品牌：杭州瑞盟

用于网络摄像机和监控摄像机的镜头驱动芯片。芯片内置光圈控制功能；通过电压驱动方式以及扭矩纹波修正技术，实现了超低噪声微步驱动。

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￥14.36
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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

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￥17.17
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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥17.28
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型号：A3992SLPTR-T 编号：C459283

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3992专为双极型微步进电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够提供±1.5 A的连续输出电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制时序电路可通过串行接口进行编程，以在慢速、快速或混合衰减模式下工作。通过串行端口，利用两个六位线性DAC结合参考电压来设置所需的负载电流水平。六位控制为从微步驱动到全步驱动等各种步进方法的转矩控制提供了最大的灵活性。负载电流以最大值的1.56%为增量进行设置。同步整流电路允许负载电流在电流衰减期间通过DMOS输出驱动器的低RDS(on)流动。这一特性在大多数应用中无需外部钳位二极管，节省了成本和外部元件数量，同时将功耗降至最低。内部电路保护包括接地短路、负载短路、带迟滞功能的热关断和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A3992采用薄型（最大高度1.2 mm）24引脚TSSOP（后缀LP）封装，带有外露散热焊盘。外露散热焊盘处于地电位，无需电气隔离。该封装为无铅（Pb）封装，引脚框架采用100%雾锡电镀。

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￥20.83
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型号：DRV8873HPWPR 编号：C2150604

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、10A H 桥电机驱动器

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￥23.2
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￥17.62
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￥17
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￥16.73

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型号：L9110S 编号：C5157607

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动，步进电机驱动和开关功率管等电路上

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￥0.92367 ￥1.0263
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￥0.73314 ￥0.8146
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￥0.65151 ￥0.7239
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￥0.54963 ￥0.6107
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￥0.51183 ￥0.5687
4000+
￥0.48456 ￥0.5384

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型号：L9110S(XBLW) 编号：C18723580

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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￥0.95148 ￥1.0572
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￥0.76095 ￥0.8455
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￥0.67932 ￥0.7548
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￥0.57744 ￥0.6416
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￥0.53208 ￥0.5912
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￥0.50481 ￥0.5609

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型号：NSG532 编号：C46473175

封装：SOT-23-6

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器，在对功率开关的栅极进行充放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出，而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

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￥0.9937
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￥0.785
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￥0.6955
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￥0.5839
3000+
￥0.5342
6000+
￥0.5044

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型号：UCC27511DBVR(UMW) 编号：C20623190

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27511DBVR单通道高速低端栅极驱动器器件可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。UCC27511DBVR能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极短。

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￥1.2283
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￥0.9607
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￥0.703
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￥0.6393
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￥0.601

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型号：EG3002 编号：C5267392

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。电源电压范围宽3V~30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。

5+
￥1.3263
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￥1.0324
150+
￥0.9064
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￥0.7492
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：COS1416 编号：C7190314

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

5+
￥1.418
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￥1.0904
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￥0.95
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￥0.7749
3000+
￥0.6969
6000+
￥0.65

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型号：UCC27519DBVR(UMW) 编号：C20623193

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27519器件是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闭锁CMOS技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。UCC27519的逻辑输入电平与低至3V的CMOS或TTL逻辑输出电平兼容

5+
￥1.433
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￥1.1209
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￥0.9871
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￥0.8201
3000+
￥0.7458
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￥0.7012

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型号：BDR6122T 编号：C724035

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

适用于电子锁、无线充电、玩具、消费类产品以及其它低压或者电池供电的运动控制产品。

数据手册

5+
￥1.4494
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￥1.1722
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￥1.0534
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￥0.9052
2500+
￥0.8271
4000+
￥0.7874

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型号：EG2106 编号：C480655

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2106高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0125
50+
￥1.5226
150+
￥1.3126
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￥1.0507
2500+
￥1.033
4000+
￥0.963

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥2.0485 ￥2.41
10+
￥1.6235 ￥1.91
30+
￥1.4365 ￥1.69
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￥1.207 ￥1.42
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0455 ￥1.23

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型号：FAN3100CSX-JSM 编号：C7432824

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，通用栅驱动器

1+
￥2.115 ￥2.35
10+
￥1.872 ￥2.08
30+
￥1.746 ￥1.94
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￥1.629 ￥1.81
500+
￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.512 ￥1.68

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型号：IR4426STRPBF-JSM 编号：C7462830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源，开关变换器，电机控制等，DQ类开关放大器

5+
￥2.204 ￥2.32
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￥1.7195 ￥1.81
150+
￥1.52 ￥1.6
500+
￥1.292 ￥1.36
2500+
￥1.178 ￥1.24
4000+
￥1.102 ￥1.16

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型号：EG2104M 编号：C480653

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104M是一款高性价比的带SD(overline)功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104M高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD(overline)内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3A/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.2759
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￥1.786
150+
￥1.5761
500+
￥1.3141
2500+
￥1.1841

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型号：NSG2203U 编号：C53436488

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.385 ￥2.65
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￥1.917 ￥2.13
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￥1.719 ￥1.91
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.35 ￥1.5
1000+
￥1.287 ￥1.43

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型号：G2061 编号：C53436212

封装：TSSOP-20

品牌：NCE(无锡新洁能)

1+
￥2.439 ￥2.71
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￥1.962 ￥2.18
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￥1.755 ￥1.95
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￥1.494 ￥1.66
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￥1.386 ￥1.54
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