全桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022

封装：QFN-14(3x3)

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。

1+
￥20.2355
50+
￥18.2074
100+
￥16.9585

有货

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型号：DRV8706SQRHBRQ1 编号：C5218851

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥22.42
10+
￥19.21
30+
￥17.29

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型号：HIP4081AIBZ 编号：C90013

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

全桥驱动NMOS，满占空比工作

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1+
￥24.67
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￥21.23
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￥19.18

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型号：SLM7888CH 编号：C883212

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

数据手册

1+
￥4.19
10+
￥3.42
30+
￥3.03
100+
￥2.65
500+
￥2.42

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型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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1+
￥12.62
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￥11.48
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￥10.77
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￥10.05
500+
￥9.72
1000+
￥9.58

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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1+
￥28.95
10+
￥25.9
30+
￥23.95

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型号：LTC3901EGN#TRPBF 编号：C687087

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥83.41
10+
￥79.53
30+
￥72.82

有货

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型号：XLN7392N 编号：C52148191

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

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￥3.15
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￥2.47
25+
￥2.18
100+
￥1.82
500+
￥1.65
1000+
￥1.56

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型号：XLN7392MX 编号：C52148192

封装：SOP-16W

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

1+
￥3.39
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￥2.65
30+
￥2.34
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￥1.95
500+
￥1.78
1000+
￥1.67

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型号：MP1911GTL-Z 编号：C7231518

封装：SOT-583

品牌：MPS(芯源)

是一个H桥驱动器，工作电源电压范围为2.5V至16V，可根据逻辑控制提供高达1A的输出电流。H桥由四个N沟道功率MOSFET和一个内部电荷泵组成，用于产生所需的栅极驱动电压。由两个输入引脚IN1和IN2控制，两个开/关输入决定输出模式：正向、反向、滑行或制动。当IN1和IN2拉高时，应用制动以停止驱动器。当IN1和IN2拉低时，可实现非常低的待机电路电流。具备完整的保护功能，包括过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）。仅需最少数量的现成标准外部组件，采用SOT583封装。

1+
￥7.1275
50+
￥5.9805
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￥4.6697

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型号：SLM21364CF-DG 编号：C6071552

封装：SOP-28W

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM21364 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥10.29
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￥8.13
30+
￥7.05

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥13.1105 ￥20.17
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￥10.538 ￥19.16
30+
￥8.352 ￥18.56
250+
￥8.0775 ￥17.95
500+
￥7.9515 ￥17.67
1000+
￥7.893 ￥17.54

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型号：MP6508GR-Z 编号：C5676225

封装：QFN-16(4x4)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥15.7296
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￥15.228
100+
￥13.2719

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型号：NCV7718CDPR2G 编号：C556475

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行

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￥18.1204 ￥20.36
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￥13.8487 ￥17.53
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￥10.9365 ￥15.85
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￥9.7635 ￥14.15
500+
￥9.2253 ￥13.37
1000+
￥8.9838 ￥13.02

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型号：MP6519GQ-Z 编号：C2762181

封装：QFN-19(3x3)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥20.4813
50+
￥19.1049
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￥16.8766

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型号：SM72295MA/NOPB 编号：C1519373

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

SM72295 具有集成电流感应放大器的 3A、100V 全桥栅极驱动器

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1+
￥28.82
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￥24.66
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￥22.2

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型号：L9960TR 编号：C2969939

封装：PowerFSOP-36

品牌：ST(意法半导体)

H桥

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1+
￥30.4
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￥26.12
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￥23.57

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型号：A4940KLPTR-T 编号：C163280

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

斩波稳定精密霍尔门闩锁存器

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￥262
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￥230

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型号：XL2112SPBF 编号：C22397799

封装：SOP-16-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥2.57
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￥2.28
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￥2.13
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￥1.99
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￥1.91

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型号：SLM27211CA-DG 编号：C967931

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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￥4.72
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￥3.69
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￥3.18
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￥2.67
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型号：DR703QAQFN32 编号：C19078483

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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￥12.03
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型号：NCP51530BMNTWG 编号：C603752

封装：DFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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￥17.53
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￥15.34
30+
￥13.97

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型号：LTC4449EDCB#TRMPBF 编号：C580913

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥20.44
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￥19.97
30+
￥19.65

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型号：MIC4606-2YTS-TR 编号：C628054

封装：TSSOP-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是85V全桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控全桥两侧，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大化功率效率。防直通电路可防止错误输入和噪声同时导通桥每一侧的两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大化系统效率

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￥31.55
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￥27.03
30+
￥24.34

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型号：EPC23104 编号：C53066374

封装：WQFN-13-HR(3.5x5)

品牌：EPC

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￥43.26
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￥37.53
30+
￥34.04

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型号：TC4467EOE 编号：C642030

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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1+
￥58.59 ￥93
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￥47.0852 ￥88.84
30+
￥35.1095 ￥81.65
100+
￥32.4134 ￥75.38

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型号：NSG27714 编号：C52975936

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥4.44
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￥3.6
30+
￥3.18
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￥2.76
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￥2.51
1000+
￥2.38

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型号：COS2110PBF 编号：C7501650

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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￥4.53
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￥3.58
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￥3.1
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￥2.63
500+
￥2.35
1000+
￥2.2

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型号：DR704QAQFN32 编号：C19078484

封装：QFN-32

品牌：analogysemi(类比半导体)

单H桥驱动器针对汽车应用的智能单H 桥驱动器，可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直流电机

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￥14.21
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￥12.13
30+
￥10.83
100+
￥9.5

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型号：UCC27201ADPRR 编号：C2864194

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥18.68
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￥18.23
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