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型号：IRS20957STRPBF 编号：C78075

封装：SOIC-16

IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器，具有浮动PWM输入，专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况，无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置，以获得更好的音频性能，如更低的总谐波失真（THD）和更低的音频本底噪声。

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型号：SLMi8233BDCG-DG 编号：C2976443

封装：SOP-16-300mil

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLMi823x隔离驱动器系列是具有不同配置的隔离式双通道栅极驱动器。SLMi8230/1/3/4配置为高端/低端驱动器，而SLMi8232/5配置为双驱动器

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型号：TC4428AEOA713 编号：C55181

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：DRV11873PWPR 编号：C88044

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV11873 12V 标称电压、2A 峰值无传感器梯形控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：GBI7A54NMAR 编号：C28324638

封装：DFN-8L-EP(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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型号：GN25L96-QFN-TR 编号：C22455081

封装：QFN-28

品牌：SEMTECH

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型号：LM3409HVMY/NOPB 编号：C11157

封装：MSOP-10-EP

品牌：TI(德州仪器)

LM3409HV 用于高功率 LED 驱动器的 75V PFET 降压控制器

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型号：MAX3243EIDBR 编号：C353887

封装：SSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

该器件由三个线路驱动器、五个线路接收器和一个双电荷泵电路组成，提供ESD保护，并符合TIA/EIA-232-F标准。

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：CDCLVC1103PWR 编号：C555453

封装：TSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

CDCLVC1103 低抖动 1:3 LVCMOS 扇出时钟缓冲器

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型号：TC4427EOA 编号：C636891

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：ADM202EARNZ-REEL 编号：C6167

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

EMI/EMC兼容、±15kVESD保护、RS-232线路驱动器/接收器

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型号：MAX3232EIPWRQ1 编号：C408975

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

MAX3232E-Q1是一款多通道RS-232线路驱动器/接收器，支持3V至5.5V电源电压，具有±15kV IEC ESD保护。

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型号：L293DN 编号：C434590

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）和开关功率晶体管。为简化作为两个电桥的使用，每对通道都配备了一个使能输入。为逻辑电路提供了单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并内置了钳位二极管。适用于高达5kHz频率的开关应用。采用16引脚塑料封装，有4个中心引脚连接在一起用于散热。采用20引脚表面贴装封装，有8个中心引脚连接在一起用于散热。

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型号：LP8865ZQDMTRQ1 编号：C22386103

封装：VSON-14(3x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

是一种非同步多拓扑解决方案，具有4.5V至65V的宽输入范围。通过集成低侧NMOS开关，该器件能够以高功率密度和高效率驱动LED。还支持共阴极连接和单层PCB设计。开关频率可在100kHz至2.2MHz范围内进行配置，并具有可选的展频功能，可实现更好的EMI性能

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型号：NSI6601C-DSWVR 编号：C5441136

封装：SOW-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSl6601是一款单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET。它提供分离式输出，可分别控制上升和下降时间。其灌/拉峰值电流可达5A

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：SN65C3221PWR 编号：C2671289

封装：TSSOP-16-4.4mm

品牌：TI(德州仪器)

符合RS-232的3V至5.5V单通道线路驱动器和接收器，支持自动断电功能以节省能耗。

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型号：MGJ2D121509SC 编号：C5369898

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

MGJ2 系列是专为 IGBT驱动器而设计的 DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1）通用变频器；2）交流伺服驱动系统；3）电焊机；4）不间断电源(UPS)。

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￥11.543 ￥13.58
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型号：QA053C-1505R3 编号：C5369876

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA053C-1505R3是专为SiC MOSFET 驱动器而设计的DC-DC 模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小SiCMOSFET 的驱动损耗。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：●通用变频器●交流伺服驱动系统●电焊机●不间断电源(UPS)，●满足加强绝缘●隔离电压：5.0KVAC●局部放电：1700V●效率：高达 87%（Typ.）●工作环境温度：-40℃～+105℃

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