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低功耗1MBd数字光耦合器

型号：ACPL-M50L-560E 编号：C2927821

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在-40℃至+105℃的温度范围内，在VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.73
30+
￥5.14
100+
￥4.47

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10MBd宽工作温度汽车数字光耦合器，具备R2Coupler隔离和AEC-Q100认证

型号：ACPL-M61T-500E 编号：C92192

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

小型宽工作温度、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器，是一款采用五引脚微型封装的单通道器件。光耦合门结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在VCM = 1000V时可保证15,000V/µs的共模瞬态抗扰度。适用于汽车高速通信逻辑接口，具有低传播延迟、输入/输出缓冲功能，建议在高工作温度环境中使用。独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至125℃范围内得到保证。R2Coupler隔离产品为汽车和高温工业应用提供了关键的加强绝缘和可靠性。

数据手册

1+
￥8.29
10+
￥7.56
30+
￥7.1
100+
￥6.63

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HCNW4504-500E

型号：HCNW4504-500E 编号：C49269559

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥8.33
10+
￥6.86
30+
￥6.04
100+
￥5.13

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宽工作温度汽车用数字光耦，可配置为低功耗、低泄漏光电晶体管

型号：ACPL-M49T-500E 编号：C92183

封装：SO-5-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - M49T是一款单通道、高温、高共模抑制比（CMR）、20 kBd的数字光耦合器，可配置为低功耗、低漏电流的光电晶体管，专门用于汽车应用。其SO - 5 JEDEC注册（MO - 155）封装外形为表面贴装式。这款数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间采用了绝缘层，以实现输入和输出之间的电气隔离

数据手册

1+
￥10.7
10+
￥8.79
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￥7.73
100+
￥6.54
500+
￥6.01

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2.5A输出电流IGBT栅极驱动光耦合器，带有源米勒钳位、轨到轨输出电压和欠压锁定功能，采用拉伸SO8封装

型号：ACPL-K342-560E 编号：C17221227

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

1+
￥12.28
10+
￥10.32
30+
￥9.09
100+
￥7.84
500+
￥7.27

有货

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HCPL-0720-500E

型号：HCPL-0720-500E 编号：C49275054

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥21.2
10+
￥18.04
30+
￥16.16

有货

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1.0A输出电流IGBT栅极驱动光耦，带轨到轨输出电压

型号：ACPL-W340-560E 编号：C691966

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

1+
￥22.52
10+
￥19.57
30+
￥17.82

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DC输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-073L-500E 编号：C692016

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与LVTTL兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，VCC和VO端子可以连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整。这些光耦合器适用于LVTTL/LVCMOS或其他低功耗应用。在0至+70℃的工作范围内，仅需0.5mA的LED电流，即可保证400%的最小电流传输比。SOIC-8封装的器件不需要在PCB上打孔。该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计与标准表面贴装工艺兼容。

数据手册

1+
￥23.67
10+
￥20.31
30+
￥18.31

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3.3V/5V高速CMOS光耦

型号：ACPL-072L-560E 编号：C49269384

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

可用8引脚DIP或SO-8封装，利用最新的CMOS IC技术，实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。该系列产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥29.97
10+
￥25.5
30+
￥22.84

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ACSL-6420-00TE

型号：ACSL-6420-00TE 编号：C6795979

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥65.05
10+
￥55.4
50+
￥49.52

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高电流1 Form A固态继电器（MOSFET）

型号：ASSR-1611-301E 编号：C22379958

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

1+
￥75.62
10+
￥64.38
50+
￥57.52

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密封、低输入电流、宽电源电压、高增益光耦合器

型号：6N140A/883B 编号：C39318318

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

这些是单通道、双通道和四通道的密封光耦合器。既可以作为商业产品购买，也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试购买，或从适当的DLA标准微电路图纸（SMD）购买。所有器件均在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，H级和K级器件包含在DLA混合微电路合格制造商列表QML-38534中。每个通道包含一个与集成高增益光子探测器光耦合的GaAsP发光二极管

1+
￥633.95
36+
￥610.9

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直流输入，半间距光电晶体管光耦合器

型号：ACPL-217-50CE 编号：C17589560

封装：SOIC-4-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 4 引脚 SO 封装。输入-输出隔离电压额定值为 3750V_RMS。响应时间 tr 典型值为 2μs，在输入电流为 5mA 时，最小电流传输比 (CTR) 为 50%。

1+
￥3.15
10+
￥2.44
30+
￥2.14
100+
￥1.76

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0.6A输出电流IGBT栅极驱动光耦

型号：ACPL-W314-560E 编号：C2927817

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

1+
￥3.38
10+
￥3.31
30+
￥3.26
100+
￥3.21

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直流输入，半间距光电晶体管光耦合器

型号：ACPL-217-50DE 编号：C6795857

封装：SOIC-4

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS

1+
￥3.85
10+
￥3.09
30+
￥2.77

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ACPL-217-560E

型号：ACPL-217-560E 编号：C691927

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

数据手册

1+
￥4.08
10+
￥3.98
30+
￥3.92

有货

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0.6安输出电流IGBT栅极驱动光耦

型号：ACPL-P314-500E 编号：C116685

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

数据手册

1+
￥6.99
10+
￥5.75
30+
￥5.07

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-M454-500E 编号：C692066

封装：SOP-5-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。具有保证的传播延迟差 (tPLH-tPHL)，可解决IPM逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定，并提供了典型性能图，便于应用。该二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。

数据手册

1+
￥7.32
10+
￥6.74
30+
￥6.43
100+
￥6.07

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：ACPL-W343-500E 编号：C364869

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

数据手册

1+
￥7.4
10+
￥6.18
30+
￥5.51
100+
￥4.24

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2.5A输出电流IGBT栅极驱动光耦合器

型号：ACPL-T350-060E 编号：C17568677

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 GaAsP LED，该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值（选项 060）。

1+
￥7.83
10+
￥7.09
50+
￥6.68
100+
￥6.23
500+
￥6.02

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交流输入，多通道半间距光电晶体管光耦合器

型号：ACPL-224-560E 编号：C38200007

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

1+
￥8.06
10+
￥7.39
30+
￥6.98
100+
￥6.55

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-3150-000E 编号：C188744

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

0.5A输出电流,IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器

数据手册

1+
￥8.32
10+
￥6.92
50+
￥6.15

有货

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直流输入，多通道半间距光电晶体管光耦合器

型号：ACPL-227-56CE 编号：C39748355

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。同样，ACPL - 247是一款直流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管光耦合的发光二极管

1+
￥9.04
10+
￥7.41
30+
￥6.52

有货

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HCPL-260L-000E

型号：HCPL-260L-000E 编号：C692030

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

数据手册

1+
￥9.2
10+
￥8.97
30+
￥8.82

有货

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交流输入，多通道半间距光电晶体管光耦合器

型号：ACPL-224-500E 编号：C6795848

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

1+
￥9.93
10+
￥8.33
30+
￥7.33

有货

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反相逻辑高共模抑制智能功率模块和栅极驱动接口光耦合器

型号：ACPL-P483-560E 编号：C5937739

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

1+
￥10.77
10+
￥9.05
30+
￥7.97
100+
￥6.87
500+
￥6.38
1000+
￥6.16

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高共模抑制比高速光耦合器

型号：ACPL-W454-560E 编号：C691970

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - W454/P454与博通的其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。ACPL - W454/P454还保证了传播延迟差（tPLH - tPHL）。这些特性使ACPL - W454/P454成为解决智能功率模块（IPM）逆变器死区时间及其他开关问题的理想方案

数据手册

1+
￥15.93
10+
￥13.52
30+
￥12.01

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DC输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：ACPL-064L-560E 编号：C691923

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

数据手册

1+
￥16.68
10+
￥14.15
30+
￥12.57

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高共模抑制比、高速TTL兼容光耦合器

型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥17.77
10+
￥15.09
42+
￥13.49
84+
￥11.88

有货

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高共模抑制比、高速TTL兼容光耦合器

型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥22.21
10+
￥18.86
30+
￥16.87
100+
￥14.85

有货

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