博通光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-063L-560E 编号：C692012

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 260L/060L/263L/063L 是光耦合门电路，它将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器 IC 的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管

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￥13.95
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￥8.1504 ￥8.49
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￥7.6032 ￥7.92

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型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥17.77
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￥11.6424 ￥11.88
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￥10.584 ￥10.8

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型号：ACPL-K33T-500E 编号：C17218476

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥18.51
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￥15.75
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￥14.1
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￥12.44
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￥11.68

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型号：ACPL-P484-500E 编号：C5553634

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥20.61
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￥12.53

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型号：HCPL-2731-000E 编号：C49268978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥20.84
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￥17.73
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￥15.88
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￥14.02

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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型号：ASSR-4118-003E 编号：C52196485

封装：SOP-4

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.46
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￥19.11
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型号：HCPL-4200-000E 编号：C692047

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（MARK）来表示逻辑高状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（SPACE）来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路，并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值，提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口，并提供了保证的共模抑制

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￥27.35
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￥22.2264 ￥22.68

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型号：ACPL-355JC-500E 编号：C38013275

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款10A智能栅极驱动光耦合器。高峰值输出电流和宽工作电压范围使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或SiC MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。它为IGBT/SiC MOSFET提供过流保护和功能安全报告。这款功能齐全且易于实现的栅极驱动光耦合器采用紧凑的、可表面贴装的SO-16 600V CTI封装。它提供符合安全法规IEC/DIN/DIN、UL和cUL认证的加强绝缘。

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￥37.07
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￥28.72

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型号：HCNW4506-000E 编号：C188692

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP LED，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案

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型号：ACPL-P346-560E 编号：C961432

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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￥17.51
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￥16.66
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型号：HCPL-0601-000E 编号：C2686011

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥19.33
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型号：ACPL-K34T-560E 编号：C17232054

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥16.87
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￥13.92

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型号：HCPL-4100-500E 编号：C692046

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4100光耦合器设计用作采用20 mA电流环设备中的发射器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（传号）来表示逻辑高电平状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（空号）来表示逻辑低电平状态。从逻辑输入到20 mA电流环的信号光耦合可打破接地环路，并对共模干扰具有极高的抗扰度

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￥28.03
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￥26.73
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￥22.6
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￥21.3738 ￥21.81
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￥20.8642 ￥21.29

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型号：ACNT-H50L-500E 编号：C691913

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACNT - H50L是一款单通道、传输速率为1 MBd的光耦合器，采用拉伸型SO8封装。它在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以实现输入和输出之间的电气隔离。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过降低基极 - 集电极电容，其速度比传统光电晶体管耦合器快达百倍

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1+
￥29.99
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￥25.44
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￥22.73

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型号：HCPL-2731-500E 编号：C17362441

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对分离的 GaAsP 发光二极管，它们与一对集成的高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。与传统的光电达林顿型光耦合器相比，光电二极管和第一增益级 (VCC) 的单独引脚允许更低的输出饱和电压和更高的运行速度。此外，VCC 可以低至 1.6V，而不会对参数性能产生不利影响。SO-8 封装不需要在 PCB 上有“通孔”。这种封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。

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￥31.68
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￥26.9
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￥23.99
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￥21.55

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型号：ACSL-7210-00RE 编号：C7466706

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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￥33.78
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￥28.81
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￥22.785 ￥23.25

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型号：HCPL-4100-000E 编号：C692045

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4100光耦合器设计用作采用20 mA电流环设备中的发射器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（传号）来表示逻辑高电平状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（空号）来表示逻辑低电平状态。从逻辑输入到20 mA电流环的信号光耦合可打破接地环路，并对共模干扰具有极高的抗扰度

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1+
￥38.59
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￥33.23
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￥28.05
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￥24.83

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型号：HCPL-3700-300E 编号：C17363327

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能，可增强抗噪声和抗开关干扰能力；配备二极管桥，便于与交流输入信号配合使用；内置钳位二极管，可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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￥38.92
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￥38.04
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￥37.44

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型号：HCPL-2430-500E 编号：C49269407

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥42.12
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￥36
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￥32.28
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￥28.567 ￥29.15

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型号：ACSL-6420-00TE 编号：C6795979

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

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￥68.54
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￥58.89
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￥53.02

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型号：ACPL-217-50DE 编号：C6795857

封装：SOIC-4

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS

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￥3.67
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￥2.91
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￥2.59
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￥2.19

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型号：HCPL-3140-560E 编号：C692037

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥9.88
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￥9.69
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￥9.56
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￥9.43

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型号：ACPL-K342-560E 编号：C17221227

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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￥12.28
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￥9.09
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￥7.84
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￥7.27
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￥7.02

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型号：HCNW2601-500E 编号：C188687

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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￥12.47
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￥10.51
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￥9.29
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￥8.03
750+
￥7.47

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型号：ACPL-W454-560E 编号：C691970

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - W454/P454与博通的其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比（CTR）。ACPL - W454/P454还保证了传播延迟差（tPLH - tPHL）。这些特性使ACPL - W454/P454成为解决智能功率模块（IPM）逆变器死区时间及其他开关问题的理想方案

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