博通光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-2231-000E 编号：C188738

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高CMR,4.5V到20V宽Vcc,逻辑门光电耦合器

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￥19.72
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￥17
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￥13.69
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￥11.8188 ￥12.06
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￥11.074 ￥11.3
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￥10.7408 ￥10.96

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型号：HCPL-J312-500E 编号：C692062

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥20.52
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￥17.56
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￥15.8
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￥12.91
500+
￥12.09

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型号：ASSR-1411-501E 编号：C6507629

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。探测器由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）

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￥22.74
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￥19.31
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￥17.27
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￥15.21
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￥14.26
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￥13.83

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型号：ACPL-K44T-560E 编号：C17472505

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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￥26.65
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￥22.63
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￥20.24
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￥17.82
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￥16.71
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￥16.2

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型号：HCPL-0300-500E 编号：C6796000

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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￥29.59
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￥25.15
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￥22.51
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￥19.84
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￥18.61
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￥18.06

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型号：HCPL-3700-500E 编号：C50385185

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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￥32.34
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￥27.51
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￥24.64
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￥21.74
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￥20.41
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￥19.8

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型号：HCPL-817-50BE 编号：C2927831

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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￥1.9682
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￥1.5372
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￥1.3525
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￥1.0707
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￥0.9681

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型号：HCPL-050L-500E 编号：C692011

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

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￥5.84
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￥5.26
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￥4.94
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￥4.57
500+
￥4.15
1500+
￥4.08

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型号：HCPL-4506-000E 编号：C56410

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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￥6.27
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￥4.48
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￥3.501 ￥3.89
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￥3.186 ￥3.54
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￥3.024 ￥3.36

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型号：ACPL-227-500E 编号：C5260473

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。同样，ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管光耦合的发光二极管

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￥6.32
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￥5.1
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￥3.52
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￥3.34

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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￥6.52
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￥4.61
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￥3.8906 ￥3.97
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￥3.3516 ￥3.42
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￥3.1654 ￥3.23

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型号：HCPL-2601-500E 编号：C692028

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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￥6.8
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￥5.72
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￥4.45
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￥3.61

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型号：ACPL-224-560E 编号：C38200007

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

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￥7.48
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￥5.8604 ￥5.98
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￥5.6644 ￥5.78
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￥5.586 ￥5.7

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型号：HCPL-3140-500E 编号：C692036

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥7.5
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￥6.17
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￥5.43
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￥4.5178 ￥4.61
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￥3.9886 ￥4.07

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型号：HCPL-4503-000E 编号：C545702

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。设计用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在lF = 16 mA时的CTR最小为19%。

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￥7.66
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￥6.37
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￥4.3708 ￥4.46
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￥4.018 ￥4.1
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￥3.8612 ￥3.94

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型号：HCPL-2611-500E 编号：C188741

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速TTL兼容光电耦合器

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1+
￥7.95
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￥6.52
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￥5.73
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￥4.7432 ￥4.84
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￥4.3512 ￥4.44
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￥4.1846 ￥4.27

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型号：HCPL-314J-500E 编号：C545701

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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1+
￥9.11
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￥8.33
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￥7.84
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￥7.056 ￥7.35
500+
￥6.8352 ￥7.12
850+
￥6.7392 ￥7.02

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型号：HCPL-2631-000E 编号：C545700

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可确保在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至 +85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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1+
￥9.36
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￥7.78
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￥6.91
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￥5.92
500+
￥5.48
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￥5.29

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型号：HCPL-2531-000E 编号：C692026

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

数据手册

1+
￥9.81
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￥8.16
50+
￥6.63
100+
￥5.6
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￥5.14
1000+
￥4.94

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

数据手册

1+
￥13.14
10+
￥11.18
50+
￥8.92
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￥7.5068 ￥7.66
500+
￥6.9482 ￥7.09
1000+
￥6.7032 ￥6.84

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型号：ACPL-K64L-500E 编号：C691950

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将铝镓砷发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出采用压摆率控制，旨在允许在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内保证交直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

数据手册

1+
￥22.47
10+
￥19.08
30+
￥17.07
100+
￥15.03
500+
￥14.09

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型号：HCPL-5231 编号：C6570014

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥1061.65
30+
￥1012.48

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型号：HCPL-354-000E 编号：C7466699

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 354 包含一个光电晶体管，与两个反向并联连接的发光二极管（LED）进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件（SMD）封装，具有……（原文此处未完整）

5+
￥2.2939
50+
￥1.8504
150+
￥1.6603
500+
￥1.2954

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型号：HCPL-M456-500E 编号：C90878

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与集成高增益光电探测器光耦合组成。最小化器件间的传播延迟差异，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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1+
￥4.74
10+
￥3.77
30+
￥3.29
100+
￥2.81
500+
￥2.52

有货

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型号：6N136-500E 编号：C691904

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.38
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￥3.88
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￥3.3124 ￥3.38
500+
￥2.6068 ￥2.66
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￥2.4598 ￥2.51

有货

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型号：ACPL-M60L-500E 编号：C53441

封装：SOP-5

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - M60L是一款光耦合门电路，它将砷化镓磷（GaAsP）发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层确保在3.3V工作电压下，共模瞬态抗扰度指标达到15 kV/μs

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.78
30+
￥4.21
100+
￥3.66

有货

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型号：ACPL-M61T-500E 编号：C92192

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

小型宽工作温度、高共模抑制比（CMR）、高速逻辑门光耦合器，是一款采用五引脚微型封装的单通道器件。光耦合门结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在VCM = 1000V时可保证15,000V/µs的共模瞬态抗扰度。适用于汽车高速通信逻辑接口，具有低传播延迟、输入/输出缓冲功能，建议在高工作温度环境中使用。独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至125℃范围内得到保证。R2Coupler隔离产品为汽车和高温工业应用提供了关键的加强绝缘和可靠性。

数据手册

1+
￥8.29
10+
￥7.56
30+
￥7.1
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￥6.4974 ￥6.63
500+
￥6.2818 ￥6.41
1500+
￥6.1936 ￥6.32

有货

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型号：HCPL-061A-500E 编号：C188700

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容,高CMR,10MBd光电耦合器

数据手册

1+
￥10.34
10+
￥8.74
30+
￥7.74
100+
￥6.72
500+
￥6.26

有货

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型号：HCNW2611-500E 编号：C188689

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

数据手册

1+
￥12.73
10+
￥10.59
30+
￥9.25
100+
￥7.88

有货

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型号：ACSL-6210-00RE 编号：C49282394

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥18.81
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￥15.86
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￥11.8776 ￥12.12
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