博通光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-063N-500E 编号：C692013

封装：SOP-8

光耦合门提供了行业标准6N37系列的所有优点，同时具有与HCMOS兼容的输入电流。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少老化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACPL-W50L-560E 编号：C17343764

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减少基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在 -40℃至105℃的温度范围内，当VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

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型号：HCNW3120-500E 编号：C39657

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

2A输出电流,IGBT门驱动光电耦合器

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型号：ACPL-W349-500E 编号：C691969

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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型号：HCPL-053L-500E 编号：C545694

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接，通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”。该封装占用的面积约为标准双列直插封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带宽模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000V/μs 至典型值。

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型号：HCPL-2231-000E 编号：C188738

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高CMR,4.5V到20V宽Vcc,逻辑门光电耦合器

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型号：ACPL-W483-560E 编号：C7066648

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

快速速度光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，以提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，并允许直接驱动智能功率模块或作为栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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型号：QCFJ-3439T-500UE 编号：C6800671

封装：SO-24

品牌：Broadcom(博通)

QCFJ - 3439T是一款峰值电流为17A的智能栅极驱动光耦。其高峰值输出电流和宽工作电压范围，使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能

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型号：HCPL-354-000E 编号：C7466699

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 354 包含一个光电晶体管，与两个反向并联连接的发光二极管（LED）进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件（SMD）封装，具有……（原文此处未完整）

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型号：HCPL-M456-500E 编号：C90878

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与集成高增益光电探测器光耦合组成。最小化器件间的传播延迟差异，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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型号：HCPL-4506-000E 编号：C56410

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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型号：ACPL-P314-560E 编号：C691958

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：HCPL-3120-560E 编号：C692034

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：ACPL-W61L-560E 编号：C2977814

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCNW2611-500E 编号：C188689

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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型号：ACPL-796H-500E 编号：C2927807

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款1位、二阶sigma-delta（Σ-Δ）调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达80dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合直接连接到分流电阻或其他低电平信号源，用于电机相电流测量等应用。模拟输入通过外部时钟进行sigma-delta过采样连续采样，信号跨隔离屏障耦合，允许与任何数字控制器同步操作

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型号：ACPL-7970-500E 编号：C691937

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款1位、二阶sigma-delta (Σ-Δ)调制器，基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电，配合适当的数字滤波器，动态范围可达78dB。差分输入为±200mV（满量程±320mV），非常适合在电机相电流测量等应用中直接连接分流电阻或其他低电平信号源。模拟输入通过片上时钟采用sigma-delta过采样方式进行连续采样

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型号：HCPL-314J-500E 编号：C545701

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 314J 系列器件由一个 AlGaAs 发光二极管和一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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型号：ACPL-P483-500E 编号：C545688

封装：SO-6-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：HCPL-061N-500E 编号：C188701

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容,高CMR,10MBd光电耦合器

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型号：HCPL-J312-500E 编号：C692062

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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型号：HCNW2211-500E 编号：C692001

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACPL-K64L-500E 编号：C691950

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将铝镓砷发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证20 kV/μs的共模瞬态抗扰度。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出采用压摆率控制，旨在允许在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃ 至 +105℃ 温度范围内保证交直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-4100-500E 编号：C692046

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4100光耦合器设计用作采用20 mA电流环设备中的发射器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（传号）来表示逻辑高电平状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（空号）来表示逻辑低电平状态。从逻辑输入到20 mA电流环的信号光耦合可打破接地环路，并对共模干扰具有极高的抗扰度

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型号：HCPL-063L-560E 编号：C692012

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 260L/060L/263L/063L 是光耦合门电路，它将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器 IC 的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管

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型号：ACPL-227-500E 编号：C5260473

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 227是一款直流输入双通道半间距光电晶体管光耦合器，包含两个与两个独立光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用8引脚SO封装。同样，ACPL - 247是一款直流输入四通道半间距光电晶体管光耦合器，包含四个与四个独立光电晶体管光耦合的发光二极管

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￥3.8

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型号：HCPL-2611-000E 编号：C692032

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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￥9.15
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￥7.64
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￥5.49

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型号：HCPL-061A-500E 编号：C188700

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容,高CMR,10MBd光电耦合器

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￥7.49
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型号：ACPL-W50L-500E 编号：C691972

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率、低输入电流、1MBd数字光耦合器使用发光二极管和集成光子探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在1500V的共模电压下，在-40℃至105℃的温度范围内，具有至少15kV/μs的增强型共模瞬态抗扰度。电流传输比（CTR）在正向电流为3mA时，某型号典型值为140%，其他型号典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。

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型号：ACPL-K43T-560E 编号：C364867

封装：SOP-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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