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  • 包含一个与具有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差,专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET,以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。
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  • ACNT - H50L是一款单通道、传输速率为1 MBd的光耦合器,采用拉伸型SO8封装。它在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层,以实现输入和输出之间的电气隔离。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接,通过降低基极 - 集电极电容,其速度比传统光电晶体管耦合器快达百倍
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  • 是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器,采用CMOS IC技术和专利封装技术,在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化,如现场总线(PROFIBUS)和串行外设接口(SPI)应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真
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  • 包含一个LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。对于额定值较高的IGBT,该光耦合器可用于驱动分立功率级,进而驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。
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  • 采用8引脚DIP或SO-8封装形式,利用最新的CMOS IC技术,实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
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      ¥32.28
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  • HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装(DIP),有宽引脚间距选项和弯引脚贴片(SMD)选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
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  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用,在IF = 16mA时,电流传输比(CTR)最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时,这些器件的CTR最低为19%。
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  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
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  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
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  • 4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管,该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻,该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流,并将多余的基极驱动电流泄放到地,因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比,第二级基极可外接,从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容,以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。
    • 1+

      ¥10.73
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      ¥9.77
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  • HCPL - 260L/060L/263L/063L 是光耦合门电路,它将 GaAsP 发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。使能输入可对探测器进行选通。探测器 IC 的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管
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      ¥13.25
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  • 汽车2.5A栅极驱动光耦合器,集成了去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈,使汽车IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实施,同时满足汽车AEC-Q100 1级半导体要求。R2Coupler隔离产品为关键的汽车和高温工业应用提供所需的加强绝缘和可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.79
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      ¥16.96
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      ¥13.47
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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,VCC 和 VO 端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册
    • 1+

      ¥19.46
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  • 有货
  • 包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC/GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。
    • 1+

      ¥30.04
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      ¥25.56
    • 30+

      ¥22.9
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对分离的 GaAsP 发光二极管,它们与一对集成的高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。与传统的光电达林顿型光耦合器相比,光电二极管和第一增益级 (VCC) 的单独引脚允许更低的输出饱和电压和更高的运行速度。此外,VCC 可以低至 1.6V,而不会对参数性能产生不利影响。SO-8 封装不需要在 PCB 上有“通孔”。这种封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。
    • 1+

      ¥31.68
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      ¥26.9
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      ¥23.99
    • 100+

      ¥21.55
  • 有货
  • 快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。
    • 1+

      ¥32.27
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      ¥27.59
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      ¥24.73
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  • 是电压/电流阈值检测光耦合器,低电流版本使用高效AlGaAs LED,可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC,允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能:用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥,以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应,因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。
    • 1+

      ¥41.08
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      ¥35.3
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      ¥50.8
    • 45+

      ¥46.06
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  • 高线性模拟光耦合器由高性能AlGaAs LED组成,该LED为两个紧密匹配的光电二极管提供照明。输入光电二极管对LED的光输出进行监测,从而使其稳定。因此,实际上可以消除LED的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与LED光输出呈线性关系的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。高线性模拟光耦合器在各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号。通过适当设计应用电路,高线性模拟光耦合器能够以多种不同模式工作,包括单极/双极、交流/直流和反相/同相。高线性模拟光耦合器是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥85.17
    • 10+

      ¥82.79
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  • ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器,包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS
    • 10+

      ¥1.666609
    • 100+

      ¥1.604883
    • 200+

      ¥1.48143
    • 1000+

      ¥1.419704
    • 2000+

      ¥1.382668
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      ¥2.4
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      ¥3.68
  • 有货
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      ¥5.33
    • 10+

      ¥4.24
    • 65+

      ¥3.7
  • 有货
  • 包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管光耦合。采用4引脚微型扁平贴片封装,高度为2.0mm。该产品尺寸小,可显著节省空间,封装体积比传统DIP型小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间τᵣ通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    • 1+

      ¥7.72
    • 10+

      ¥6.47
    • 30+

      ¥5.78
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    • 30+

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