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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时,这些器件的CTR最小为19%。
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  • 1+

    ¥9.38
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    ¥7.09
  • 有货
  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
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  • 是单通道低速光耦合器,具有晶体管输出。采用紧凑的表面贴装 SO4 封装,节省空间。输入和输出通道之间提供 4kV RMS 的隔离电压。主要为低功耗运行而设计,用于低速信号传输的工作 LED 驱动电流低至 0.3mA。低集电极暗电流,在不使用时几乎不消耗电流。提供增强绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。
    • 1+

      ¥13.31
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      ¥12.98
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  • 有货
  • ACPL-071L (单通道) 和 ACPL-074L (双通道) 是采用 SOIC-8 封装的 15-MBd CMOS 光耦合器。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术,以极低的功耗实现出色的性能。ACPL-071L 和 ACPL-074L 的基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

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      ¥16.94
  • 有货
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    • 42+

      ¥13.15
  • 有货
  • 0.5mA 低输入电流,高增益光电耦合器
    数据手册
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  • 有货
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      ¥18.09
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED,而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。
    • 1+

      ¥19.28
    • 10+

      ¥18.85
    • 50+

      ¥18.57
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.33
    • 10+

      ¥16.4
    • 30+

      ¥14.57
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.45
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    • 30+

      ¥18.88
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道IDD电流最大为1.3 mA。LED正向电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽可保证共模瞬态抗扰度规格最高为20 kV/μs,在保持TTL/CMOS兼容性的同时实现最大AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    • 1+

      ¥19.93
    • 10+

      ¥16.88
    • 30+

      ¥15.06
  • 有货
  • ACPL-M484/P484/W484高速光耦合器包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的绝佳解决方案
    • 1+

      ¥20.24
    • 10+

      ¥17.32
    • 50+

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    • 10+

      ¥18.34
    • 50+

      ¥16.43
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥22.06
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      ¥21.17
  • 有货
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    • 10+

      ¥23.11
    • 30+

      ¥22.76
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED,而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。
    • 1+

      ¥24.31
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  • 有货
    • 1+

      ¥26.95
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      ¥22.93
    • 42+

      ¥20.54
    • 84+

      ¥18.12
  • 有货
  • ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器,每个通道包含两个反向并联的发光二极管,且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地,ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器,每个通道包含两个反向并联的发光二极管,且与四个独立的光电晶体管进行光耦
    数据手册
    • 1+

      ¥26.95
    • 10+

      ¥23.21
    • 30+

      ¥20.98
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。 内部屏蔽保证在1000V共模电压下,共模瞬态抗扰度为25kV/μs。工作电源为2.7V至5.5V,在-40℃至+105℃的扩展温度范围内保证交流和直流性能。
    • 1+

      ¥28.74
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      ¥24.46
    • 30+

      ¥21.91
    • 100+

      ¥19.33
  • 有货
  • 该系列由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器导通(触点闭合)。输入电压为0.8V或更低时,继电器断开(触点打开)
    • 1+

      ¥29.3
    • 10+

      ¥25.14
    • 30+

      ¥22.67
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,可实现无故障系统性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.57
    • 10+

      ¥25.37
    • 30+

      ¥22.47
    • 100+

      ¥19.94
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。
    • 1+

      ¥31.1
    • 10+

      ¥26.35
    • 30+

      ¥23.53
  • 有货
  • 高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成,该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出,从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号,非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括:单极/双极、交流/直流和反相/同相,是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥33.94
    • 10+

      ¥29.19
    • 42+

      ¥26.3
  • 有货
  • 这些器件是超低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。HCPL-4701代表单通道8引脚DIP配置,与行业标准6N139引脚兼容。HCPL-4731代表双通道8引脚DIP配置,与流行标准HCPL-2731引脚兼容。
    • 1+

      ¥35.16
    • 10+

      ¥30.38
    • 30+

      ¥27.53
  • 有货
  • 光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流(MARK)来表示逻辑高状态,通过允许不超过几毫安的环路电流(SPACE)来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路,并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值,提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口,并提供了保证的共模抑制
    数据手册
    • 1+

      ¥38.58
    • 10+

      ¥33.46
    • 30+

      ¥27.49
  • 有货
  • ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷(AlGaAs)红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时,继电器导通(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关断(触点断开)。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器(EMR),双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接,输出电流增加到0.2A,导通电阻R(ON)降至10Ω。
    • 1+

      ¥38.65
    • 10+

      ¥32.69
    • 30+

      ¥29.05
    • 100+

      ¥26
  • 有货
  • 是15-MBd的CMOS光耦合器,采用SOIC-8封装。光耦合器采用最新的CMOS IC技术,以实现极低功耗的出色性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都包含一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥38.93
    • 10+

      ¥38.02
    • 30+

      ¥37.41
  • 有货
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