博通光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ACPL-054L-560E 编号：C691922

封装：SO-8

ACPL-M50L（采用SO - 5封装的单通道）、ACPL - 054L（采用SO - 8封装的双通道）、ACPL - W50L（采用扩展SO - 6封装的单通道）和ACPL - K54L（采用扩展SO - 8封装的双通道）是低功耗、低输入电流、1 MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气隔离。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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型号：HCPL-3180-500E 编号：C692042

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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型号：ACPL-P346-560E 编号：C961432

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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型号：ACPL-K33T-500E 编号：C17218476

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACPL-H342-560E 编号：C3010672

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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型号：ACPL-P484-500E 编号：C5553634

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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型号：HCPL-2232-000E 编号：C545698

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。HCPL22XX 和 HCPL-02XX 包含 GaAsP LED，而 HCNW22XX 包含 AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，以提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。 HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232 和 HCNW2211 上的优质内部屏蔽保证了在 1000V 共模电压下 10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

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型号：HCPL-5231 编号：C6570014

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACPL-217-560E 编号：C49269064

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：ACPL-T350-560ME 编号：C691965

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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型号：HCPL-4503-000E 编号：C545702

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。设计用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在lF = 16 mA时的CTR最小为19%。

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型号：HCPL-2611-500E 编号：C188741

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速TTL兼容光电耦合器

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型号：HCPL-3150-500E 编号：C2926379

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

由一个与带功率输出级的集成电路光耦合的LED组成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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型号：HCPL-0314-560E 编号：C545692

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：HCPL-0530-500E 编号：C193715

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。

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型号：HCNW2601-500E 编号：C188687

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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型号：ACPL-C784-500E 编号：C691939

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

隔离放大器专为电子电机驱动器中的电流感应而设计。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。在光隔离屏障的另一侧会产生差分输出电压，该电压与电机电流成正比，可通过运算放大器转换为单端信号。由于现代开关逆变器电机驱动器中常见几百伏的共模电压在几十纳秒内摆动，因此隔离放大器设计为可忽略至少10kV/μs的非常高的共模瞬态转换率

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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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￥13.14
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型号：HCNW4506-000E 编号：C188692

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP LED，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案

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￥13.35
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￥11.32
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￥8.74

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型号：HCPL-2731-000E 编号：C49268978

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥20.84
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￥17.73
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￥15.88
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￥14.02

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型号：ACPL-K34T-560E 编号：C17232054

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥22.21
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￥14.85
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型号：HCPL-4200-000E 编号：C692047

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（MARK）来表示逻辑高状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（SPACE）来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路，并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值，提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口，并提供了保证的共模抑制

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￥27.35
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￥26.14
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￥23.3
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￥22.68

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型号：HCPL-315J-500E 编号：C692039

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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￥36.14
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￥30.93
30+
￥27.83

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型号：ACPL-355JC-500E 编号：C38013275

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款10A智能栅极驱动光耦合器。高峰值输出电流和宽工作电压范围使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或SiC MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。它为IGBT/SiC MOSFET提供过流保护和功能安全报告。这款功能齐全且易于实现的栅极驱动光耦合器采用紧凑的、可表面贴装的SO-16 600V CTI封装。它提供符合安全法规IEC/DIN/DIN、UL和cUL认证的加强绝缘。

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￥38.96
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￥33.77
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￥30.61

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型号：HCPL-4100-000E 编号：C692045

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4100光耦合器设计用作采用20 mA电流环设备中的发射器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（传号）来表示逻辑高电平状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（空号）来表示逻辑低电平状态。从逻辑输入到20 mA电流环的信号光耦合可打破接地环路，并对共模干扰具有极高的抗扰度

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1+
￥40.64
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￥35.29
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￥30.11
100+
￥26.89

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型号：HCPL-0630 编号：C6267481

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥66.31
10+
￥56.44
30+
￥50.42
100+
￥45.37

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型号：HCPL-817-000E 编号：C2927828

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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￥2.0314
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型号：ACPL-M50L-560E 编号：C2927821

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在-40℃至+105℃的温度范围内，在VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

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