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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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￥7.1
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汽车级R2Coupler宽工作温度范围、1MBd数字光耦合器，采用拉伸型8引脚表面贴装塑料封装

型号：ACPL-K43T-500E 编号：C364866

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-K43T 是一款单通道、高温、高共模抑制比（CMR）、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专门用于汽车应用。ACPL-K44T 是 ACPL-K43T 的双通道版本。这两款产品均采用拉伸型 SO-8 封装，设计为与标准表面贴装工艺兼容

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￥9.29
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DC输入 2通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-2631-000E 编号：C545700

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可确保在Vcm = 1000V时，共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至 +85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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1+
￥9.8
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￥8.21
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￥7.34
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￥6.36
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DC输入 2通道隔离电压(rms):5000V

型号：ACPL-054L-500E 编号：C691921

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M50L（单通道，SO-5封装）、ACPL-054L（双通道，SO-8封装）、ACPL-W50L（单通道，拉伸SO-6封装）和ACPL-K54L（双通道，拉伸SO-8封装）是低功耗、低输入电流、1 MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。

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1+
￥10.99
10+
￥9.37
30+
￥8.37
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￥7.33
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￥5.93

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逻辑输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0721-500E 编号：C188707

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-772X 或 HCPL-072X 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO-8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，在实现出色性能的同时，功耗极低。HCPL-772X/072X 仅需两个旁路电容即可完全兼容 CMOS。

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￥11.38
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￥9.57
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￥8.44
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￥7.21
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￥6.68

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2.5A输出电流IGBT栅极驱动光耦，带有源米勒钳位、轨到轨输出电压和欠压锁定

型号：ACPL-H342-500E 编号：C691946

封装：SOP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥12.83
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￥10.99
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￥9.83
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￥8.12
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5.0A 高输出电流 IGBT 栅极驱动光耦

型号：ACNW3190-500E 编号：C3019221

封装：SMD-8-400mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/200 A、600 V/300 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。在 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 中具有最高 1414 Vpeak 的绝缘电压 VIORM。

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￥13.12
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￥11.99
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￥10.74
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￥10.02

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逻辑输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0710-500E 编号：C188706

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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1+
￥13.9
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￥11.7
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￥10.32
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AC,DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0370-500E 编号：C692007

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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1+
￥14.2
10+
￥12.13
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￥10.84
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￥8.49
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￥7.89

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通用型A类固态继电器（光电MOSFET）（60V/0.6A/1Ω）

型号：ASSR-1410-503E 编号：C2686006

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）

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1+
￥21.94
10+
￥18.78
30+
￥16.9
100+
￥15
500+
￥14.12

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AC,DC 3.75kV

型号：HCPL-3700-000E 编号：C692043

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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1+
￥25.34
10+
￥21.87
50+
￥19.81
100+
￥17.72

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型号：ASSR-1510-003E 编号：C22379959

封装：SOP-4

品牌：Broadcom(博通)

专为大电流应用而设计，常见于工业应用中。由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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￥44.01
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￥38.24
30+
￥34.72
100+
￥31.78

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90V/1.0Ω，密封功率MOSFET光耦合器

型号：HSSR-7111#300 编号：C31886134

封装：SMD-6P

品牌：Broadcom(博通)

是单通道功率MOSFET光耦合器，采用8引脚密封双列直插陶瓷封装。该器件的工作和存储温度范围广，可作为商用产品购买，也可通过MIL-PRF-38534不同等级测试。

1+
￥1008.53
25+
￥974.63

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DC输入

型号：HCPL-817-500E 编号：C188750

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管，该二极管与一个光电晶体管进行光耦合。它采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和弯引脚SMD选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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5+
￥1.6963
50+
￥1.3353
150+
￥1.1806
1000+
￥0.9876
2000+
￥0.9016

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光电晶体管光耦合器，高密度安装型

型号：HCPL-817-50BE 编号：C2927831

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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5+
￥2.0741
50+
￥1.6431
150+
￥1.4583
1000+
￥1.1766
2000+
￥1.0739

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低功耗10-MBd数字CMOS光耦合器

型号：ACPL-M61L-560E 编号：C691956

封装：SO-5

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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1+
￥5.39
10+
￥4.38
30+
￥3.88
100+
￥3.38
500+
￥3.08
1500+
￥2.92

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-050L-500E 编号：C692011

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

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1+
￥5.84
10+
￥5.26
30+
￥4.94
100+
￥4.57
500+
￥4.15
1500+
￥4.08

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0314-500E 编号：C545691

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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1+
￥6.54
10+
￥5.36
30+
￥4.72
100+
￥3.98
500+
￥3.66

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

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1+
￥6.55
10+
￥5.25
30+
￥4.6
100+
￥3.96
500+
￥3.4

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-2601-500E 编号：C692028

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

数据手册

1+
￥7.19
10+
￥6.11
30+
￥5.51
100+
￥4.84
500+
￥4.13

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCNW137-500E 编号：C188685

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

数据手册

1+
￥8.71
10+
￥7.31
30+
￥6.54
100+
￥5.13
750+
￥4.75

有货

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DC 3.75kV

型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

1+
￥10.56
10+
￥8.86
30+
￥7.79
100+
￥6.7
500+
￥6.21

有货

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5kV

型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

数据手册

1+
￥13.05
10+
￥11.19
30+
￥10.02
100+
￥8.53

有货

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具有轨到轨输出电压的2.5 A峰值高输出电流碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器

型号：ACPL-K33T-560E 编号：C2927813

封装：SOP-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的SiC MOSFET和IGBT而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

1+
￥14.24
10+
￥13.52
30+
￥13.09
100+
￥12.66

有货

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DC输入 2通道隔离电压(rms):5000V

型号：HCPL-2231-500E 编号：C692021

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥19.32
10+
￥16.37
30+
￥14.62
100+
￥12.85
500+
￥12.03

有货

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ACSL-6210-00RE

型号：ACSL-6210-00RE 编号：C49282394

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥19.88
10+
￥16.93
30+
￥15.08
100+
￥13.19
500+
￥12.33

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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1+
￥7.44
10+
￥6.26
30+
￥5.61
100+
￥4.76
500+
￥4.43
1000+
￥4.28

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-4506-500E 编号：C545703

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466采用GaAsP发光二极管（LED），而HCPL - J456和HCNW4506采用AlGaAs发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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1+
￥8.2
10+
￥6.97
30+
￥6.3
100+
￥4.91
500+
￥4.57
1000+
￥4.42

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

数据手册

1+
￥9.32
10+
￥7.81
30+
￥6.98
100+
￥6.04
500+
￥4.65

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

数据手册

1+
￥9.58
10+
￥8.07
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