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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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  • 有货
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      ¥185.97
    • 10+

      ¥181.05
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-miniBLOC,带氮化铝隔离。 2500V 隔离电压。 反并联声二极管。 针对 20-60kHz 开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 短路能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥232.45
    • 10+

      ¥225.36
  • 有货
  • 特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区。 高雪崩能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源
    • 1+

      ¥337.31
    • 10+

      ¥328.39
  • 有货
  • IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,并且该驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥57.31
    • 10+

      ¥48.89
    • 30+

      ¥43.75
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-JEDEC TO-247 AD。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低RM值。 软恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 150+

      ¥10.032
    • 300+

      ¥9.9408
    • 450+

      ¥9.8496
    特性:高阻断电压。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
    • 单价:

      ¥61.02 / 个
    特性:国际标准封装JEDEC DO-203 AA。 平面钝化芯片。应用:直流电源设备电源。 PWM逆变器直流电源
    数据手册
    • 1+

      ¥133.7
    • 10+

      ¥124.51
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    • 单价:

      ¥16.848594 / 个
    特性:快速本征整流器。 雪崩额定。 低RDS(ON)和QG。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 单价:

      ¥36.612 / 个
    特性:快速本征二极管。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 低封装电感。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥41.04 / 个
    特性:高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。应用:高压电源。 电容放电应用
    • 1+

      ¥287.98
    • 30+

      ¥273.7
  • 订货
  • 特性:用于工频的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 隔离电压:2500 V~。 行业标准外形。 符合RoHS标准。应用:50/60 Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    • 50+

      ¥6.93
    • 100+

      ¥6.867
    • 150+

      ¥6.804
    特性:适用于线频率的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。应用:50/60Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥101.01
    • 10+

      ¥98.13
  • 订货
  • 特性:快速本征二极管。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 低封装电感。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 单价:

      ¥75.6 / 个
    特性:国际标准封装。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。 节省空间。应用:高压电源。 电容放电脉冲电路
    • 1+

      ¥185.19
    • 30+

      ¥177.28
  • 订货
  • 特性:国际标准封装。 低本征栅极电阻。 带氮化铝隔离的miniBLOC。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥248.11
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      ¥241.04
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      ¥2.07
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      ¥2.4
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  • 特性:高压封装。 高阻断电压。 快速本征二极管。 低封装电感。 易于安装。 节省空间。应用:高压电源。 电容放电
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      ¥56.16 / 个
    特性:国际标准封装。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅极单元结构。 雪崩额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。应用:高端开关。 推挽放大器
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  • 4A双低侧的超快速MOSFET驱动
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