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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 低封装电感。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
数据手册
  • 1+

    ¥149.02
  • 10+

    ¥139.58
  • 有货
  • 特性:快速本征二极管。雪崩额定。低导通电阻和栅极电荷。低封装电感。易于安装。节省空间。应用:DC-DC转换器。电池充电器
    • 1+

      ¥180.57
    • 10+

      ¥175.78
  • 有货
  • 特性:用于线频率的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。应用:50/60Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥224
    • 36+

      ¥214.88
  • 有货
  • 特性:用于线频率的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。应用:线路整流50/60Hz。 软启动交流电机控制
    数据手册
    • 1+

      ¥235.29
    • 10+

      ¥219.11
  • 有货
  • (配4个螺丝8个垫片)
    数据手册
    • 1+

      ¥262.92
    • 10+

      ¥255.97
  • 有货
  • 特性:针对10-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 雪崩额定。 短路能力。 高电流处理能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥300.33
    • 30+

      ¥288.11
  • 有货
    • 1+

      ¥332.94
    • 30+

      ¥319.39
  • 有货
    • 1+

      ¥359.31
    • 30+

      ¥344.68
  • 有货
  • 特性:针对低导通和开关损耗进行优化。 具备短路能力。 具备高电流处理能力。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥378.58
    • 30+

      ¥347
  • 有货
    • 1+

      ¥401.34
    • 30+

      ¥384.31
  • 有货
  • IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流,同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.4
  • 有货
    • 1+

      ¥5.84
    • 10+

      ¥5.72
    • 30+

      ¥5.63
  • 有货
  • 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流,同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。有双非反相驱动器、双反相驱动器以及一个反相和一个非反相驱动器等配置。提供标准8引脚DIP(PI)、8引脚SOIC(SIA)、带有外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)和8引脚DFN(D2)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.84
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥6.55
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。极低的泄漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.02
    • 10+

      ¥5.99
    • 50+

      ¥5.47
  • 有货
    • 1+

      ¥8.4
    • 10+

      ¥8.21
    • 30+

      ¥8.08
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥8.94
    • 30+

      ¥8.8
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的反向恢复电流值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥9.06
    • 50+

      ¥7.78
  • 有货
  • 热保护压敏电阻代表了集成电路保护的新发展。由径向引线金属氧化物压敏电阻(MOV)和集成热激活元件组成,设计用于在因异常过电压、限流条件(如UL1449中所述)导致过热时断开。有助于SPD模块符合UL1449标准,适用于 cord connected 和 permanently connected 应用。 压敏电阻由于集成热元件与MOV本体接近,具有快速热响应
    • 1+

      ¥12.57
    • 10+

      ¥12.3
    • 40+

      ¥12.12
  • 有货
  • 特性:适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。应用:50/60Hz 线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥12.7
    • 10+

      ¥12.44
    • 30+

      ¥12.26
  • 有货
  • 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流,同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。有标准8引脚DIP(PI)、8引脚SOIC(SIA)、带有外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)和8引脚DFN(D2)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.57
    • 10+

      ¥14.25
    • 30+

      ¥14.04
  • 有货
  • 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流,同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。有标准8引脚DIP(PI)、8引脚SOIC(SIA)、带有外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)和8引脚DFN(D2)封装。
    • 1+

      ¥15.63
    • 10+

      ¥15.28
    • 30+

      ¥15.05
  • 有货
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