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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:国际标准封装JEDEC TO-247 AD和TO-268 AA,可表面贴装。 适用于单相和三相桥式配置。 平面钝化芯片。 环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级。 AR版本为隔离式且具有UL注册编号E153432
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  • 单价:

    ¥12.96 / 个
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    ¥40.92
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  • MOSFETN-CH250V360MASOT-89
    数据手册
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      ¥3.2412
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      ¥3.212
    • 3000+

      ¥3.1536
    是N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高电压MOSFET性能。垂直DMOS工艺使器件具有高可靠性,尤其在电信、安全和电源等应用环境中。典型导通电阻为8Ω,漏源电压为350V,采用SOT-223封装。FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
    数据手册
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      ¥4.26
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      ¥4.88
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  • N沟道,500V,1.6A,2.3Ω@0V
    数据手册
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      ¥8.26
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      ¥5.06
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      ¥9.9844
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      ¥8.0795
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      ¥7.15
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      ¥7.085
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      ¥8.35
    • 10+

      ¥8.17
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      ¥7.73
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      ¥7.61
  • 订货
  • N沟道,1000V,0.8A,21Ω@0V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.52
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      ¥8.79
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      ¥7.85
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      ¥6.78
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      ¥6.3
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      ¥6.09
  • 订货
  • N沟道,1000V,0.1A,80Ω@10V
    数据手册
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      ¥11.6856 / 个
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      ¥8.1
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    • 1+

      ¥12.97
    • 10+

      ¥11.16
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      ¥10.02
    • 100+

      ¥8.86
    • 500+

      ¥8.33
    • 1000+

      ¥8.1
  • 订货
    • 1+

      ¥12.98
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥12.49
    • 100+

      ¥12.29
  • 订货
  • 特性:国际标准封装。无钳位电感开关 (UIS) 额定值。低封装电感。易于驱动和保护。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥16.27
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      ¥13.9
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  • N沟道
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