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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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IX4351NE专为驱动碳化硅(SiC)MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A源极和灌电流输出可实现定制化的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器可提供可选的负栅极驱动偏置,以提高dV/dt抗扰度并加快关断速度
数据手册
  • 1+

    ¥16.16
  • 10+

    ¥15.75
  • 30+

    ¥15.47
  • 有货
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      ¥16.56
    • 10+

      ¥16.17
    • 30+

      ¥15.92
  • 有货
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      ¥16.78
    • 10+

      ¥16.41
    • 50+

      ¥16.16
  • 有货
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      ¥17.4
    • 10+

      ¥17.05
    • 30+

      ¥16.81
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-247 AD。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低IRM值。 软恢复特性。应用:开关电源(SMPS)中的整流器。 不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥21.18
    • 10+

      ¥18.3
    • 30+

      ¥16.59
  • 有货
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    • 10+

      ¥22.07
    • 50+

      ¥21.78
  • 有货
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      ¥22.7
    • 10+

      ¥22.21
    • 30+

      ¥21.88
  • 有货
  • 适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流,同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器(带使能)、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP(PI)、带外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)、5引脚TO-220(CI)和5引脚TO-263(YI)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.01
    • 10+

      ¥22.48
    • 30+

      ¥22.12
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥25.4
    • 10+

      ¥21.95
    • 30+

      ¥19.89
  • 有货
    • 1+

      ¥26.34
    • 10+

      ¥25.82
    • 30+

      ¥25.47
  • 有货
  • IxD_614sI是一款符合AEC Q100标准的汽车级高速栅极驱动器。IxD_614sI的输出能够提供和吸收14A的峰值电流,同时其上升和下降时间小于35ns。输出和输入的额定电压均为35V
    • 1+

      ¥27.45
    • 10+

      ¥26.8
    • 30+

      ¥26.36
  • 有货
    • 1+

      ¥27.77
    • 10+

      ¥27.23
    • 30+

      ¥26.87
  • 有货
  • 使用Slo-Blo技术保护高电流线束。150 A和200 A保险丝仅用于短路保护。
    • 1+

      ¥27.95
    • 10+

      ¥27.34
    • 30+

      ¥26.93
  • 有货
    • 1+

      ¥28.96
    • 10+

      ¥28.39
    • 30+

      ¥28.02
  • 有货
  • 特性:塑料标准封装。平面钝化芯片。应用:低功率整流器。直流电机的励磁电源
    • 1+

      ¥30.19
    • 10+

      ¥26.18
    • 30+

      ¥23.8
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。 采用国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 UPS
    • 1+

      ¥34.79
    • 10+

      ¥34.11
    • 50+

      ¥33.66
  • 有货
    • 1+

      ¥35.54
    • 10+

      ¥34.84
    • 30+

      ¥34.38
  • 有货
  • 特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 Vce(sat)具有正温度系数。 反并联超快速二极管。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥37.01
    • 10+

      ¥36.29
    • 30+

      ¥35.81
  • 有货
  • 特性:针对低传导损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥41.45
    • 10+

      ¥40.64
    • 50+

      ¥40.11
  • 有货
    • 1+

      ¥47.49
    • 10+

      ¥46.53
    • 30+

      ¥45.88
  • 有货
  • 特性:高阻断电压。 JEDEC TO-268表面和JEDEC TO-247 AD。 低传导损耗。 高电流处理能力。 MOS栅极导通,驱动简单。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。应用:交流电机速度控制。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥71.77
    • 10+

      ¥69.58
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。 隔离电压:3000 V。 行业通用外形。应用:主整流二极管桥
    数据手册
    • 1+

      ¥72.86
    • 10+

      ¥63.02
    • 25+

      ¥54.46
  • 有货
  • 特性:针对20-60kHz开关进行了优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 反并联超快二极管。 雪崩能力。 短路能力。 国际标准封装。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥85.26
    • 10+

      ¥73.97
    • 30+

      ¥67.09
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。UL认证封装。隔离安装表面。2500V电气隔离。雪崩额定。方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。应用:高频功率逆变器。不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥114.28
    • 10+

      ¥111.26
  • 有货
  • 特性:快速导通。 低温依赖性。 低泄漏电流。应用:高压电路保护。 瞬态电压保护
    • 1+

      ¥124.02
    • 10+

      ¥118.94
    • 30+

      ¥110.13
  • 有货
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      ¥180.18
    • 10+

      ¥175.21
  • 有货
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