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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
数据手册
  • 1000+

    ¥10.727154
  • 2000+

    ¥10.629634
  • 3000+

    ¥10.532115
该产品是双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端每个都能提供和吸收5A的峰值电流,最大电压额定值为20V,两个输出端可并联用于更高电流的应用。快速的传播延迟时间(典型值16ns)和快速的上升和下降时间(典型值7ns)使其适用于高频应用。输入与TTL和CMOS逻辑兼容,每个输出都有独立的使能功能。欠压锁定电路(UVLO)可防止高端源极驱动器在电源电压不足时导通。若逻辑输入悬空,输出将保持低电平。
数据手册
  • 1774+

    ¥4.0404
  • 3548+

    ¥4.004
  • 5322+

    ¥3.9312
  • 1+

    ¥42.63
  • 10+

    ¥41.8
  • 30+

    ¥41.24
  • 100+

    ¥40.69
  • 订货
  • 特性:国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。 节省空间。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥49.38
    • 10+

      ¥42.57
    • 30+

      ¥36.37
    • 100+

      ¥32.89
  • 订货
  • 特性:针对低传导和开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。 反并联超快二极管。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源 (UPS)
    • 单价:

      ¥54.2052 / 个
    特性:高压封装。快速本征二极管。雪崩额定。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性分类。高阻断电压。易于安装。应用:高压电源。电容放电应用
    • 单价:

      ¥27.2592 / 个
    特性:高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。应用:高压电源。 电容放电应用
    • 单价:

      ¥42.12 / 个
    • 1+

      ¥75.41
    • 10+

      ¥71.63
    • 30+

      ¥65.09
    • 100+

      ¥59.39
  • 订货
  • 特性:国际标准封装。 低QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 单价:

      ¥91.8 / 个
    特性:设计用于线性操作。 国际标准封装。 雪崩额定。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性分类。 保证在75℃时的正向偏置安全工作区(FBSOA)。 易于安装。应用:固态断路器。 软启动控制
    • 1+

      ¥88.98
    • 10+

      ¥86.52
  • 订货
  • 特性:国际标准封装。坚固的PolarPTM工艺。雪崩额定。快速本征二极管。低封装电感。易于安装。应用:高端开关。推挽放大器
    • 单价:

      ¥99.36 / 个
    • 1+

      ¥127.22
    • 10+

      ¥123.87
  • 订货
  • 特性:高阻断电压。 高压封装。 易于安装。 节省空间。 高功率密度。应用:高压电源。 电容放电应用
    • 1+

      ¥175.36
    • 30+

      ¥167.68
  • 订货
  • 特性:采用DCB陶瓷封装。 改善温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。应用:主整流二极管。 单三相桥式配置
    • 1+

      ¥243.76
    • 36+

      ¥233.84
  • 订货
    • 1+

      ¥1232.31
    • 200+

      ¥491.7
    • 500+

      ¥475.27
    • 1000+

      ¥467.16
  • 订货
    • 1+

      ¥6.2
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.99
    • 100+

      ¥5.9
  • 订货
    • 1+

      ¥9.17
    • 10+

      ¥8.98
    • 30+

      ¥8.86
  • 有货
    • 1+

      ¥10.22
    • 10+

      ¥10.05
    • 30+

      ¥9.94
    • 100+

      ¥9.83
  • 订货
    • 1+

      ¥10.86
    • 10+

      ¥9.09
    • 30+

      ¥8.13
    • 160+

      ¥7.03
    • 480+

      ¥6.54
    • 960+

      ¥6.32
  • 订货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.2544 / 个
    特性:VRm高达1600 V。 低正向压降。 平面钝化芯片。 环氧树脂符合UL 94V-0。应用:直流电源设备的电源。 PWM逆变器的输入整流器
    • 单价:

      ¥30.0348 / 个
    特性:国际标准封装。 雪崩额定。 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)。 快速本征二极管。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 易于安装。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 单价:

      ¥19.062 / 个
    特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低栅极电荷QG和低导通电阻Rds(on)特性。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 单价:

      ¥27 / 个
    特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低栅极电荷QG和低导通电阻Rds(on)特性。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 单价:

      ¥34.2468 / 个
    特性:用于线频率的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。应用:50/60 Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥254.72
    • 30+

      ¥242.53
  • 订货
  • 特性:适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。应用:50/60Hz 线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥20.3
    • 10+

      ¥19.86
    • 50+

      ¥19.56
    • 100+

      ¥19.27
  • 订货
  • 特别适合驱动最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端各自能够提供和吸收 4A 的电流,同时产生小于 10ns 的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入几乎不会发生闩锁,专有电路可消除交叉导通和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使该产品非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.72
    • 10+

      ¥21.22
    • 30+

      ¥20.88
    • 100+

      ¥20.54
  • 订货
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